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公開番号2025087434
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-10
出願番号2023202091
出願日2023-11-29
発明の名称基板処理装置
出願人株式会社SCREENホールディングス
代理人個人,個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/683 20060101AFI20250603BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板を効率良く処理できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】固定ピン33は、プレート32の上面32aよりも高い位置で基板Wを支持する。気体吹出口34は、プレート32aの上面32aから、気体を上方に吹き出す。吹出調整部40は、気体吹出口34が吹き出す気体の流量を調整する。これにより、固定ピン33に支持される基板Wにベルヌーイの原理に応じた吸引力が作用する。触覚センサ33cは、固定ピン33に支持される基板Wにベルヌーイの原理に応じた吸引力が作用する時に、基板Wから受ける力Nを検出する。制御部18は、触覚センサ33cによって検出された基板Wから受ける力Nの情報に基づいて、気体吹出口34が吹き出す気体の流量を変更する。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
基板処理装置であって、
基板を処理する処理ユニットと、
前記処理ユニットを制御する制御部と、を備え、
前記処理ユニットは、
上面を有するプレートと、
前記プレートを回転する回転駆動部と、
前記プレートの前記上面から上方に突出し、基板の下面および基板の端縁の少なくともいずれかと接触し、前記プレートの前記上面よりも高い位置で基板を支持する支持部と、
前記プレートの前記上面に形成され、気体を上方に吹き出す気体吹出口と、
前記気体吹出口が吹き出す気体の流量を調整する吹出調整部と、
前記支持部に支持される基板にベルヌーイの原理に応じた吸引力が作用する時に、前記基板から受ける力を検出する検出部を備え、
前記制御部は、前記検出部によって検出された前記基板から受ける力の情報に基づいて、前記処理ユニットを制御する
ことを特徴とする基板処理装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記検出部は、前記基板から受ける力として、前記支持部に支持される基板に前記吸引力が作用する時に、基板が前記支持部を押し付ける押し付け力を検出し、
前記制御部は、前記検出部によって検出された前記押し付け力の情報に基づいて、前記処理ユニットを制御する
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置において、
前記検出部は、前記支持部に取り付けられる
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記検出部は、前記基板から受ける力として、前記支持部に支持される基板に前記吸引力が作用する時に、前記支持部が前記プレートを押し付ける押し付け力を検出し、
前記制御部は、前記検出部によって検出された前記押し付け力の情報に基づいて、前記処理ユニットを制御する
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記検出部は、前記プレートに取り付けられる
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、前記基板から受ける力の情報に基づいて、前記気体吹出口が吹き出す気体の流量を変える
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、前記基板から受ける力が規定値未満のとき、前記基板から受ける力が前記規定値以上となるように前記気体吹出口が吹き出す気体の流量を調整する
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理装置において、
前記規定値は、前記処理ユニットが前記基板に対する処理を開始するための予め定められた値である
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項７に記載の基板処理装置において、
前記規定値は、前記処理ユニットが前記基板に対する処理を実行中に、前記基板に対する処理に必要な予め定められた値である
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板処理装置において、
前記基板に対する処理は、少なくとも第１処理と、前記第１処理に続く第２処理とを含み、
前記規定値は、前記基板に対する処理が前記第１処理から前記第２処理に変わる際に、前記第２処理に必要な予め定められた値である
ことを特徴とする基板処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に処理を行う基板処理装置に関する。基板は、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、この種の装置として、基板を搬送する基板搬送機構と、基板を処理する処理ユニットとを備えるものがある。処理ユニットは、プレートと、プレートを回転する回転駆動部と、基板を支持する支持部と、プレートの上面から気体を吹き出す気体吹出口とを備える。支持部に支持される基板は、ベルヌーイの原理に応じた吸引力が作用する。処理ユニットは、この吸引力によって基板を保持した状態で基板を回転させながら基板を処理する（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２１－４８３６２号公報（第６，７，１７頁、図５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、処理ユニットが基板を処理する際に、基板に作用する吸引力が十分でない場合がある。その場合、基板を効率良く処理できないという問題がある。
【０００５】
本発明者らは、鋭意研究の結果、基板に作用する吸引力に関して次のことが分かった。
【０００６】
すなわち、基板に作用する吸引力は、基板の裏面に吹き出される気体の流速と、基板の裏面とプレートの上面との隙間の大きさ（クリアランス）だけでなく、支持部の摩擦係数にも依存する。
【０００７】
本発明者らは、鋭意研究の結果、基板に作用する吸引力が十分でない事象が生じる原因として次のことが分かった。
【０００８】
１つ目の原因は、基板Ｗに形成された膜（例えば酸化膜）の種類によって支持部と基板との間に生じる摩擦力の低下である。基板Ｗに形成された膜（例えば酸化膜）の種類によっては、基板と支持部との摩擦力が低くなる場合がある。このような場合、吸引力が支持部に支持される基板に作用しても、基板が支持部に対して動きやすくなる。基板がうごきやすくなる分、支持部に支持される基板に作用する吸引力が小さくなる。
【０００９】
２つ目の原因は、裏面処理によって供給される処理液によって支持部と基板との間に生じる摩擦力の低下である。処理液は、支持部に支持される基板の上面（これを基板の裏面と呼ぶ）に対して供給される。処理液は、支持部に支持される基板の下面に回り込む場合がある。基板の下面に回り込んだ処理液は、支持部と基板の間に入り込む場合がある。その結果、支持部と基板との間の摩擦力が低くなる場合がある。このような場合、上述のように、支持部に支持される基板に作用する吸引力が小さくなる。
【００１０】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板を効率良く処理できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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