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公開番号2025082880
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-30
出願番号2023196394
出願日2023-11-20
発明の名称静電チャック
出願人TOTO株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/683 20060101AFI20250523BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板に対する副生成物の付着を抑制することのできる静電チャック、を提供する。
【解決手段】静電チャック10は、誘電体基板100と、誘電体基板100に形成された環状の突起である複数のシールリング150と、を備える。複数のシールリング150は、最も外周端となる位置に配置された第1シールリング151と、第1シールリング151の内側となる位置に配置された第2シールリング152と、を含む。静電チャック10では、第1シールリング151の表面粗さが、第2シールリング152の表面粗さよりも大きくなっている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
被吸着物が載置される載置面を有する誘電体基板と、
前記誘電体基板に形成された環状の突起であって、その先端面が前記載置面の一部となっている複数のシールリングと、を備え、
複数の前記シールリングは、
前記載置面のうち最も外周端となる位置に配置された第１シールリングと、
前記第１シールリングとの間に他の前記シールリングを挟むことなく、前記第１シールリングの内側となる位置に配置された第２シールリングと、を含み、
前記第１シールリングの表面粗さが、前記第２シールリングの表面粗さよりも大きいことを特徴とする静電チャック。
続きを表示（約 72 文字）【請求項２】
前記第１シールリングの幅が、前記第２シールリングの幅よりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載の静電チャック。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は静電チャックに関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
例えばエッチング装置等の半導体製造装置には、処理の対象となるシリコンウェハ等の基板を吸着し保持するための装置として、静電チャックが設けられる。下記特許文献１に記載されているように、静電チャックは、吸着電極が設けられた誘電体基板と、誘電体基板を支持するベースプレートと、を備え、これらが互いに接合された構成を有する。吸着電極に電圧が印加されると静電力が生じ、誘電体基板上に載置された基板が吸着され保持される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１０－１３５８５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体製造装置における基板の処理中においては、プラズマの一部が基板の裏面等に到達し、副生成物（デポ）となって付着してしまうことがある。このような副生成物の付着は、パーティクルの発生源となるために好ましくない。
【０００５】
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板に対する副生成物の付着を抑制することのできる静電チャック、を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る静電チャックは、被吸着物が載置される載置面を有する誘電体基板と、誘電体基板に形成された環状の突起であって、その先端面が載置面の一部となっている複数のシールリングと、を備える。複数のシールリングは、載置面のうち最も外周端となる位置に配置された第１シールリングと、第１シールリングとの間に他のシールリングを挟むことなく、第１シールリングの内側となる位置に配置された第２シールリングと、を含む。この静電チャックでは、第１シールリングの表面粗さが、第２シールリングの表面粗さよりも大きい。
【０００７】
このような構成の静電チャックでは、基板の処理中において、第１シールリングを介して外部へと漏出するガスの流量が大きくなる。基板の裏面側であって且つ外周側の部分では、上記のようなガスの流れが継続的に生じているので、基板の裏面や側面に向かうプラズマの移動が、ガスの流れによって抑制される。その結果、基板の裏面等に対する副生成物の付着を、従来に比べて抑制することが可能となる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、基板に対する副生成物の付着を抑制することのできる静電チャック、を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本実施形態に係る静電チャックの構成を模式的に示す断面図である。
図１の静電チャックが備える誘電体基板の、載置面側の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照しながら本実施形態について説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては可能な限り同一の符号を付して、重複する説明は省略する。
（【００１１】以降は省略されています）

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