TOP
|
特許
|
意匠
|
商標
特許ウォッチ
Twitter
他の特許を見る
10個以上の画像は省略されています。
公開番号
2025076352
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-05-15
出願番号
2024187359,2023187623
出願日
2024-10-24,2023-11-01
発明の名称
電力デバイス
出願人
株式会社PXP
,
株式会社SOLABLE
代理人
個人
,
個人
,
個人
,
個人
主分類
H10F
10/00 20250101AFI20250508BHJP()
要約
【課題】電力を制御するための制御回路を必要とせず、エネルギー利用効率が高い電力デ
バイスを提供すること。
【解決手段】少なくとも1つの太陽電池を含む太陽電池層PVと、太陽電池層の受光面と
反対側の面に設けられ、少なくとも1つの蓄電池を含む蓄電池層BTとを備える電力デバ
イスであって、太陽電池層PVと蓄電池層BTとの間に、当該太陽電池層PVと当該蓄電
池層BTとの共通電極となる導電性基体201を備え、太陽電池層PVの開放電圧に対す
る蓄電池層BTの公称電圧の比である電圧比が0.58~0.84である電力デバイス1
00。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
少なくとも1つの太陽電池を含む太陽電池層と、前記太陽電池層の受光面と反対側の面
に設けられ、少なくとも1つの蓄電池を含む蓄電池層とを備える電力デバイスであって、
前記太陽電池層と前記蓄電池層との間に、当該太陽電池層と当該蓄電池層との共通電極
となる導電性基体を備え、
前記太陽電池層の開放電圧に対する前記蓄電池層の公称電圧の比である電圧比が0.5
8~0.84である、電力デバイス。
続きを表示(約 1,000 文字)
【請求項2】
請求項1に記載の電力デバイスであって、
前記電圧比が0.60~0.82である、電力デバイス。
【請求項3】
請求項1に記載の電力デバイスであって、
前記電力デバイスに負荷が接続される場合、前記電圧比が0.63~0.82である、
電力デバイス。
【請求項4】
請求項1に記載の電力デバイスであって、
前記電力デバイスに負荷が接続される場合、前記電圧比が0.74~0.82である、
電力デバイス。
【請求項5】
請求項1に記載の電力デバイスであって、
前記太陽電池層は、直列接続された複数の太陽電池を有し、
前記太陽電池層の開放電圧は、前記複数の太陽電池のそれぞれの開放電圧の合計値であ
る、電力デバイス。
【請求項6】
請求項1に記載の電力デバイスであって、
前記少なくとも1つの太陽電池は、シリコン太陽電池、カルコパイライト太陽電池、ケ
ステライト太陽電池、カドミウムテルル太陽電池、若しくはペロブスカイト太陽電池、又
はこれらの組み合わせを含む、電力デバイス。
【請求項7】
請求項1に記載の電力デバイスであって、
前記蓄電池層は、直列接続された複数の蓄電池を有し、
前記蓄電池層の公称電圧は、前記複数の蓄電池のそれぞれの公称電圧の合計値である、
電力デバイス。
【請求項8】
請求項1に記載の電力デバイスであって、
前記蓄電池層は、並列接続された複数の蓄電池を有し、
前記蓄電池層の公称電圧は、前記複数の蓄電池のそれぞれの公称電圧の平均値である、
電力デバイス。
【請求項9】
請求項1に記載の電力デバイスであって、
前記少なくとも1つの蓄電池は、全固体電池若しくは半固体電池、又はこれらの組み合
わせを含む、電力デバイス。
【請求項10】
請求項9に記載の電力デバイスであって、
前記全固体電池又は前記半固体電池は、プロトン電池、リチウムイオン電池、ナトリウ
ムイオン電池、カリウムイオン電池、マグネシウムイオン電池、銅イオン電池、若しくは
銀イオン電池、又はこれらの組み合わせを含む、電力デバイス。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、電力デバイスに関する。
続きを表示(約 2,100 文字)
【背景技術】
【0002】
太陽電池は、天候不順や影により発電しにくいこと、あるいは夜間帯には発電しにくい
こと等の理由により、安定した電力源とする場合には、蓄電システムと連携して使用され
る。特許文献1から特許文献3には、太陽電池と蓄電池とをモジュールとして一体化する
技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
米国特許第8704078号明細書
米国特許第4481265号明細書
米国特許第4740431号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献1に記載の技術では、太陽電池と蓄電池とを接続する際に配線が複雑となるこ
とや、部品点数が多くなってしまい、コストがかかる。また、特許文献2には、太陽電池
と同一基板上に蓄電池を積層する技術が記載されているが、配線のための貫通穴や電力を
制御するための回路を基板上に設ける必要があり、依然として構造は複雑なままであった
。特許文献3には、太陽電池と蓄電池とが導電性基板を共通電極とする構造が記載されて
いる。しかし、特許文献3に記載のデバイスにおいても、太陽電池と蓄電池を単に一体化
しただけの構造であるため、別途外部に電力を制御するための回路を設ける必要があり、
デバイスのサイズは大きくなってしまう。
【0005】
そこで、本発明は、電力を制御するための制御回路を必要とせず、エネルギー利用効率
が高い電力デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の一態様に係る電力デバイスは、少なくとも1つの太陽電池を含む太陽電池層と
、太陽電池層の受光面と反対側の面に設けられ、少なくとも1つの蓄電池を含む蓄電池層
とを備える電力デバイスであって、太陽電池層と蓄電池層との間に、当該太陽電池層と当
該蓄電池層との共通電極となる導電性基体を備え、太陽電池層の開放電圧に対する蓄電池
層の公称電圧の比である電圧比が0.58~0.84である。
【発明の効果】
【0007】
本発明によれば、電力を制御するための制御回路を必要とせず、エネルギー利用効率が
高い電力デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
本実施形態に係る電力デバイスの断面図である。
本実施形態に係る他の電力デバイスの断面図である。
本実施形態に係る他の電力デバイスの断面図である。
本実施形態に係る他の電力デバイスの断面図である。
太陽電池の標準試験条件における蓄電池の充電状態及び電圧カップリング比に応じた電力カップリング効率を示す図である。
実環境データに基づく蓄電池の充電状態及び電圧カップリング比に応じた電力カップリング効率を示す図である。
実環境データに基づく蓄電池の充電状態及び電圧カップリング比に応じた電力カップリング効率を示す図である。
実環境データに基づく蓄電池の充電状態及び電圧カップリング比に応じた電力カップリング効率を示す図である。
実環境データに基づく蓄電池の充電状態及び電圧カップリング比に応じた電力カップリング効率を示す図である。
太陽電池の標準試験条件における負荷の抵抗値及び電圧カップリング比に応じた電力カップリング効率を示す図である。
実環境データに基づく負荷の抵抗値及び電圧カップリング比に応じた電力カップリング効率を示す図である。
実環境データに基づく負荷の抵抗値及び電圧カップリング比に応じた電力カップリング効率を示す図である。
実環境データに基づく負荷の抵抗値及び電圧カップリング比に応じた電力カップリング効率を示す図である。
実環境データに基づく負荷の抵抗値及び電圧カップリング比に応じた電力カップリング効率を示す図である。
太陽放射照度を除く太陽電池の標準試験条件における太陽放射照度比及び電圧カップリング比に応じた蓄電池の平均充電電流密度を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。なお、各図において
、同一の符号を付したものは、同一又は同様の構成を有する。
【0010】
図1には、本実施形態に係る電力デバイス100の断面図が示される。電力デバイス1
00は、太陽電池層PV、導電性基体201、及び蓄電池層BTを有する。太陽電池層P
Vは、太陽電池101及び太陽電池102を有する。蓄電池層BTは蓄電池301を有し
、蓄電池301は太陽電池層の受光面と反対側の面に設けられる。
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPatで参照する
関連特許
株式会社PXP
太陽電池
2日前
株式会社PXP
電力デバイス
1日前
株式会社PXP
太陽電池の製造方法及び太陽電池
2日前
株式会社PXP
太陽電池及び太陽電池の製造方法
1か月前
株式会社PXP
電力デバイス
1日前
株式会社PXP
太陽電池の製造方法及び太陽電池
2日前
株式会社PXP
太陽電池の製造方法及び太陽電池
1か月前
株式会社クラベ
感圧導電体
1日前
学校法人東北学院
半導体装置
14日前
富士電機株式会社
半導体装置
3日前
キヤノン株式会社
放射線撮像装置
3日前
株式会社村田製作所
半導体装置
7日前
株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
今日
株式会社半導体エネルギー研究所
発光デバイス
今日
株式会社カネカ
太陽電池モジュール
7日前
三安ジャパンテクノロジー株式会社
半導体装置
1日前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法
今日
ローム株式会社
半導体装置
14日前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法
14日前
株式会社カネカ
ペロブスカイト薄膜太陽電池の製造方法
1日前
ローム株式会社
半導体装置
1日前
三菱電機株式会社
半導体装置
3日前
日亜化学工業株式会社
窒化物半導体発光素子
4日前
豊田合成株式会社
発光装置
14日前
国立大学法人北海道大学
薄膜トランジスタ
2日前
旭化成株式会社
深紫外線照射装置及びその製造方法
1日前
シチズン電子株式会社
発光装置
3日前
マグネティック シールズ リミテッド
磁気シールド
1日前
日本放送協会
磁性細線メモリ
15日前
パナソニックIPマネジメント株式会社
発光装置
2日前
キヤノン株式会社
光電変換素子の製造方法
3日前
キヤノン株式会社
光電変換素子の製造方法
3日前
キヤノン株式会社
光電変換素子の製造方法
3日前
株式会社カネカ
太陽電池の製造方法、および、太陽電池
8日前
ローム株式会社
圧電素子及びその製造方法
1日前
東京エレクトロン株式会社
基板処理方法及び基板処理装置
今日
続きを見る
他の特許を見る