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公開番号2025074500
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-14
出願番号2023185346
出願日2023-10-30
発明の名称多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法
出願人HOYA株式会社,ホーヤエレクトロニクスシンガポールプライベートリミテッド,HOYA ELECTRONICS SINGAPORE PTE.LTD.
代理人弁理士法人津国
主分類G03F 1/24 20120101AFI20250507BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】反射型マスクの製造工程において、描画装置を用いた所定のパターンのレジスト膜の描画の際に、多層反射膜の周縁部における膜剥がれを抑制することのできる反射型マスクブランクを製造するための多層反射膜付き基板を提供する。
【解決手段】基板と、該基板の上に設けられた多層反射膜とを含む多層反射膜付き基板であって、前記多層反射膜は、低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層させた多層膜を含み、前記多層反射膜の結晶化度を歪度で示したときに、前記基板の側面から中心に向かって6mm以内の範囲の前記多層反射膜の少なくとも一部における歪度が1.3以下であることを特徴とする多層反射膜付き基板である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、該基板の上に設けられた多層反射膜とを含む多層反射膜付き基板であって、
前記多層反射膜は、低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層させた多層膜を含み、
前記多層反射膜の結晶化度を歪度で示したときに、前記基板の側面から中心に向かって６ｍｍ以内の範囲の前記多層反射膜の少なくとも一部における歪度が１．３以下であることを特徴とする多層反射膜付き基板。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
前記基板の側面から１．８ｍｍ～２．４ｍｍの範囲の前記多層反射膜における歪度の最大値と最小値との差は、０．７以下であることを特徴とする請求項１に記載の多層反射膜付き基板。
【請求項３】
前記多層反射膜は、周縁部を有し、
前記多層反射膜の前記周縁部は、前記基板の前記主表面の中心側から外側に向かう方向に沿って膜厚が減少する膜厚傾斜領域を有し、
前記膜厚傾斜領域の傾きが、１００ｎｍ／ｍｍ以上４００ｎｍ／ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層反射膜付き基板。
【請求項４】
前記多層反射膜の上に保護膜を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の多層反射膜付き基板。
【請求項５】
基板と、該基板の上に設けられ、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜の上に吸収体膜とを含む反射型マスクブランクであって、
前記多層反射膜は、低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層させた多層膜を含み、
前記多層反射膜の結晶化度を歪度で示したときに、前記基板の側面から中心に向かって６ｍｍ以内の範囲の前記多層反射膜の少なくとも一部における歪度が１．３以下であることを特徴とする反射型マスクブランク。
【請求項６】
前記基板の側面から１．８ｍｍ～２．４ｍｍの範囲の前記多層反射膜における歪度の最大値と最小値との差は、０．７以下であることを特徴とする請求項５に記載の反射型マスクブランク。
【請求項７】
前記多層反射膜は、周縁部を有し、
前記多層反射膜の前記周縁部は、前記基板の前記主表面の中心側から外側に向かう方向に沿って膜厚が減少する膜厚傾斜領域を有し、
前記膜厚傾斜領域の傾きが、１００ｎｍ／ｍｍ以上４００ｎｍ／ｍｍ以下であることを特徴とする請求項５又は６に記載の反射型マスクブランク。
【請求項８】
前記多層反射膜の上に保護膜を含むことを特徴とする請求項５又は６に記載の反射型マスクブランク。
【請求項９】
基板と、該基板の上に設けられ、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜の上に吸収体膜がパターニングされた吸収体パターンとを含む反射型マスクであって、
前記多層反射膜は、低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層させた多層膜を含み、
前記多層反射膜の結晶化度を歪度で示したときに、前記基板の側面から中心に向かって６ｍｍ以内の範囲の前記多層反射膜の少なくとも一部における歪度が１．３以下であることを特徴とする反射型マスク。
【請求項１０】
前記基板の側面から１．８ｍｍ～２．４ｍｍの範囲の前記多層反射膜における歪度の最大値と最小値との差は、０．７以下であることを特徴とする請求項９に記載の反射型マスク。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
近年における超ＬＳＩデバイスの高密度化、高精度化の更なる要求に伴い、極紫外（Extreme Ultra Violet、以下、ＥＵＶと称す。）光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが提案されている。
【０００３】
反射型マスクは、基板の上に形成された露光光を反射するための多層反射膜と、多層反射膜の上に形成され、露光光を吸収するためのパターン状の吸収体膜である吸収体パターンとを有する。吸収体パターンが形成されていない部分の多層反射膜により反射された光像が、反射光学系を通してシリコンウェハ等の半導体基板（被転写体）上に転写される。
【０００４】
反射型マスクの吸収体パターンは、原版である反射型マスクブランクの吸収体膜の一部を、リソグラフィプロセスを用いて、所定のパターンになるようにエッチングすることにより、形成することができる。
【０００５】
特許文献１には、露光用マスクを製造するための原版であるマスクブランクが記載されている。特許文献１に記載のマスクブランクは、電子線描画によりレジストパターンを形成する電子線描画用のマスクブランクである。特許文献１に記載のマスクブランクは、基板上に、転写パターン形成用薄膜と、転写パターン形成用薄膜のエッチングに対して耐性を有する無機系材料からなるエッチングマスク膜とがこの順に形成されたマスクブランクである。特許文献１には、マスクブランクの転写パターン形成用薄膜が、電子線描画しパターニングする際にチャージアップしない程度に導電性を有する材料であり、基板の主表面から、基板の側面又は面取り面までに亘って形成されることが記載されている。
【０００６】
特許文献２には、基板の主表面上に高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層させた構成の多層反射膜が形成されたＥＵＶリソグラフィ用の多層反射膜付き基板の製造方法が記載されている。特許文献２に記載の製造方法は、基板の主表面上に、主表面の周縁部において基板の内側から外側に向かって膜厚が小さくなる膜厚傾斜領域が設けられるように多層反射膜を形成する多層反射膜形成工程と、多層反射膜の少なくとも一部を除去することにより、膜厚傾斜領域に多層反射膜付き基板表面の欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを形成する基準マーク形成工程と、を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
特開２０１２－２３８０１４号公報
国際公開第ＷＯ２０１３／１４６４８８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
反射型マスクの吸収体パターンは、反射型マスクブランクの吸収体膜の一部を、リソグラフィプロセスを用いて、所定のパターンになるようにエッチングすることにより、形成することができる。反射型マスクブランクから反射型マスクを製造するためのリソグラフィプロセスでは、まず、反射型マスクブランクの吸収体膜の上にレジスト膜を形成する。レジスト膜付きの反射型マスクブランクは、レジスト膜に所定のパターンを描画するために、描画装置にセットされる。描画装置として電子線描画装置を用い、レジスト膜の材料として電子線描画用のレジストを用いることにより、レジスト膜に所定の微細なパターンを描画することができる。レジスト膜に形成された微細なパターンをマスクとして用いることにより、微細な吸収体パターンを有する反射型マスクの製造することができる。
【０００９】
電子線描画装置を用いてレジスト膜に所定のパターンを描画する際に、反射型マスクブランクがチャージアップする場合がある。反射型マスクブランクがチャージアップすると、描画のための電子線の軌道が変化するため、設計通りのパターンをレジスト膜に描画することが困難になる。したがって、電子線描画装置を用いた描画の際に、反射型マスクブランクのチャージアップを防止する必要がある。電子線描画装置では、ステージにセットされた反射型マスクブランクの周縁部に導通ピンを押し当てて接地することにより、反射型マスクブランクのチャージアップの防止することができる。
【００１０】
反射型マスクブランクの周縁部には、多層反射膜を含む多層膜が形成されている。電子線描画装置を用いた描画の際に、多層膜にチャージアップ防止のための導通ピンを押し当てたときに、導通ピンの先端の形状によっては、多層反射膜の周縁部において膜剥がれが生じる恐れがある。
（【００１１】以降は省略されています）

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