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公開番号2025074382
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-14
出願番号2023185134
出願日2023-10-30
発明の名称整流回路および電源装置
出願人シャープ株式会社
代理人個人,個人
主分類H02M 7/12 20060101AFI20250507BHJP(電力の発電,変換,配電)
要約【課題】従来よりも逆回復電流が低減された整流回路を提供する。
【解決手段】高耐圧トランジスタ(HVT1)と低耐圧トランジスタ(LVT1)と制御トランジスタ(CNT1)とで構成された整流回路(RC1)を用いる。高耐圧トランジスタ(HVT1)の基準端子は低耐圧トランジスタ(LVT1)の高圧端子に接続され、高耐圧トランジスタ(HVT1)の制御端子は低耐圧トランジスタ(LVT1)の基準端子にコンデンサを介して接続されている。制御トランジスタ(CNT1)は、高圧端子が高耐圧トランジスタ(HVT1)の制御端子に接続され、基準端子が低耐圧トランジスタ(LVT1)の基準端子に接続され、制御端子が低耐圧トランジスタ(LVT1)の高圧端子に接続されている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
高耐圧トランジスタと低耐圧トランジスタと制御トランジスタとで構成された整流回路であって、
上記高耐圧トランジスタの基準端子は上記低耐圧トランジスタの高圧端子に接続され、
上記高耐圧トランジスタの制御端子は上記低耐圧トランジスタの基準端子にコンデンサを介して接続され、
上記制御トランジスタは、
高圧端子が上記高耐圧トランジスタの制御端子に接続され、
基準端子が上記低耐圧トランジスタの基準端子に接続され、
制御端子が上記低耐圧トランジスタの高圧端子に接続されている、整流回路。
続きを表示（約 180 文字）【請求項２】
上記コンデンサと上記制御トランジスタの高圧端子との間に抵抗が接続された請求項１記載の整流回路。
【請求項３】
上記制御トランジスタのしきい値電圧は、上記コンデンサの電圧から上記高耐圧トランジスタのしきい値を差引いた値よりも低い請求項１記載の整流回路。
【請求項４】
請求項１記載の整流回路を備えた電源装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
以下の開示は、整流回路および電源装置に関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
整流回路では、逆回復電流(reverse recovery current)によってスイッチング損失が発生する。このため逆回復電流を低減するための検討が進められている。特許文献１にその一例が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１６－２２０４６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
但し、このような整流回路を用いても、なおも改良の余地がある。
【０００５】
本明細書にて従来よりも損失が低減できる整流回路および電源装置を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る整流回路は、高耐圧トランジスタと低耐圧トランジスタと制御トランジスタとで構成された整流回路である。
上記高耐圧トランジスタの基準端子は、上記低耐圧トランジスタの高圧端子に接続される。
上記高耐圧トランジスタの制御端子は、上記低耐圧トランジスタの基準端子にコンデンサを介して接続される。
上記制御トランジスタは、高圧端子が上記高耐圧トランジスタの制御端子に接続され、基準端子が上記低耐圧トランジスタの基準端子に接続され、制御端子が上記低耐圧トランジスタの高圧端子に接続されている。
【０００７】
上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る電源装置は、上記整流回路を備えた電源装置である。
【発明の効果】
【０００８】
本開示によれば、従来よりも損失を低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本開示の整流回路の構成を示す図。
本開示の整流回路を適用した電源回路を示す図。
本開示の整流回路の逆回復電流削減効果を示す図。
本開示の整流回路を備えた電源装置を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
〔実施形態１〕
本明細書では、逆回復電流を削減できる整流回路を開示する。図の符号の記載例として整流回路ＲＣ１を、単にＲＣ１とも表記する。使用する略語は次の通りである。ＭＯＳはmetal-oxide-semiconductor field-effect transistorを示す。
（【００１１】以降は省略されています）

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