TOP
|
特許
|
意匠
|
商標
特許ウォッチ
Twitter
他の特許を見る
10個以上の画像は省略されています。
公開番号
2025071794
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-05-08
出願番号
2024184187
出願日
2024-10-18
発明の名称
イメージセンサ及びそれを含むイメージセンシング装置
出願人
三星電子株式会社
,
Samsung Electronics Co.,Ltd.
代理人
弁理士法人共生国際特許事務所
主分類
H10F
39/18 20250101AFI20250428BHJP()
要約
【課題】高ダイナミックレンジでdark signal non uniformityを改善したイメージセンサ及びイメージセンシング装置を提供する。
【解決手段】イメージセンサは、複数の単位ピクセルを含むピクセルアレイと、その周辺に配置され、単位ピクセルを駆動する駆動部と、を有し、単位ピクセルは、第1フォトダイオードLPD、LPDに接続される第1転送トランジスタTR1、第1転送トランジスタに接続される第1フローティングディフュージョンノードFD1及び第2フローティングディフュージョンノードFD2と接続される第1コンタクトを含む第1領域と、第2フォトダイオードSPD、SPDに接続される第2転送トランジスタTR7、メタル配線を介して第1コンタクトと電気的に接続する第2コンタクト及び第2転送トランジスタと第3フローティングディフュージョンノードFD3と接続する第3コンタクトを含む第2領域と、を備える。
【選択図】図3
特許請求の範囲
【請求項1】
複数の単位ピクセルを含むピクセルアレイと、
前記ピクセルアレイの周辺に配置され、前記単位ピクセルを駆動する駆動部と、を有し、
前記単位ピクセルは、
第1フォトダイオード、前記第1フォトダイオードに接続される第1転送トランジスタ、前記第1転送トランジスタに接続される第1フローティングディフュージョンノード、及び第2フローティングディフュージョンノードと接続される第1コンタクトを含む第1領域と、
第2フォトダイオード、前記第2フォトダイオードに接続される第2転送トランジスタ、接続メタル配線を介して前記第1コンタクトと電気的に接続される第2コンタクト、及び前記第2転送トランジスタに接続され第3フローティングディフュージョンノードに接続される第3コンタクトを含む第2領域と、を備えることを特徴とするイメージセンサ。
続きを表示(約 1,600 文字)
【請求項2】
前記第2領域は、前記第2コンタクトと第3コンタクトとの間に配置される接続トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
【請求項3】
前記単位ピクセルは、
前記第3コンタクトと第4フローティングディフュージョンノードとの間に接続されるメタルキャパシタと、
前記第4フローティングディフュージョンノードと第1電源供給ラインとの間に接続されるキャパシタ接続トランジスタと、をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載のイメージセンサ。
【請求項4】
前記駆動部は、
前記第2フォトダイオードのEIT(Effective Integration Time)の間、前記キャパシタ接続トランジスタをターンオンし、
リセット信号に応答して前記メタルキャパシタに蓄積された電荷を前記第1電源供給ラインにドレインすることを特徴とする請求項3に記載のイメージセンサ。
【請求項5】
前記第1領域は、
一端が前記第2フローティングディフュージョンノードに接続され、PDスイッチング制御信号に応答してターンオンされるPDスイッチングトランジスタと、
前記第2フローティングディフュージョンノードと第1電源供給ラインとの間に接続され、リセット信号に応答してターンオンされるリセットトランジスタと、
ゲートが前記第1フローティングディフュージョンノードに接続され、一端が前記第1電源供給ラインに接続されたソースフォロワトランジスタと、
前記ソースフォロワトランジスタの他端と出力信号ラインとの間に接続され、選択信号に応答してターンオンされる選択トランジスタと、を含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
【請求項6】
前記第1領域は、第4フローティングディフュージョンノードに接続される第4コンタクトをさらに含むことを特徴とする請求項5に記載のイメージセンサ。
【請求項7】
複数の単位ピクセルを含むピクセルアレイと、
前記単位ピクセルを駆動する駆動部と、を有し、
前記単位ピクセルは、
第1フォトダイオード、前記第1フォトダイオードに接続される第1転送トランジスタ、前記第1転送トランジスタに接続される第1フローティングディフュージョンノード、第2フローティングディフュージョンノードと接続される第1コンタクト、及び第2コンタクトを含む第1領域と、
第2フォトダイオード、前記第2フォトダイオードに接続される第2転送トランジスタ、及び前記第2コンタクトと共に第3フローティングディフュージョンノードに接続される第3コンタクトを含む第2領域と、を備えることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項8】
前記第1領域は、前記第1コンタクトと前記第2コンタクトとの間に配置される接続トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項7に記載のイメージセンサ。
【請求項9】
前記単位ピクセルは、
前記第3コンタクトと第4フローティングディフュージョンノードとの間に接続されるメタルキャパシタと、
前記第4フローティングディフュージョンノードと第1電源供給ラインとの間に接続されるキャパシタ接続トランジスタと、をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載のイメージセンサ。
【請求項10】
前記駆動部は、
前記第2フォトダイオードのEIT(Effective Integration Time)の間、前記キャパシタ接続トランジスタをターンオンし、
リセット信号に応答して前記第3フローティングディフュージョンノード及び前記メタルキャパシタに蓄積された電荷を前記第1電源供給ラインにドレインすることを特徴とする請求項9に記載のイメージセンサ。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、イメージセンサ及びそれを含むイメージセンシング装置に関し、特に、高ダイナミックレンジでDSNU(dark signal non uniformity)を改善したイメージセンサ及びそれを含むイメージセンシング装置に関する。
続きを表示(約 2,700 文字)
【背景技術】
【0002】
イメージセンシング装置(image sensing device)は、光学情報を電気信号に変換する半導体素子の一つである。
このようなイメージセンシング装置は、電荷結合型(Charge Coupled Device:CCD)イメージセンシング装置とシーモス型(Complementary Metal-Oxide Semiconductor:CMOS)イメージセンシング装置を含む。
CMOS型イメージセンサは、CIS(CMOS image sensor)と略称される。
CISは、2次元的に配列された複数のピクセルを備える。
ピクセルそれぞれは、例えば、フォトダイオード(photodiode:PD)を含む。
フォトダイオードは、入射する光を電気信号に変換する役割をする。
【0003】
近年、コンピュータ産業と通信産業の発達につれてデジタルカメラ、カムコーダ、スマートフォン、ゲーム機器、警備用カメラ、医療用マイクロカメラ、ロボット、車両など多様な分野で、性能が向上したイメージセンサの需要が増大している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明は上記従来のイメージセンサにおける課題に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、高ダイナミックレンジ(High Dynamic Range)でDSNU(dark signal non uniformity)を改善したイメージセンサ及び向上したイメージ品質を有するイメージセンシング装置を提供することにある。
【0005】
また、本発明の他の目的は、高ダイナミックレンジ(High Dynamic Range)でDSNU(dark signal non uniformity)を改善したイメージ品質を有するイメージセンサを備える車両を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記目的を達成するためになされた本発明によるイメージセンサは、複数の単位ピクセルを含むピクセルアレイと、前記ピクセルアレイの周辺に配置され、前記単位ピクセルを駆動する駆動部と、を有し、前記単位ピクセルは、第1フォトダイオード、前記第1フォトダイオードに接続される第1転送トランジスタ、前記第1転送トランジスタに接続される第1フローティングディフュージョンノード、及び第2フローティングディフュージョンノードと接続される第1コンタクトを含む第1領域と、第2フォトダイオード、前記第2フォトダイオードに接続される第2転送トランジスタ、接続メタル配線を介して前記第1コンタクトと電気的に接続される第2コンタクト、及び前記第2転送トランジスタに接続され第3フローティングディフュージョンノードに接続される第3コンタクトを含む第2領域と、を備えることを特徴とする。
【0007】
また、上記目的を達成するためになされた本発明によるイメージセンサは、複数の単位ピクセルを含むピクセルアレイと、前記単位ピクセルを駆動する駆動部と、を有し、前記単位ピクセルは、第1フォトダイオード、前記第1フォトダイオードに接続される第1転送トランジスタ、前記第1転送トランジスタに接続される第1フローティングディフュージョンノード、第2フローティングディフュージョンノードと接続される第1コンタクト、及び第2コンタクトを含む第1領域と、第2フォトダイオード、前記第2フォトダイオードに接続される第2転送トランジスタ、及び前記第2コンタクトと共に第3フローティングディフュージョンノードに接続される第3コンタクトを含む第2領域と、を備えることを特徴とする。
【0008】
上記目的を達成するためになされた本発明によるイメージセンシング装置は、複数の単位ピクセルを含むピクセルアレイと、前記ピクセルアレイの周辺に配置され、前記単位ピクセルを駆動する駆動部と、を有し、前記単位ピクセルは、第1フォトダイオードと第1フローティングディフュージョンノードとの間に接続される第1転送トランジスタと、前記第1フローティングディフュージョンノードと第2フローティングディフュージョンノードとの間に接続され、PDスイッチング制御信号に応答してターンオンされるPDスイッチングトランジスタと、第2フォトダイオードと第3フローティングディフュージョンノードとの間に接続される第2転送トランジスタと、前記第3フローティングディフュージョンノードと第4フローティングディフュージョンノードとの間に接続されるメタルキャパシタと、前記第4フローティングディフュージョンノードと第1電源供給ラインとの間に接続され、キャパシタ接続制御信号に応答してターンオンされるキャパシタ接続トランジスタと、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【0009】
本発明に係るイメージセンサ及びそれを含むイメージセンシング装置によれば、第1領域に配置される感度が大きいラージフォトダイオードと第2領域に配置される感度が小さいスモールフォトダイオードを含み、HDR性能を実現しながらもフリッカーイベントにより受ける影響は少なくすることができる。
また、メタルキャパシタをさらに含み、スモールフォトダイオードからオーバーフローされる電荷をメタルキャパシタに保存することによって、イメージセンサのHDR性能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
本発明の実施形態によるイメージセンシング装置の概略構成を示すブロック図である。
本発明の実施形態によるピクセルアレイの上面図である。
本発明の実施形態による単位ピクセルの回路図である。
図3の単位ピクセルの動作を説明するための信号図である。
本発明の実施形態による単位ピクセルを説明するための回路図である。
図5の単位ピクセルの配置を説明するための概念図である。
図6の単位ピクセルの配置を示すレイアウト図である。
本発明の実施形態による単位ピクセルを説明するための回路図である。
図8の単位ピクセルの配置を説明するための概念図である。
図9の単位ピクセルの配置を示すレイアウト図である。
本発明の実施形態によるイメージセンサを含む車両を示す図である。
【発明を実施するための形態】
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPatで参照する
関連特許
個人
集積回路の製造方法
25日前
学校法人東北学院
半導体装置
10日前
個人
高性能逆導通半導体装置
18日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
1か月前
日亜化学工業株式会社
発光装置
25日前
サンケン電気株式会社
半導体装置
18日前
富士電機株式会社
半導体装置
18日前
富士電機株式会社
半導体装置
19日前
三菱電機株式会社
半導体装置
26日前
三菱電機株式会社
半導体装置
25日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
1か月前
株式会社村田製作所
半導体装置
3日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光デバイス
18日前
日東電工株式会社
センサデバイス
26日前
株式会社カネカ
太陽電池モジュール
3日前
古河電気工業株式会社
熱電変換モジュール
21日前
ローム株式会社
半導体装置
20日前
株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置の作製方法
1か月前
ローム株式会社
半導体装置
18日前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法
10日前
ローム株式会社
半導体装置
10日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
1か月前
日亜化学工業株式会社
窒化物半導体発光素子
今日
日亜化学工業株式会社
窒化物半導体発光素子
1か月前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法
1か月前
日本特殊陶業株式会社
圧電素子
28日前
豊田合成株式会社
発光装置
25日前
豊田合成株式会社
発光装置
10日前
豊田合成株式会社
発光装置
25日前
日本放送協会
磁性細線メモリ
11日前
日本電気株式会社
超伝導デバイスおよびその製造方法
1か月前
東京エレクトロン株式会社
成膜方法及び半導体製造装置
28日前
株式会社カネカ
太陽電池の製造方法、および、太陽電池
4日前
富士電機株式会社
炭化珪素半導体装置
26日前
富士電機株式会社
炭化珪素半導体装置
26日前
日亜化学工業株式会社
発光装置及び発光装置の製造方法
1か月前
続きを見る
他の特許を見る