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公開番号2025045698
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-02
出願番号2023153676
出願日2023-09-20
発明の名称基板処理方法及び基板処理装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/205 20060101AFI20250326BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】凹部が形成された下地膜を有する基板に対し、凹部内にシリコン及び/又はゲルマニウムを含有する膜を形成する基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】凹部が形成された下地膜を有する基板に対し、前記凹部内にシリコン及び/又はゲルマニウムを含有する膜を形成する基板処理方法であって、(a)前記基板にシリコン及び/又はゲルマニウムを含有する第1成膜ガスを供給する工程と、(b)前記基板にシリコン及び/又はゲルマニウムを含有する第2成膜ガスとハロゲン含有ガスとを同時に供給する工程と、を有し、前記(a)の工程の後、前記(b)の工程を開始する時の前記凹部の開口幅は、10nm以下である、基板処理方法。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
凹部が形成された下地膜を有する基板に対し、前記凹部内にシリコン及び／又はゲルマニウムを含有する膜を形成する基板処理方法であって、
（ａ）前記基板にシリコン及び／又はゲルマニウムを含有する第１成膜ガスを供給する工程と、
（ｂ）前記基板にシリコン及び／又はゲルマニウムを含有する第２成膜ガスとハロゲン含有ガスとを同時に供給する工程と、を有し、
前記（ａ）の工程の後、前記（ｂ）の工程を開始する時の前記凹部の開口幅は、１０ｎｍ以下である、
基板処理方法。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
前記（ｂ）の工程において、
前記凹部の側壁頂部における成膜レートは、－０．１ｎｍ／ｍｉｎ～＋１．１ｎｍ／ｍｉｎの範囲内である、
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記（ａ）の工程は、第１のシリコン及び／又はゲルマニウムを含有する膜を形成して、前記凹部の開口幅を狭める工程であり、
前記（ｂ）の工程は、前記凹部に第２のシリコン及び／又はゲルマニウムを含有する膜を埋め込む工程である、
請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記下地膜は、
開口幅の異なる複数の前記凹部を有する、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記（ａ）の工程及び前記（ｂ）の工程を１サイクルとして、前記サイクルを繰り返し、前記開口幅の狭い前記凹部から順番に前記シリコン及び／又はゲルマニウムを含有する膜を埋め込む、
請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記下地膜は、シリコン酸化膜である、
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記第１成膜ガスは、ＳｉＨ
４
、Ｓｉ
２
Ｈ
６
、Ｓｉ
３
Ｈ
８
、Ｓｉ
４
Ｈ
１０
、ＳｉＨ
２
Ｃｌ
２
のいずれかのガスもしくはこれらの混合ガスであり、
前記第２成膜ガスは、ＳｉＨ
４
、Ｓｉ
２
Ｈ
６
、Ｓｉ
３
Ｈ
８
、Ｓｉ
４
Ｈ
１０
、ＳｉＨ
２
Ｃｌ
２
のいずれかのガスもしくはこれらの混合ガスであり、
前記ハロゲン含有ガスは、Ｃｌ
２
、ＨＢｒ、Ｆ
２
、ＨＩのいずれかのガスである、
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記第１成膜ガス及び前記第２成膜ガスは、同一のガスである、
請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
処理容器と、
前記処理容器内で基板を支持する基板支持部と、
前記処理容器内に、ガスを供給するガス供給部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
（ａ）凹部が形成された下地膜を有する基板にシリコン及び／又はゲルマニウムを含有する第１成膜ガスを供給する工程と、
（ｂ）前記基板にシリコン及び／又はゲルマニウムを含有する第２成膜ガスとハロゲン含有ガスとを同時に供給する工程と、を実行可能に構成され、
前記（ａ）の工程の後、前記（ｂ）の工程を開始する時の前記凹部の開口幅は、１０ｎｍ以下である、
基板処理装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、処理容器内に設置した被処理体に対して所定の成膜を行なう成膜方法において、成膜ガスを前記処理容器内に供給しつつＣＶＤにより前記被処理体の表面に成膜を行なう第１の成膜工程と、次に、エッチングガスを前記処理容器内に供給しつつ前記第１の成膜工程にて形成された成膜を僅かにエッチングするエッチング工程と、次に、前記第１の成膜工程と同じ成膜ガスを前記処理容器内に供給しつつＣＶＤにより前記被処理体の表面に成膜を行なう第２の成膜工程とを有することを特徴とする成膜方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開平１０－３２１５５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一の側面では、本開示は、凹部が形成された下地膜を有する基板に対し、凹部内にシリコン及び／又はゲルマニウムを含有する膜を形成する基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、凹部が形成された下地膜を有する基板に対し、前記凹部内にシリコン及び／又はゲルマニウムを含有する膜を形成する基板処理方法であって、（ａ）前記基板にシリコン及び／又はゲルマニウムを含有する第１成膜ガスを供給する工程と、（ｂ）前記基板にシリコン及び／又はゲルマニウムを含有する第２成膜ガスとハロゲン含有ガスとを同時に供給する工程と、を有し、前記（ａ）の工程の後、前記（ｂ）の工程を開始する時の前記凹部の開口幅は、１０ｎｍ以下である、基板処理方法が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、凹部が形成された下地膜を有する基板に対し、凹部内にシリコン及び／又はゲルマニウムを含有する膜を形成する基板処理方法及び基板処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
基板処理装置の構成例を示す概略図の一例。
第１実施形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャート。
第１実施形態に係る基板処理方法の各工程における基板表面の状態の一例を示す模式図。
第２実施形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャート。
第３実施形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャート。
第６実施形態に係る基板処理方法の各工程における基板表面の状態の一例を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【０００９】
〔基板処理装置〕
本実施例に係る基板処理装置１００について、図１を用いて説明する。図１は、基板処理装置１００の構成例を示す概略図の一例である。
【００１０】
図１に示されるように、基板処理装置１００は、処理容器１と、載置台２と、シャワーヘッド３と、排気部４と、ガス供給機構５と、ＲＦ電力供給部８と、制御部９とを有している。
（【００１１】以降は省略されています）

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