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公開番号
2025043250
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-03-28
出願番号
2024064321
出願日
2024-04-12
発明の名称
ポリイミド及びポリイミドフィルム
出願人
長春人造樹脂廠股分有限公司
,
CHANG CHUN PLASTICS CO., LTD.
,
国立台湾大学
,
National Taiwan University
代理人
主分類
C08G
73/10 20060101AFI20250321BHJP(有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物)
要約
【課題】プリント回路基板を調製するための絶縁材料としてのポリイミドを提供する。
【解決手段】ポリイミドは、二無水物から誘導される1つ又は複数の繰り返し単位と、ジアミンから誘導される1つ又は複数の繰り返し単位とを含む。減衰全反射(ATR)を用いたフーリエ変換赤外分光法(FTIR)を介して得られるポリイミドの赤外吸収スペクトルは、1753cm
-1
から1803cm
-1
の特徴的なピークA、1635cm
-1
から1752cm
-1
の特徴的なピークB、及び1160cm
-1
から1170cm
-1
以下の特徴的なピークCを有し、特徴的なピークAは特徴的なピーク面積aを有し、特徴的なピークBは特徴的なピーク面積bを有し、特徴的なピークCは特徴的なピーク面積cを有し、b/aが25.00以下であり、c/bが0.3000以上である。
【選択図】なし
特許請求の範囲
【請求項1】
二無水物から誘導される1つ又は複数の繰り返し単位と、ジアミンから誘導される1つ又は複数の繰り返し単位とを含むポリイミドであって、減衰全反射(ATR)を用いたフーリエ変換赤外分光法(FTIR)により得られるポリイミドの赤外吸収スペクトルが、1753cm
-1
から1803cm
-1
に特徴的なピークA、1635cm
-1
から1752cm
-1
に特徴的なピークB、及び1160cm
-1
から1170cm
-1
に特徴的なピークCを有し、前記特徴的なピークAが特徴的なピーク面積aを有し、前記特徴的なピークBが特徴的なピーク面積bを有し、前記特徴的なピークCが特徴的なピーク面積cを有し、b/aが25.00以下であり、c/bが0.3000以上である、ポリイミド。
続きを表示(約 670 文字)
【請求項2】
10.00≦b/a≦25.00である、請求項1に記載のポリイミド。
【請求項3】
10.00≦b/a≦18.50である、請求項2に記載のポリイミド。
【請求項4】
0.32≦c/b≦0.54である、請求項1に記載のポリイミド。
【請求項5】
0.34≦c/b≦0.52である、請求項4に記載のポリイミド。
【請求項6】
前記FTIRは、減衰全反射のための結晶としてZnSeを用い、走査範囲650cm
-1
から4000cm
-1
、及び走査回数8回で測定される、請求項1から5のいずれか一項に記載のポリイミド。
【請求項7】
前記ジアミンから誘導される1つ又は複数の繰り返し単位が、脂肪族ジアミンから誘導される繰り返し単位を含む、請求項1から5のいずれか一項に記載のポリイミド。
【請求項8】
前記ジアミンから誘導される1つ又は複数の繰り返し単位が、芳香族ジアミンから誘導される繰り返し単位をさらに含む、請求項7に記載のポリイミド。
【請求項9】
前記二無水物から誘導される1つ又は複数の繰り返し単位が、芳香族二無水物から誘導される繰り返し単位を含む、請求項1から5のいずれか一項に記載のポリイミド。
【請求項10】
ポリイミドの主鎖が、1つ又は複数のエステル基を含有する、請求項1から5のいずれか一項に記載のポリイミド。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本出願は、ポリイミドに関し、特に特定のフーリエ変換赤外スペクトル特性を有するポリイミドに関する。さらに、本出願はポリイミドフィルムに関する。
続きを表示(約 1,400 文字)
【背景技術】
【0002】
高速及び高周波伝送のために、プリント回路基板の製造に使用される絶縁材料は、低い誘電率(Dk)及び低い誘電正接(Df)を必要とする。典型的には、これらの誘電特性は、吸湿によって著しく劣化する可能性がある。しかし、プリント回路基板調製中のブラックオキサイド処理、水洗、及び乾燥のようなプロセスを考慮すると、プリント回路基板の絶縁材料は、水洗及び乾燥プロセス後でも良好な誘電特性を維持することが重要である。さらに、プリント回路基板製造中の剥離又はポップコーン問題のような問題を防ぐために、プリント回路基板の絶縁材料は、金属箔(例えば、銅箔)の熱膨張率(CTE)に適合すべきである。
【0003】
ポリイミドは、プリント回路基板を調製するための公知の絶縁材料である。しかし、現在のポリイミドには、低い誘電特性、高い吸水率、金属箔とのCTEの不一致、吸水後の誘電特性の大幅な劣化など、いくつかの問題がある。したがって、既存のポリイミドにはさらなる改良が必要である。
【発明の概要】
【0004】
上記を鑑み、本出願は、二無水物及びジアミンから誘導されるポリイミドを提供する。本出願のポリイミドは、優れた誘電特性、低い吸水率、及び金属箔のCTEと適合するCTEを示す。さらに、本出願のポリイミドの誘電特性は、吸水後も著しく劣化することがないため、プリント回路基板用の絶縁材料として特に好適である。
【0005】
本出願の目的は、二無水物から誘導される1つ又は複数の繰り返し単位及びジアミンから誘導される1つ又は複数の繰り返し単位を含むポリイミドであって、減衰全反射(ATR)を用いるフーリエ変換赤外分光法(FTIR)によって得られるポリイミドの赤外吸収スペクトルが、1753cm
-1
から1803cm
-1
の特徴的なピークA、1635cm
-1
から1752cm
-1
の特徴的なピークB、及び1160cm
-1
から1170cm
-1
の特徴的なピークCを有し、特徴的なピークAは特徴的なピーク面積aを有し、特徴的なピークBは特徴的なピーク面積bを有し、特徴的なピークCは特徴的なピーク面積cを有し、bのaに対する比、すなわちb/aは25.00以下であり、cのbに対する比、すなわちc/bは0.3000以上である、ポリイミドを提供することである。
【0006】
本出願のいくつかの実施形態では、10.00≦b/a≦25.00である。
【0007】
本出願のいくつかの実施形態では、10.00≦b/a≦18.50である。
【0008】
本出願のいくつかの実施形態では、0.32≦c/b≦0.54である。
【0009】
本出願のいくつかの実施形態では、0.34≦c/b≦0.52である。
【0010】
本出願のいくつかの実施形態では、FTIRは、減衰全反射のための結晶としてZnSeを用い、走査範囲650cm
-1
から4000cm
-1
、及び走査回数8回で測定される。
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPat(特許庁公式サイト)で参照する
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