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公開番号2025041673
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-26
出願番号2024212010,2022577124
出願日2024-12-05,2021-05-18
発明の名称堆積用途のための高温面板
出願人アプライドマテリアルズインコーポレイテッド,APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
代理人園田・小林弁理士法人
主分類C23C 16/455 20060101AFI20250318BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】処理チャンバ用の温度制御された面板を提供する。
【解決手段】面板が、貫通して形成された複数の開孔152を有する本体102を含む。加熱要素160が、本体内に配置され、複数の開孔を取り囲む。支持リングが、本体内に配置される。支持リングは、加熱要素を取り囲む。支持リングは、主たる本体、及び主たる本体から半径方向内向きに延在するカンチレバーを含む。カンチレバーは、面板の本体と接触する。
【選択図】図1A
特許請求の範囲【請求項１】
処理チャンバ用の面板であって、
貫通して形成された複数の開孔を有する本体、
前記本体内に配置された加熱要素であって、前記複数の開孔を取り囲む加熱要素、並びに
前記本体内に配置された支持リングであって、前記加熱要素を取り囲み、主たる本体、及び前記主たる本体から半径方向内向きに延在するカンチレバーを含み、前記カンチレバーは前記面板の前記本体と接触している、支持リングを備える、面板。
続きを表示（約 840 文字）【請求項２】
前記本体は、アルミニウムを含み、前記支持リングは、アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素、又はステンレス鋼を含む、請求項１に記載の面板。
【請求項３】
更に、前記カンチレバーの半径方向内面と前記面板の前記本体との間に、間隙が生成されている、請求項１に記載の面板。
【請求項４】
更に、前記カンチレバーの下面と前記面板の前記本体との間に、間隙が生成されている、請求項１に記載の面板。
【請求項５】
更に、前記支持リングの前記主たる本体の半径方向内面と前記面板の前記本体との間に、第１の間隙が生成され、前記主たる本体の上面と前記面板の前記本体との間に、第２の間隙が生成されている、請求項１に記載の面板。
【請求項６】
前記第１の間隙と前記第２の間隙は、各々、約０．１mmから５mmの範囲内である、請求項５に記載の面板。
【請求項７】
前記カンチレバーの厚さは、約８mmから２０mmの範囲内である、請求項１に記載の面板。
【請求項８】
前記本体は、第１の延在部及び第２の延在部を備え、前記第１の延在部と前記第２の延在部は、各々、前記本体の外面から半径方向外向きに延在し、前記第１の延在部と前記第２の延在部は、前記支持リングを受け入れるための凹部を共に画定する、請求項１に記載の面板。
【請求項９】
前記第１の延在部と前記第２の延在部の各々は、半径方向内縁部と比較して半径方向外縁部においてより大きな厚さを有する、請求項８に記載の面板。
【請求項１０】
前記第１の延在部と前記第２の延在部の各々の前記半径方向外縁部は、前記支持リングと接触し、前記第１の延在部と前記第２の延在部の各々の前記半径方向内縁部は、前記支持リングから間隔を空けられている、請求項９に記載の面板。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
[0001] 本開示の実施形態は、広くは、基板処理チャンバ内で使用される加熱された面板に関する。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
[0002] 集積回路の製造では、化学気相堆積（CVD：chemical vapor deposition）又は原子層堆積（ＡＬＤ：atomic layer deposition）といった堆積プロセスが、半導体基板上に様々な材料の膜を堆積させるために使用される。他の動作では、半導体デバイスなどの電子デバイスの様々な層を製造するために、エッチングなどの層変化プロセスが繰り返し使用される。
【０００３】
[0003] 欠陥のない半導体デバイスを製造することは、集積回路を組み立てるときに望ましく、改良されたデバイスの必要性が増し続けているので、そのようなデバイスを製造するための改良された方法及び装置の必要性も増し続けている。前駆体ガスなどの新しいプロセスで使用される化学物質は、そのようなプロセスを所定の仕様で実行するために、温度制御などのプロセス制御を強化することを常に必要とする。したがって、当該技術分野では、デバイスの製造及び処理のための強化された温度制御を提供し得るプロセスチャンバ構成要素が必要とされている。
【発明の概要】
【０００４】
[0004] 一実施形態では、処理チャンバ用の面板が、貫通して形成された複数の開孔を有する本体、本体内に配置された加熱要素であって、複数の開孔を取り囲む加熱要素、並びに、本体内に配置された支持リングであって、加熱要素を取り囲み、主たる本体、及び主たる本体から半径方向内向きに延在するカンチレバーを含み、カンチレバーは面板の本体と接触している、支持リングを備える。
【０００５】
[0005] 別の一実施形態では、処理チャンバ用の面板が、貫通して形成された複数の開孔を有する本体であって、第１の延在部と第２の延在部を備え、第１の延在部と第２の延在部の各々は、本体の外面から外向きに延在し、第１の延在部と第２の延在部は、凹部を共に画定し、第１の延在部と第２の延在部の各々は、半径方向内縁部と比較して半径方向外縁部においてより大きな厚さを有する、本体を備える。面板はまた、本体内に配置された加熱要素であって、複数の開孔を取り囲み、第１の延在部及び第２の延在部の半径方向内側に位置付けられた加熱要素も備える。面板は、本体の凹部内に配置された支持リングであって、主たる本体を備え、加熱要素を取り囲む支持リングを備える。第１の延在部と第２の延在部の各々の半径方向外縁部は、支持リングと接触し、第１の延在部と第２の延長部の各々の半径方向内縁部は、支持リングから間隔を空けられている。
【０００６】
[0006] 別の一実施形態では、プロセスチャンバが、チャンバ本体、チャンバ本体内に配置された基板支持体、並びにチャンバ本体上に配置された蓋アセンブリを備える。蓋アセンブリは、面板を備え、面板は、貫通して形成された複数の開孔を有する本体、本体内に配置された加熱要素であって、複数の開孔を取り囲む加熱要素、並びに、本体内に配置された支持リングであって、加熱要素を取り囲み、主たる本体、及び主たる本体から半径方向内向きに延在するカンチレバーを含み、カンチレバーは面板の本体と接触している、支持リングを備える。
【０００７】
[0007] 上述した本開示の特徴を詳細に理解できるように、一部が添付の図面に例示されている実施形態を参照しながら、上記に短く要約した本開示をより具体的に説明する。しかしながら、添付の図面は例示的な実施形態を示しているに過ぎず、したがって、その範囲を限定するものとみなされるべきではなく、本開示は他の同等に有効な実施形態を許容し得ることに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
[0008] 本開示の一実施形態によるプロセスチャンバの概略断面図を示す。
[0009] 図１Ａのプロセスチャンバの拡大部分図を示す。
[0010] 本開示の一実施形態による図１Ａ及び図１Ｂのプロセスチャンバ１００の拡大部分図を示す。特に、ブロッカプレート１３６及びチャンバ本体１０２の側壁１０４に隣接する面板１３８を示す。
[0011] 図２で描かれた面板の結合部の拡大図を示す。
[0012] 本開示の一実施形態による面板の温度を示す。
[0013] 本開示の別の一実施形態による面板アセンブリの図を示す。
[0014] 支持リングの一実施形態の斜視図を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[0015] 理解を容易にするために、可能な場合には、図面に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号が使用された。一実施形態の要素及び特徴は、更なる記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれ得ると考えられる。
【００１０】
[0016] 本開示の複数の実施形態は、広くは、プロセスチャンバ内のガス分配のための装置に関する。より具体的には、本開示の複数の態様は、金属面板に関する。面板は、結合部によって取り囲まれた分配部から形成された本体を有する。ヒータが、本体を高温に加熱するために、分配部内に配置されている。支持リングが、面板の結合部内に配置されている。カンチレバーが、支持リングから延在し、面板を支持するための荷重支持点を生成する。間隙が、支持リングと面板との間に配置されている。間隙は、サーマルチョークとして作用し、面板の分配部と結合部との間の熱伝達を制限する。
（【００１１】以降は省略されています）

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