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公開番号2025026909
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-26
出願番号2024197423,2023207051
出願日2024-11-12,2019-11-08
発明の名称基板支持器、及び、プラズマ処理装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/683 20060101AFI20250218BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板載置台と基板との間における放電を抑制する技術を提供する。
【解決手段】開示される基板支持器は、基台と、該基台上に配置される静電チャックと、を備える。静電チャックは、基台上に配置される積層体であり、該積層体は、上面及び側面を有し、該積層体は、第1の絶縁層と、第2の絶縁層と、該第1の絶縁層と該第2の絶縁層との間に配置される電極層とを含み、電極層は、第1の絶縁層及び第2の絶縁層の一方又は両方によって覆われる、積層体と、該積層体の上面及び側面を覆う第1の被覆層と、該第1の被覆層を覆い、セラミック材料を含む第2の被覆層と、を含む。
【選択図】図2

特許請求の範囲【請求項１】
基台と、
前記基台上に配置される静電チャックと、
を備え、
前記静電チャックは、
前記基台上に配置される積層体であり、前記積層体は、上面及び側面を有し、前記積層体は、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に配置される電極層とを含み、前記電極層は、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層の一方又は両方によって覆われる、該積層体と、
前記積層体の前記上面及び前記側面を覆う第１の被覆層と、
前記第１の被覆層を覆い、セラミック材料を含む第２の被覆層と、
を含む、基板支持器。
続きを表示（約 610 文字）【請求項２】
前記第１の被覆層は、前記積層体の前記側面を囲む環状部を有し、該環状部は前記基台に接する下面を有する、請求項１に記載の基板支持器。
【請求項３】
前記環状部は、前記下面の上に第１の傾斜面を有する、請求項２に記載の基板支持器。
【請求項４】
前記第２の被覆層は、前記第１の傾斜面に沿う第２の傾斜面を有する、請求項３に記載の基板支持器。
【請求項５】
前記第１の傾斜面は、前記下面に対して４５度以下傾斜している、請求項３に記載の基板支持器。
【請求項６】
前記環状部は、前記下面の上に第１の曲面を有する、請求項２に記載の基板支持器。
【請求項７】
前記第２の被覆層は、前記第１の曲面に沿う第２の曲面を有する、請求項６に記載の基板支持器。
【請求項８】
前記積層体は、前記第１の絶縁層と前記基台との間に設けられた第１の接着層を有する、請求項２に記載の基板支持器。
【請求項９】
前記積層体は、前記第２の絶縁層と前記第１の被覆層との間に設けられた第２の接着層を有する、請求項８に記載の基板支持器。
【請求項１０】
前記積層体は、前記第２の絶縁層と前記第１の被覆層との間に設けられた第２の接着層を有する、請求項１に記載の基板支持器。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示の例示的実施形態は、基板載置台、及び、基板処理装置に関する。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
載置台の上に載置された基板（ウエハ）は、静電チャックによって保持され得る。静電チャックは、静電気力によってウエハを載置台に静電吸着する。特許文献１に開示されている載置装置は、載置体と静電チャックとを備える。載置体は、被処理体が載置される。静電チャックは、絶縁層と、絶縁層に埋設された電極層とを備える。静電チャックでは、電極層に電圧が印加されることにより電極層と被処理体との間で静電気力が生じて、絶縁層の表面に被処理体が静電吸着される。電極層の表面側の絶縁層である静電チャック層は、プラズマ溶射により形成された200～280μmの厚さの酸化イットリウム溶射層である。静電チャック層の表面は、溶射される酸化イットリウムの粒径に依存した表面粗度に形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００８－１１７９８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、基板載置台と基板との間における放電を抑制する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
例示的実施形態において、基板支持器が提供される。基板支持器は、基台と、該基台上に配置される静電チャックと、を備える。静電チャックは、基台上に配置される積層体であり、該積層体は、上面及び側面を有し、該積層体は、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、該第１の絶縁層と該第２の絶縁層との間に配置される電極層とを含み、電極層は、第１の絶縁層及び第２の絶縁層の一方又は両方によって覆われる、積層体と、該積層体の上面及び側面を覆う第１の被覆層と、該第１の被覆層を覆い、セラミック材料を含む第２の被覆層と、を含む。
【発明の効果】
【０００６】
一つの例示的実施形態によれば、基板載置台と基板との間における放電を抑制する技術を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
例示的実施形態に係る基板載置台の構成の一例を示す図である。
図１に示す基板載置台の端部の構成の一例を示す図である。
図１に示す基板載置台の一部の構成の一例を示す図である。
図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。
図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。
図２～５の各々に示す被覆層の形成方法を説明するための図である。
図１に示す基板載置台が設けられた基板処理装置の構成の一例を示す図である。
図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。
図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。
図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。
図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。
図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。
図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。
図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。
図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。
図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。
図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。
図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。
図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。
図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。
図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。
図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。
図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。
図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、種々の例示的実施形態について説明する。例示的実施形態において、基板載置台が提供される。基板載置台は、基台と基台の上に設けられた静電チャックとを備える。静電チャックは、積層部、中間層、被覆層を備える。積層部は、基台の上に設けられる。中間層は、積層部の上に設けられる。被覆層は、中間層の上に設けられる。積層部は、第１の層、電極層、第２の層を備える。第１の層は、基台の上に設けられる。電極層は、第１の層上に設けられる。第２の層は、電極層上に設けられる。中間層は、第２の層と被覆層との間に設けられ、第２の層と被覆層とに密着している。第２の層は、樹脂層である。被覆層は、セラミックスである。このように、静電チャックの電極層上に設けられた第２の層は樹脂として比較的に高い絶縁耐性を有することが知られているので、所定の絶縁耐性を維持しつつ第２の層の厚みを十分に低減し得る。従って、静電チャックの合成静電容量が増大されて基板載置台に載置される基板と基台との間の電位が低減され得る。このため、比較的に低い周波数で基板載置台に電圧が印加された際に、電圧位相差が低減されることにより基板載置台と基板との間の放電の発生が抑制され得る。
【０００９】
例示的実施形態において、第１の層は、樹脂層である。
【００１０】
例示的実施形態において、基台は、本体部と基台の側面に設けられた側壁部とを備える。静電チャックは、本体部及び側壁部の上に配置される。第１の層及び第２の層の各々の径は、本体部の径よりも大きい。第１の層及び第２の層は、側壁部とオーバーラップするように基台の上に延在している。
（【００１１】以降は省略されています）

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