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公開番号2025023210
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-14
出願番号2024209904,2020147372
出願日2024-12-03,2020-09-02
発明の名称原料ガス供給システム
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人,個人,個人,個人,個人
主分類C23C 16/448 20060101AFI20250206BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】固体原料を気化して生成された原料ガスを処理装置に供給する原料ガス供給システムに、処理装置での処理に悪影響を及ぼすおそれがない形態で固体原料を補給することができるようにする。
【解決手段】固体原料を気化して生成された原料ガスを処理装置に供給する原料ガス供給システムであって、前記固体原料を気化して前記原料ガスを生成する気化装置と、前記固体原料が液中に分散した分散系を貯留する貯留容器から前記気化装置へ前記分散系を送出する送出機構と、前記気化装置内において、前記分散系から前記固体原料を分離する分離機構と、を備え、前記気化装置は、前記分散系を一時的に貯留し、前記分離機構は、前記気化装置に一時的に貯留された前記分散系の分散媒を蒸発させて前記固体原料を分離し、前記気化装置は、前記分散系を収容する棚を複数有し、前記棚は、上下方向に積層されている。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
固体原料を気化して生成された原料ガスを処理装置に供給する原料ガス供給システムであって、
前記固体原料を気化して前記原料ガスを生成する気化装置と、
前記固体原料が液中に分散した分散系を貯留する貯留容器から前記気化装置へ前記分散系を送出する送出機構と、
前記気化装置内において、前記分散系から前記固体原料を分離する分離機構と、
を備え、
前記気化装置は、前記分散系を一時的に貯留し、
前記分離機構は、前記気化装置に一時的に貯留された前記分散系の分散媒を蒸発させて前記固体原料を分離し、
前記気化装置は、前記分散系を収容する棚を複数有し、前記棚は、上下方向に積層されている、原料ガス供給システム。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、原料ガス供給システムに関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、原料容器内の固体原料を昇華させて得られた原料をキャリアガスと共に消費区域に供給する原料ガス供給装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１６－１９１１４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示にかかる技術は、固体原料を気化して生成された原料ガスを処理装置に供給する原料ガス供給システムから、高流量で原料ガスを供給する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様は、固体原料を気化して生成された原料ガスを処理装置に供給する原料ガス供給システムであって、前記固体原料を気化して前記原料ガスを生成する気化装置と、前記固体原料が液中に分散した分散系を貯留する貯留容器から前記気化装置へ前記分散系を送出する送出機構と、前記気化装置内において、前記分散系から前記固体原料を分離する分離機構と、を備え、前記気化装置は、前記分散系を一時的に貯留し、前記分離機構は、前記気化装置に一時的に貯留された前記分散系の分散媒を蒸発させて前記固体原料を分離し、前記気化装置は、前記分散系を収容する棚を複数有し、前記棚は、上下方向に積層されている。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、固体原料を気化して生成された原料ガスを処理装置に供給する原料ガス供給システムムから、高流量で原料ガスを供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
第１実施形態にかかる原料ガス供給システムの構成の概略を模式的に示すシステム構成図である。
気化装置の構成の概略を示す断面図である。
原料ガス供給システムを用いた原料ガス供給処理を含む成膜処理の一工程の説明図である。
原料ガス供給システムを用いた原料ガス供給処理を含む成膜処理の他の工程の説明図である。
原料ガス供給システムを用いた原料ガス供給処理を含む成膜処理の他の工程の説明図である。
原料ガス供給システムを用いた原料ガス供給処理を含む成膜処理の他の工程の説明図である。
気化装置の他の例を示す図である。
気化装置の他の例を示す図である。
気化装置の他の例の一部を破断して示す斜視図である。
図９の気化装置のトレイアセンブリの第１部材を示す斜視図である。
図９の気化装置のトレイアセンブリの第２部材を示す斜視図である。
第２実施形態にかかる原料ガス供給システムの一部を模式的に示す図である。
第３実施形態にかかる原料ガス供給システムの一部を模式的に示す図である。
第４実施形態にかかる原料ガス供給システムの構成の概略を模式的に示すシステム構成図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
例えば、半導体デバイスの製造工程では、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）等の基板に対して、金属膜等の所望の膜を形成する成膜処理等の各種処理が繰り返し行われ、これにより、ウェハ上に所望の半導体デバイスが製造される。
【０００９】
ところで、成膜処理では、固体原料を加熱して気化させ、原料ガスとすることがある。
例えば、特許文献１には、原料容器にて固体原料を昇華させると共に、原料容器にキャリアガス導入路からキャリアガスを吐出し、昇華した原料をキャリアガスと共に原料ガス流路にて成膜処理部に供給する原料ガス供給装置が開示されている。この原料ガス供給装置では、原料容器内の固体原料の残量が少なくなると、原料容器の交換により原料の補給が行われる。
【００１０】
このように原料容器で固体原料を昇華させ成膜装置に供給する場合、通常、成膜装置の近傍に原料容器が設置される。しかし、前述のように原料容器の交換により原料容器に原料を補給する方法では、成膜装置の近傍に原料容器が設置されていると、交換作業が成膜処理に悪影響を及ぼすおそれがある。
（【００１１】以降は省略されています）

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