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公開番号2024180415
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-26
出願番号2024175434,2022530889
出願日2024-10-07,2020-12-02
発明の名称無線周波数支援プラズマ生成におけるインピーダンス変換
出願人ラムリサーチコーポレーション,LAM RESEARCH CORPORATION
代理人弁理士法人明成国際特許事務所
主分類H05H 1/46 20060101AFI20241219BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【解決手段】信号をデバイスに提供するための装置は、1つまたは複数の無線周波数信号発生器と、1つまたは複数のRF信号発生器からの信号を製作チャンバに結合する電気的に小さい伝送線路とを含むことができる。装置は、電気的に小さい伝送線路のインピーダンスを比較的高いインピーダンス感度の領域から比較的低いインピーダンス感度の領域に変換するリアクティブ回路をさらに含み得る。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
信号をデバイスに提供するための装置であって、
１つまたは複数の無線周波数（ＲＦ）信号発生器と、
前記ＲＦ信号発生器の１つまたは複数からの信号を製作チャンバに結合する１つまたは複数の電気的に小さい伝送線路と、
前記電気的に小さい伝送線路の各々のインピーダンスを、第１のインピーダンス感度を有する領域から第２のインピーダンス感度を有する領域に変換するリアクティブ回路と
を備える、装置。
続きを表示（約 930 文字）【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記リアクティブ回路は、少なくとも直列リアクタンスを備える、装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置であって、
前記リアクティブ回路は、少なくともシャントサセプタンスを備える、装置。
【請求項４】
請求項１に記載の装置であって、
前記リアクティブ回路は、少なくとも直列リアクタンスおよびシャントサセプタンスを備える、装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置であって、
比較的高いインピーダンス感度の領域は、インピーダンス空間内の領域に対応し、前記インピーダンスの実数部は、約１００オームよりも大きい値に対応する、装置。
【請求項６】
請求項１に記載の装置であって、
比較的低いインピーダンス感度の領域は、インピーダンス空間内の領域に対応し、前記インピーダンスの前記実数部は、約１００オーム未満の値に対応する、装置。
【請求項７】
請求項１に記載の装置であって、
前記インピーダンスを変換する前記リアクティブ回路は、前記ＲＦ信号発生器の１つまたは複数からの前記信号の周波数よりも低い任意の周波数での共振伝送線路の可能性を回避する、装置。
【請求項８】
請求項１に記載の装置であって、
前記電気的に小さい伝送線路は、前記伝送線路の媒体において前記ＲＦ信号発生器によって生成された前記信号の前記周波数よりも低い周波数で伝送線路共振を通過することなく、インピーダンスを前記比較的高いインピーダンス感度の領域から前記比較的低いインピーダンス感度の領域に変換する伝送線路に対応する、装置。
【請求項９】
請求項１に記載の装置であって、
前記リアクティブ回路の損失と組み合わされた前記電気的に小さい伝送線路の抵抗損失は、約２０％未満に相当する、装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の装置であって、
前記電気的に小さい伝送線路の前記抵抗損失は、１０％未満に相当する、装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
参照による援用
本出願の一部として、本明細書と同時にＰＣＴ出願願書が提出される。この同時出願されたＰＣＴ出願願書に明記され、本出願が利益または優先権を主張する各出願は、参照によりその全体があらゆる目的で本明細書に組み込まれる。
続きを表示（約 2,700 文字）【背景技術】
【０００２】
本明細書に含まれる背景および状況の説明は、本開示の内容を概ね提示することのみを目的として提供される。本開示の多くは発明者らによる研究を提示し、そのような研究が背景技術のセクションで説明されているか、または本明細書の他の場所で文脈として提示されているという理由だけで、そのような研究が先行技術であると認められることを意味しない。
【０００３】
集積回路を形成するために利用される半導体ウエハの製作は、多数の多様な処理ステップを含み得る。様々な材料が半導体ウエハ上に堆積された後に発生し得る特定の処理ステップでは、金属などの追加の材料が堆積されることを可能にするために材料がエッチング除去され得る。そのような堆積は、導電性トレース、トランジスタゲート、ビア、回路要素などの形成を伴う場合がある。しかし、少なくともいくつかの例では、プラズマベースのエッチング、プラズマ強化原子層堆積、または他のプロセスを伴うものなどの半導体製作プロセス、制御不可能なプロセス変動は、より低い歩留まり、コスト、半導体レイアウトおよびマスクの再設計などをもたらす可能性がある。場合によっては、そのような制御不可能なプロセス変動は、プラズマを形成するために利用される製作チャンバに結合されたエネルギーの変動に応じてもたらされることがある。したがって、プラズマベースのウエハエッチングおよび／もしくはプラズマ強化原子層堆積、または他の製作プロセスにおける制御を向上させる技術は、引き続き活発な調査領域である。
【発明の概要】
【０００４】
一態様では、信号をデバイスに提供するための装置が提供され、装置は、１つまたは複数の無線周波数（ＲＦ）信号発生器と、ＲＦ信号発生器の１つまたは複数からの信号を製作チャンバに結合する１つまたは複数の電気的に小さい伝送線路（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ－ｓｍａｌｌｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｌｉｎｅ）と、電気的に小さい伝送線路の各々のインピーダンスを、第１のインピーダンス感度を有する領域から第２のインピーダンス感度を有する領域に変換するリアクティブ回路とを含む。
【０００５】
いくつかの態様では、リアクティブ回路は、少なくとも直列リアクタンスを含む。いくつかの態様では、リアクティブ回路は、少なくともシャントサセプタンスを含む。いくつかの態様では、リアクティブ回路は、少なくとも直列リアクタンスおよびシャントサセプタンスを含む。いくつかの態様では、比較的高いインピーダンス感度の領域は、インピーダンス空間内の領域に対応し、インピーダンスの実数部は、約１００オームよりも大きい値に対応する。いくつかの態様では、比較的低いインピーダンス感度の領域は、インピーダンス空間内の領域に対応し、インピーダンスの実数部は、約１００オーム未満の値に対応する。いくつかの態様では、インピーダンスを変換するリアクティブ回路は、ＲＦ信号発生器の１つまたは複数からの信号の周波数よりも低い任意の周波数での共振伝送線路の可能性を回避する。いくつかの態様では、電気的に小さい伝送線路は、伝送線路の媒体においてＲＦ信号発生器によって生成された信号の周波数よりも低い周波数で伝送線路共振を通過することなく、インピーダンスを比較的高いインピーダンス感度の領域から比較的低いインピーダンス感度の領域に変換する伝送線路に対応する。いくつかの態様では、リアクティブ回路の損失と組み合わされた電気的に小さい伝送線路の抵抗損失は、約２０％未満に相当する。いくつかの態様では、電気的に小さい伝送線路の抵抗損失は、１０％未満に相当する。
【０００６】
別の態様では、装置が提供され、装置は、ＲＦ信号発生器の１つまたは複数からの信号を製作チャンバに結合する電気的に小さい伝送線路と、電気的に小さい伝送線路のインピーダンスを比較的高いインピーダンス感度の領域から比較的低いインピーダンス感度の領域に変換するリアクティブ回路であって、リアクティブ回路は、ある長さの伝送線路によって移動される方向とは反対の方向にインピーダンス制御点を移動させるように動作するリアクティブ回路とを含む。
【０００７】
いくつかの態様では、電気的に小さい伝送線路は、伝送線路の媒体においてＲＦ信号発生器によって生成された信号の周波数よりも低い周波数で伝送線路共振を通過することなく、インピーダンス制御点を比較的高いインピーダンス感度の領域から比較的低いインピーダンス感度の領域に移動させる伝送線路に対応する。いくつかの態様では、リアクティブ回路は、直列容量性リアクタンスを含む。いくつかの態様では、リアクティブ回路は、少なくともシャント誘導性サセプタンスを含む。いくつかの態様では、リアクティブ回路は、直列容量性リアクタンスおよびシャント誘導性サセプタンスを含む。いくつかの態様では、リアクティブ回路の損失と組み合わされた電気的に小さい伝送線路の抵抗損失は、約２０％未満に相当する。いくつかの態様では、電気的に小さい伝送線路の抵抗損失は、１０％未満に相当する。
【０００８】
別の態様では、集積回路製作チャンバが提供され、集積回路製作チャンバは、複数の集積回路製作ステーションと、無線周波数（ＲＦ）信号を複数の集積回路製作ステーションの少なくとも１つに結合するための１つまたは複数の入力ポートと、ＲＦ信号発生器の１つまたは複数からの信号を製作チャンバに結合する電気的に小さい伝送線路と、電気的に小さい伝送線路のインピーダンスを比較的高いインピーダンス感度の領域から比較的低いインピーダンス感度の領域に変換するリアクティブ回路とを含む。
【０００９】
いくつかの態様では、比較的高いインピーダンス感度の領域は、インピーダンス空間内の領域に対応し、インピーダンスの実数部は、約１００オームよりも大きい値に対応する。いくつかの態様では、比較的低いインピーダンス感度の領域は、インピーダンス空間内の領域に対応し、インピーダンスの実数部は、約１００オーム未満の値に対応する。いくつかの態様では、第１のインピーダンス感度を有する領域は、低インピーダンス感度を有する領域に対応し、第２のインピーダンス感度を有する領域は、高インピーダンス感度を有する領域に対応する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
図１は、任意の数のプロセスを利用して半導体基板上に膜を堆積するための基板処理装置を示す図である。
（【００１１】以降は省略されています）

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