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公開番号2024170027
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-06
出願番号2023086942
出願日2023-05-26
発明の名称画像読取装置及び画像形成装置
出願人シャープ株式会社
代理人弁理士法人あーく事務所
主分類H04N 1/191 20060101AFI20241129BHJP(電気通信技術)
要約【課題】形成される画像において電子部品配置箇所付近での画像と電子部品配置箇所から離れた箇所での画像とで濃度ムラの発生を抑制することができる画像読取装置及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】画像読取装置400は、原稿Gを読み取るにあたり、電子部品(213)への電力供給が停止された電力供給停止状態で原稿Gを画像読取位置(R1,R2)に向けて搬送し、原稿Gを画像読取位置(R1,R2)で読み取る前に、電子部品(213)に電力が供給された電力供給状態にし、電力供給状態で原稿Gを画像読取位置(R1,R2)で読み取り、原稿Gを画像読取位置(R1,R2)で読み取った後に、電力供給停止状態にする。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
基板に複数の読取素子及び電子部品が設けられた画像読取センサ部を備え、原稿を前記画像読取センサ部による画像読取位置に向けて搬送し、前記画像読取位置に搬送した前記原稿を前記画像読取センサ部にて読み取る画像読取装置であって、
前記画像読取センサ部における前記電子部品への電力の供給を制御する電力供給制御手段を備え、
前記原稿を読み取るにあたり、
前記電力供給制御手段にて前記電子部品への電力供給が停止された電力供給停止状態で前記原稿を前記画像読取位置に向けて搬送し、
前記原稿を前記画像読取位置で読み取る前に、前記電力供給制御手段にて前記電子部品に電力が供給された電力供給状態にし、前記電力供給状態で前記原稿を前記画像読取位置で読み取り、
前記原稿を前記画像読取位置で読み取った後に、前記電力供給停止状態にする、ことを特徴とする画像読取装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
請求項１に記載の画像読取装置であって、
１枚目の前記原稿を読み取るにあたり、前記電力供給状態にし、前記電力供給状態でシェーディング補正を実行し、
前記シェーディング補正を実行した後に、１枚目の前記原稿を前記画像読取位置で読み取り、
１枚目の前記原稿を前記画像読取位置で読み取った後に、前記電力供給停止状態にする、ことを特徴とする画像読取装置。
【請求項３】
請求項２に記載の画像読取装置であって、
１枚目の前記原稿を前記画像読取位置へ搬送する搬送処理と、前記シェーディング補正を実行する補正処理とを並行処理する、ことを特徴とする画像読取装置。
【請求項４】
請求項１に記載の画像読取装置であって、
当該画像読取装置を起動したときに、前記電力供給状態にし、前記電力供給状態でシェーディング補正を実行し、
前記シェーディング補正を実行した後に、前記電力供給停止状態にする、ことを特徴とする画像読取装置。
【請求項５】
請求項１に記載の画像読取装置であって、
前記原稿が搬送される原稿搬送路に設けられた原稿検知部を用いて検知した、前記原稿を前記画像読取位置で読み取る前のタイミング検知、及び、前記原稿を前記画像読取位置で読み取った後のタイミング検知に基づいて前記電力供給状態又は前記電力供給停止状態にする、ことを特徴とする画像読取装置。
【請求項６】
請求項１に記載の画像読取装置であって、
前記画像読取センサ部は、前記基板の、前記複数の読取素子が配置された読取素子配置側の面において、前記複数の読取素子が主走査方向に並設された領域である読取素子領域を有する密着型イメージセンサ部である、ことを特徴とする画像読取装置。
【請求項７】
請求項６に記載の画像読取装置であって、
前記電子部品は、前記画像読取センサ部における前記基板の前記読取素子配置側の面とは反対側の反対側の面において前記読取素子領域に対応する読取素子対応領域上又は前記読取素子対応領域の近傍の所定の電子部品配置箇所に設けられている、ことを特徴とする画像読取装置。
【請求項８】
請求項１に記載の画像読取装置であって、
前記電子部品は、半導体ＩＣチップである、ことを特徴とする画像読取装置。
【請求項９】
請求項１から請求項７までの何れか１項に記載の画像読取装置を備えた、ことを特徴とする画像形成装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板に複数の読取素子及び電子部品が設けられた画像読取センサ部を備えた画像読取装置、及び、複写機、複合機等の画像形成装置に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
画像読取装置として、例えば、基板に複数の読取素子及び電子部品が設けられた画像読取センサ部を備え、原稿を画像読取センサ部による画像読取位置に向けて搬送し、画像読取位置に搬送した原稿を画像読取センサ部にて読み取るものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
２０１０－２８３４３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような画像読取装置では、大量の原稿を連続的に読み取ると、画像読取センサ部の連続使用で画像読取センサ部の温度が上昇し、形成される画像に濃度ムラが発生するという不都合がある。
【０００５】
これについて、例えば、画像読取センサ部として、密着型イメージセンサ部を用い、電子部品として、半導体ＩＣチップを用いる場合を例にとって以下に説明する。
【０００６】
図１３は、画像読取ユニット２２０の一例の内部構成を模式的に示す正面図である。図１４Ａは、画像読取センサ部２１０の一例を主走査方向Ｘの一方側から視た正面図である。図１４Ｂは、画像読取センサ部２１０の一例を基板２１１の読取素子配置側の面２１１ａ側から視た平面図である。また、図１５Ａは、シェーディング補正を行う前の初期において光源２２１，２２１が発光していないときの画像読取センサ部２１０における読取素子部２１２の各出力値を示すグラフである。図１５Ｂは、シェーディング補正前に複数の原稿Ｇ～Ｇを連続して読み取った温度上昇後において光源２２１，２２１が発光していないときでの画像読取センサ部２１０における読取素子部２１２の各出力値を示すグラフである。
【０００７】
図１３に示すように、画像読取ユニット２２０は、光源２２１，２２１と、集光レンズアレイ２２２と、画像読取センサ部２１０と、を備えている。画像読取ユニット２２０は、光源２２１，２２１から出射した出射光Ｌａ，Ｌａを原稿Ｇに照射し、原稿Ｇから反射した反射光Ｌｂを読取素子部２１２で集光レンズアレイ２２２を介して読み取る。集光レンズアレイ２２２は、原稿Ｇから反射した反射光Ｌｂ（画像光）を画像読取センサ部２１０における読取素子部２１２に集光する。画像読取センサ部２１０は、集光レンズアレイ２２２を通じて読取素子部２１２で受光した反射光Ｌｂを光電変換して画像データを出力する。読取素子部２１２は、主走査方向Ｘに沿って基板２１１に並設された複数の読取素子２１２ａ～２１２ａから構成されている。
【０００８】
図１３から図１４Ｂに示すように、画像読取センサ部２１０は、基板２１１の複数の読取素子２１２ａ～２１２ａが配置された読取素子配置側の面２１１ａにおいて複数の読取素子２１２ａ～２１２ａが主走査方向Ｘに並設された領域である読取素子領域α（図１４Ｂ参照）を有している。基板２１１に設けられる電子部品は、この例では、半導体ＩＣチップ２１３とされている。半導体ＩＣチップ２１３は、例えば、画像読取センサ部２１０における基板２１１の読取素子配置側の面２１１ａとは反対側の反対側の面２１１ｂにおいて読取素子領域αに対応する読取素子対応領域β（図１４Ｂ参照）上又は読取素子対応領域βの近傍の所定の電子部品配置箇所βａ（図１４Ｂ参照）に設けられることがある。この例では、半導体ＩＣチップ２１３は、読取素子対応領域β上の電子部品配置箇所βａに設けられ、半導体ＩＣチップ２１３には放熱部材２１４（放熱パッド）（図１４Ａ参照）が設けられている。
【０００９】
このような画像読取センサ部２１０では、図１５Ａに示すように、シェーディング補正前の初期において光源２２１，２２１が発光していないときでは、読取素子２１２ａ～２１２ａの各出力値を示す。
【００１０】
これに対し、シェーディング補正後であっても、複数の原稿Ｇ～Ｇ（例えば１００枚を超えるような大量の原稿）を連続して読み取ると、基板２１１における半導体ＩＣチップ２１３の温度が上昇する。その結果、画像読取センサ部２１０における基板２１１の反対側の面２１１ｂにおいて読取素子対応領域βのうちの電子部品配置箇所βａの温度がそれ以外の領域βｂよりも上昇し、電子部品配置箇所βａ付近の読取素子２１２ａ～２１２ａの温度がそれ以外の領域βｂ，βｂの読取素子２１２ａ～２１２ａ，２１２ａ～２１２ａの温度よりも高くなる。そうすると、光源２２１，２２１が発光していないときでの読取素子２１２ａ～２１２ａの各出力値（図１５Ａ参照）が、図１５Ｂに示すように、変動してしまう。このため、形成される画像において電子部品配置箇所βａ付近での画像と電子部品配置箇所βａから離れた箇所での画像とで濃度ムラが発生する。
（【００１１】以降は省略されています）

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