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公開番号2024169305
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-05
出願番号2024037474
出願日2024-03-11
発明の名称半導体装置
出願人富士電機株式会社
代理人弁理士法人RYUKA国際特許事務所
主分類H01L 29/78 20060101AFI20241128BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体装置の飽和電流およびオン電圧等の特性を向上する。
【解決手段】半導体基板の前記上面において第1方向に長手を有するゲートトレンチ部と、前記半導体基板において前記上面に露出して設けられ、前記ゲートトレンチ部に接しており、且つ、前記第1方向の長さが、前記第1方向と直交する第2方向の長さよりも長い、第1導電型のエミッタ領域と、前記エミッタ領域と前記ドリフト領域との間に設けられ、且つ、前記ゲートトレンチ部に接している、第2導電型のベース領域と、前記半導体基板の前記上面の上方に設けられたエミッタ電極と、前記エミッタ領域と前記エミッタ電極との間に設けられた抵抗部とを備える半導体装置を提供する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
上面および下面を有し、第１導電型のドリフト領域が設けられた半導体基板を備える半導体装置であって、
前記半導体基板の前記上面において第１方向に長手を有するゲートトレンチ部と、
前記半導体基板において前記上面に露出して設けられ、前記ゲートトレンチ部に接しており、且つ、前記第１方向の長さが、前記第１方向と直交する第２方向の長さよりも長い、第１導電型のエミッタ領域と、
前記エミッタ領域と前記ドリフト領域との間に設けられ、且つ、前記ゲートトレンチ部に接している、第２導電型のベース領域と、
前記半導体基板の前記上面の上方に設けられたエミッタ電極と、
前記エミッタ領域の下端と前記エミッタ電極との間に設けられた抵抗部と
を備える半導体装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記抵抗部は、前記エミッタ領域と前記エミッタ電極との間に設けられている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記抵抗部は、前記第１方向の長さが、前記第１方向と直交する第２方向の長さよりも長い
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記エミッタ領域の全体が、前記抵抗部に覆われている
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体基板において前記上面に露出して設けられ、且つ、前記上面において前記エミッタ領域に接して設けられた、第２導電型のコンタクト領域を更に備え、
前記抵抗部は、前記コンタクト領域の少なくとも一部を覆わないように配置されている
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体基板の前記上面において第１方向に長手を有するダミートレンチ部を更に備え、
前記半導体基板の前記上面において前記コンタクト領域は前記ダミートレンチ部と接しており、
前記抵抗部は、前記コンタクト領域と前記ダミートレンチ部との境界部分を覆わないように配置されている
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２方向において、前記ゲートトレンチ部と並んで配置され、前記第１方向に長手を有する１つ以上のトレンチ部を更に備え、
前記抵抗部は、前記ゲートトレンチ部および前記エミッタ領域の前記第２方向における全体と重なり、且つ、前記ゲートトレンチ部の隣りの前記トレンチ部と重ならないように配置されている
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１方向において、複数の前記エミッタ領域が離散して配置されており、
前記第１方向において、複数の前記抵抗部が離散して配置されている
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１方向において、複数の前記エミッタ領域が離散して配置されており、
前記第１方向において、２つ以上の前記エミッタ領域に跨って、前記抵抗部が連続して配置されている
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記抵抗部は、ポリシリコン抵抗部である
請求項２から９のいずれか一項に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、ＩＧＢＴ（ＩｎｓｕｌａｔｅｄＧａｔｅＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の半導体装置において、エミッタ領域の配置等を変更し、特性を調整する技術が知られている（例えば、特許文献１－３参照）。
特許文献１特開２００８－９１４９１号公報
特許文献２特開平１０－１７３１７０号公報
特許文献３特開平９－２８３７５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体装置においては、飽和電流およびオン電圧等の特性を向上することが好ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記課題を解決するために、本発明の第１の態様においては、上面および下面を有し、第１導電型のドリフト領域が設けられた半導体基板を備える半導体装置を提供する。上記半導体装置は、前記半導体基板の前記上面において第１方向に長手を有するゲートトレンチ部を備えてよい。上記何れかの半導体装置は、前記半導体基板において前記上面に露出して設けられ、前記ゲートトレンチ部に接しており、且つ、前記第１方向の長さが、前記第１方向と直交する第２方向の長さよりも長い、第１導電型のエミッタ領域を備えてよい。上記何れかの半導体装置は、前記エミッタ領域と前記ドリフト領域との間に設けられ、且つ、前記ゲートトレンチ部に接している、第２導電型のベース領域を備えてよい。上記何れかの半導体装置は、前記半導体基板の前記上面の上方に設けられたエミッタ電極を備えてよい。上記何れかの半導体装置は、前記エミッタ領域の下端と前記エミッタ電極との間に設けられた抵抗部を備えてよい。
【０００５】
上記何れかの半導体装置において前記抵抗部は、前記エミッタ領域と前記エミッタ電極との間に設けられていてよい。
【０００６】
上記何れかの半導体装置において、前記抵抗部は、前記第１方向の長さが、前記第１方向と直交する第２方向の長さよりも長くてよい。
【０００７】
上記何れかの半導体装置において、前記エミッタ領域の全体が、前記抵抗部に覆われていてよい。
【０００８】
上記何れかの半導体装置は、前記半導体基板において前記上面に露出して設けられ、且つ、前記上面において前記エミッタ領域に接して設けられた、第２導電型のコンタクト領域を備えてよい。上記何れかの半導体装置において、前記抵抗部は、前記コンタクト領域の少なくとも一部を覆わないように配置されていてよい。
【０００９】
上記何れかの半導体装置は、前記半導体基板の前記上面において第１方向に長手を有するダミートレンチ部を備えてよい。上記何れかの半導体装置において、前記半導体基板の前記上面において前記コンタクト領域は前記ダミートレンチ部と接していてよい。上記何れかの半導体装置において、前記抵抗部は、前記コンタクト領域と前記ダミートレンチ部との境界部分を覆わないように配置されていてよい。
【００１０】
上記何れかの半導体装置は、前記第２方向において、前記ゲートトレンチ部と並んで配置され、前記第１方向に長手を有する１つ以上のトレンチ部を備えてよい。上記何れかの半導体装置において、前記抵抗部は、前記ゲートトレンチ部および前記エミッタ領域の前記第２方向における全体と重なり、且つ、前記ゲートトレンチ部の隣りの前記トレンチ部と重ならないように配置されていてよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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