特許ウォッチ

公開番号2024167623
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-04
出願番号2023083828
出願日2023-05-22
発明の名称ウエーハ処理装置及びウエーハ処理方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 21/683 20060101AFI20241127BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】サポート基板を用いずにウエーハを適切に処理することを可能にする。
【解決手段】ウエーハ処理装置100は、表面にデバイス領域と、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域と、を有するウエーハ10を処理するウエーハ処理装置100であって、外周余剰領域を表面側と裏面側とから挟持する保持部110と、保持部110を収容し、保持部110に保持されたウエーハ10によって上室121と下室122とに区画される真空容器120と、上室121と下室122とを減圧するとともに、下室122を上室121に対して陽圧にして自重によるウエーハ10の撓みを相殺する減圧ユニット130と、真空容器120内に配置され、ウエーハ10に所定の処理をする処理ユニット140と、を備える。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
表面にデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域と、を有するウエーハを処理するウエーハ処理装置であって、
該外周余剰領域を表面側と裏面側とから挟持する保持部と、
該保持部を収容し、該保持部に保持されたウエーハによって上室と下室とに区画される真空容器と、
該上室と該下室とを減圧するとともに、該下室を該上室に対して陽圧にして自重によるウエーハの撓みを相殺する減圧ユニットと、
該真空容器内に配置され、ウエーハに所定の処理をする処理ユニットと、
を備えるウエーハ処理装置。
続きを表示（約 670 文字）【請求項２】
該処理ユニットは、該デバイス領域に対応するウエーハの裏面側に金属膜を形成する請求項１に記載のウエーハ処理装置。
【請求項３】
該ウエーハは、該デバイス領域に凹部が形成され、該外周余剰領域に該凹部を囲繞する環状凸部が形成されている請求項１または２に記載のウエーハ処理装置。
【請求項４】
表面にデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域と、を有するウエーハを処理するウエーハ処理方法であって、
該外周余剰領域を表面側と裏面側とから挟持する保持部を有する真空容器を準備する真空容器準備ステップと、
該保持部によって該ウエーハを保持する保持ステップと、
該保持部に保持された該ウエーハによって、該真空容器を上室と下室とに区画する区画ステップと、
該上室と該下室とを減圧するとともに、該下室を該上室に対して陽圧にして、自重による該ウエーハの撓みを相殺する減圧ステップと、
該減圧ステップの後に、該真空容器に設置された処理ユニットによって該ウエーハに所定の処理をする処理ステップと、
を備えるウエーハ処理方法。
【請求項５】
該処理ステップは、該デバイス領域に対応する該ウエーハの裏面側に金属膜を形成する、請求項４に記載のウエーハ処理方法。
【請求項６】
該ウエーハは、該デバイス領域に凹部が形成され、該外周余剰領域に該凹部を囲繞する環状凸部が形成されている請求項４または５に記載のウエーハ処理方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハ処理装置及びウエーハ処理方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが表面側に複数形成されたウエーハは、ダイシング装置等を用いて個々のデバイスに分割される。特許文献１には、デバイス領域と該デバイス領域を囲む外周余剰領域とを表面に有する板状の被加工物の表面とは反対側の裏面を、スピンドルに装着された研削砥石で研削する研削方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－４４３１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ウエーハを薄化する研削工程の後工程においては、取り扱い性を向上させるため、ウエーハにサポート基板を貼り付けて処理をすることが一般的であったが、サポート基板を用いずにウエーハを適切に処理することが望まれている。
【０００５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、その目的は、サポート基板を用いずにウエーハを適切に処理することができるウエーハ処理装置及びウエーハ処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハ処理装置は、表面にデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域と、を有するウエーハを処理するウエーハ処理装置であって、該外周余剰領域を表面側と裏面側とから挟持する保持部と、該保持部を収容し、該保持部に保持されたウエーハによって上室と下室とに区画される真空容器と、該上室と該下室とを減圧するとともに、該下室を該上室に対して陽圧にして自重によるウエーハの撓みを相殺する減圧ユニットと、該真空容器内に配置され、ウエーハに所定の処理をする処理ユニットと、を備える。
【０００７】
前記ウエーハ処理装置において、該処理ユニットは、該デバイス領域に対応するウエーハの裏面側に金属膜を形成してもよい。
【０００８】
前記ウエーハ処理装置において、該ウエーハは、該デバイス領域に凹部が形成され、該外周余剰領域に該凹部を囲繞する環状凸部が形成されてもよい。
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハ処理方法は、表面にデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域と、を有するウエーハを処理するウエーハ処理方法であって、該外周余剰領域を表面側と裏面側とから挟持する保持部を有する真空容器を準備する真空容器準備ステップと、該保持部によって該ウエーハを保持する保持ステップと、該保持部に保持された該ウエーハによって、該真空容器を上室と下室とに区画する区画ステップと、該上室と該下室とを減圧するとともに、該下室を該上室に対して陽圧にして、自重による該ウエーハの撓みを相殺する減圧ステップと、該減圧ステップの後に、該真空容器に設置された処理ユニットによって該ウエーハに所定の処理をする処理ステップと、を備える。
【００１０】
前記ウエーハ処理方法において、該処理ステップは、該デバイス領域に対応する該ウエーハの裏面側に金属膜を形成してもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許