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公開番号2024166554
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-29
出願番号2023082726
出願日2023-05-19
発明の名称面発光レーザチップ
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01S 5/42 20060101AFI20241122BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】発光面からのレーザ光が反射層によって遮られにくくすること。
【解決手段】面発光レーザチップ30は、第1チップ表面31に形成され、レーザ光を出射するように構成された第1発光面33Aおよび第2発光面33Bと、第1チップ表面31に形成され、第1発光面33Aおよび第2発光面33Bの各々から離隔した位置に形成された表面電極34と、を含む。平面視において、第1発光面33Aおよび第2発光面33Bは、X方向に離隔して配列されている。表面電極34は、X方向において第1発光面33Aと第2発光面33Bとの間に配置されている。
【選択図】図12
特許請求の範囲【請求項１】
互いに反対側を向くチップ表面およびチップ裏面と、
前記チップ表面に形成され、レーザ光を出射するように構成された第１発光面および第２発光面と、
前記チップ表面に形成され、前記第１発光面および前記第２発光面の各々から離隔した位置に形成された電極と、
を含み、
前記チップ表面に垂直な厚さ方向から視て、前記第１発光面および前記第２発光面は、第１方向に離隔して配列されており、
前記電極は、前記第１方向において前記第１発光面と前記第２発光面との間に配置されている
面発光レーザチップ。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記厚さ方向から視て、前記第２発光面の面積は、前記第１発光面の面積よりも小さい
請求項１に記載の面発光レーザチップ。
【請求項３】
前記第１発光面および前記第２発光面の各々は、レーザ光を出射する発光部を含み、
前記第２発光面の前記発光部の数は、前記第１発光面の前記発光部の数よりも少ない
請求項２に記載の面発光レーザチップ。
【請求項４】
前記電極は、前記第１発光面の前記発光部および前記第２発光面の前記発光部の双方と電気的に接続されている
請求項３に記載の面発光レーザチップ。
【請求項５】
前記厚さ方向から視て前記第１方向と直交する方向を第２方向とすると、
前記第２発光面は、前記第２方向において互いに離隔して配列された複数の発光部を含む
請求項１に記載の面発光レーザチップ。
【請求項６】
前記第１発光面および前記第２発光面の各々は、レーザ光を出射する発光部を含み、
前記電極は、互いに離隔して配置された第１電極および第２電極を含み、
前記第１電極は、前記第１発光面の前記発光部と電気的に接続されており、
前記第２電極は、前記第２発光面の前記発光部と電気的に接続されている
請求項１に記載の面発光レーザチップ。
【請求項７】
前記厚さ方向から視て前記第１方向と直交する方向を第２方向とすると、
前記第１電極および前記第２電極は、前記第２方向において互いに離隔して配列されている
請求項６に記載の面発光レーザチップ。
【請求項８】
前記厚さ方向から視て、前記第１電極の面積は、前記第２電極の面積よりも大きい
請求項６に記載の面発光レーザチップ。
【請求項９】
前記第１発光面は、互いに離隔して配置された第１主発光領域および第２主発光領域を含み、
前記第２発光面は、互いに離隔して配置された第１発光領域および第２発光領域を含み、
前記電極は、互いに離隔して配置された第１電極および第２電極を含む
請求項１に記載の面発光レーザチップ。
【請求項１０】
前記第１発光領域、前記第２発光領域、前記第１主発光領域、および前記第２主発光領域の各々は、レーザ光を出射する発光部を含み、
前記第１電極は、前記第１発光領域の前記発光部および前記第１主発光領域の前記発光部の双方と電気的に接続されており、
前記第２電極は、前記第２発光領域の前記発光部および前記第２主発光領域の前記発光部の双方と電気的に接続されている
請求項９に記載の面発光レーザチップ。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、面発光レーザチップに関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、様々な電子機器に搭載される光源装置として、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）を備える半導体発光装置が知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１３－４１８６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、半導体発光装置では、ＬＥＤチップが用いられるため、光源の高出力化に対応することが困難である。そこで、ＬＥＤチップに代えて、たとえば垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）などの面発光レーザチップによって高出力化に対応することが考えられる。
【０００５】
また、半導体発光装置では、ＬＥＤチップから出射される光の一部を受光する受光チップを備え、受光チップの受光量に基づいてＬＥＤチップから出射される光の強度を制御する構成の採用が進められている。
【０００６】
このような半導体発光装置に対してＬＥＤチップに代えて面発光レーザチップが用いられる場合、面発光レーザチップはＬＥＤチップよりも指向角が狭いため、面発光レーザチップから出射されたレーザ光の一部を受光チップに向けて反射する必要がある。このため、例えば面発光レーザチップの発光面の一部に対向するように反射層を設ける場合がある。この場合、反射層の位置ずれ等に起因して、反射層が必要以上に発光面と対向してしまうと、面発光レーザチップが出射するレーザ光が反射層に必要以上に遮られるおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決する面発光レーザチップは、互いに反対側を向くチップ表面およびチップ裏面と、前記チップ表面に形成され、レーザ光を出射するように構成された第１発光面および第２発光面と、前記チップ表面に形成され、前記第１発光面および前記第２発光面の各々から離隔した位置に形成された電極と、を含み、前記チップ表面に垂直な厚さ方向から視て、前記第１発光面および前記第２発光面は、第１方向に離隔して配列されており、前記電極は、前記第１方向において前記第１発光面と前記第２発光面との間に配置されている。
【発明の効果】
【０００８】
上記面発光レーザチップによれば、発光面からのレーザ光が反射層によって遮られにくくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、第１実施形態の半導体発光装置の概略斜視図である。
図２は、図１の半導体発光装置から封止部材を除いた状態の概略平面図である。
図３は、図２のＦ３－Ｆ３線で半導体発光装置を切断した概略断面図である。
図４は、図１の半導体発光装置の概略平面図である。
図５は、第２実施形態の半導体発光装置の概略断面図である。
図６は、図５の一点鎖線の枠を拡大した概略断面図である。
図７は、第３実施形態の半導体発光装置について、半導体発光装置から封止部材を除いた状態の概略平面図である。
図８は、図７のＦ８－Ｆ８線で半導体発光装置を切断した概略断面図である。
図９は、第４実施形態の半導体発光装置の概略断面図である。
図１０は、第５実施形態の半導体発光装置の概略断面図である。
図１１は、第６実施形態の半導体発光装置の概略断面図である。
図１２は、図１１の面発光レーザチップの概略平面図である。
図１３は、第７実施形態の半導体発光装置について、面発光レーザチップの概略平面図である。
図１４は、図１３の面発光レーザチップを備える半導体発光装置の概略平面図である。
図１５は、第８実施形態の半導体発光装置について、面発光レーザチップの概略平面図である。
図１６は、図１５の面発光レーザチップを備える半導体発光装置の概略平面図である。
図１７は、変更例の半導体発光装置について、反射部およびその周辺を拡大した概略断面図である。
図１８は、変更例の半導体発光装置の概略断面図である。
図１９は、変更例の半導体発光装置の概略断面図である。
図２０は、変更例の半導体発光装置の概略断面図である。
図２１は、変更例の半導体発光装置について、面発光レーザチップの概略平面図である。
図２２は、変更例の半導体発光装置について、反射部およびその周辺を拡大した概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して本開示における半導体発光装置のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図ではハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
（【００１１】以降は省略されています）

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