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公開番号2024165248
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-28
出願番号2023081278
出願日2023-05-17
発明の名称積層体、電子部品および積層体の製造方法
出願人東レ株式会社
代理人
主分類G03F 7/40 20060101AFI20241121BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】
本発明は、高い接合性、低い脱ガス性を有する積層体を提供することを課題とする。
【解決手段】
本発明は、可溶性ポリイミド系樹脂(a)、不飽和結合含有化合物(b)または熱架橋性化合物(c)、および光重合開始剤(d)を含有する感光性樹脂組成物の膜を、基板1および基板2の少なくともいずれか一方の上に形成または積層後、フォトリソグラフィーの手法によってパターン樹脂膜とし、その後、前記パターン樹脂膜を介して、基板1と基板2とを接合してなり、基板1は素子を含有する有機もしくは無機基板である、積層体である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
可溶性ポリイミド系樹脂(a)、不飽和結合含有化合物(b)または熱架橋性化合物(c)、および光重合開始剤(d)を含有する感光性樹脂組成物の膜を、基板1および基板2の少なくともいずれか一方の上に形成または積層後、フォトリソグラフィーの手法によってパターン樹脂膜とし、その後、前記パターン樹脂膜を介して、基板1と基板2とを接合してなり、基板1は素子を含有する有機もしくは無機基板である、積層体。
続きを表示(約 680 文字)【請求項2】
前記パターン樹脂膜により基板1および基板2の間に空間を有する、請求項1に記載の積層体。
【請求項3】
不飽和結合含有化合物(b)または熱架橋性化合物(c)の少なくともいずれか一方の硬化開始温度が120℃以上250℃以下である、請求項1または2に記載の積層体。
【請求項4】
基板1および基板2が、Si基板、ガラス基板、または化合物半導体基板を含む、請求項1または2に記載の積層体。
【請求項5】
基板1または基板2のいずれか一方がMEMSデバイスである、請求項1または2に記載の積層体。
【請求項6】
基板1および基板2のいずれもがデバイスである、請求項1または2に記載の積層体。
【請求項7】
前記パターン樹脂膜のガラス転移温度が250℃以下である、請求項1または2に記載の積層体。
【請求項8】
請求項1または2に記載の積層体を用いた電子部品。
【請求項9】
請求項1または2に記載の積層体を製造する方法であって、
前記感光性樹脂組成物の膜にパターン露光をする露光工程、
現像により前記パターン樹脂膜を現出させる現像工程、
および前記パターン樹脂膜を介して、基板1および基板2を接合する接合工程
を有する、積層体の製造方法。
【請求項10】
前記接合工程における接合温度が120℃以上250℃以下である、請求項9に記載の積層体の製造方法。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、積層体、電子部品および積層体の製造方法に関する。より詳しくは、基板上に形成したフォト加工パターン膜を接着層として介して、対向基板と接合した積層体およびその製造方法、ならびに電子部品に関する。更に詳しくは、中空構造を形成した本発明の積層体を用いたMEMS(Micro Electro Mechanical System)等の電子部品に関する。
続きを表示(約 1,800 文字)【背景技術】
【0002】
感光性樹脂組成物のフォト加工パターン膜を基板上に形成するだけではなく、前記フォト加工パターン膜を介して、対向基板と接合させる目的で使用する方法が提案されている。その例として、集積回路素子に形成された電極パットの接続方法(特許文献1)、回路基板の接着方法(特許文献2)、半導体パッケージの製造方法(特許文献3)などが挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特許第3050345号
特許第2660943号
特開2003-347357号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、従来公知の感光性樹脂組成物を前記接着用途で使用する場合には、接合性能に課題が残ると指摘されている。さらに、半導体・MEMSパッケージ用途において、接着層からの脱ガスの付着により素子に悪影響を及ぼしている。また、素子機能面と基板の間に必要な中空構造を設けることに注力し、今後の電子部品に対する技術トレンドである小面積化に対する考慮に欠けている。
【0005】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、高い接合性、低い脱ガス性を有する積層体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明およびその好ましい態様は、以下の構成を有する。
(1) 可溶性ポリイミド系樹脂(a)、不飽和結合含有化合物(b)または熱架橋性化合物(c)、および光重合開始剤(d)を含有する感光性樹脂組成物の膜を、基板1および基板2の少なくともいずれか一方の上に形成または積層後、フォトリソグラフィーの手法によって、パターン樹脂膜とし、その後、前記パターン樹脂膜を介して、基板1と基板2とを接合してなり、基板1は素子を含有する有機もしくは無機基板である、積層体。
(2) 前記パターン樹脂膜により基板1および基板2の間に空間を有する、上記(1)に記載の積層体。
(3) 不飽和結合含有化合物(b)または熱架橋性化合物(c)のいずれか1つの硬化開始温度が120℃以上250℃以下である、上記(1)または(2)に記載の積層体。
(4) 基板1および基板2が、Si基板、ガラス基板、または化合物半導体基板を含む、上記(1)~(3)のいずれかに記載の積層体。
(5) 基板1または基板2のいずれか一方がMEMSデバイスである、上記(1)~(4)のいずれかに記載の積層体。
(6) 基板1および基板2のいずれもデバイスである、上記(1)~(5)のいずれかに記載の積層体。
(7) 前記パターン樹脂膜のガラス転移温度が250℃以下である、上記(1)~(6)のいずれかに記載の積層体。
(8) 上記(1)~(7)のいずれかに記載の積層体を用いた電子部品。
(9) 上記(1)~(7)に記載の積層体を製造する方法であって、
前記感光性樹脂組成物の膜にパターン露光をする露光工程、
現像により前記パターン樹脂膜を現出させる現像工程、
および前記パターン樹脂膜を介して、基板1および基板2を接合する接合工程
を有する、積層体の製造方法。
(10) 前記接合工程における接合温度が120℃以上250℃以下である、上記(9)に記載の積層体の製造方法。
(11) 基板1および基板2の接合後に、接合温度よりも高い温度で加熱する、上記(9)または(10)に記載の積層体の製造方法。
【発明の効果】
【0007】
本発明によれば、高い接合力と低脱ガス性に優れた積層体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
図1は、積層体の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下に、本発明の実施形態について詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定して解釈されるものではない。
【0010】
数値範囲の「~」は、その前後の数値を含む範囲であり、例えば、「0~100」は、0以上であり、かつ、100以下である範囲を意味する。
(【0011】以降は省略されています)

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