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公開番号
2024163993
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2024-11-26
出願番号
2024107250,2023504709
出願日
2024-07-03,2022-05-24
発明の名称
プラズマ処理用途のためのパルス電圧源
出願人
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
,
APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
代理人
園田・小林弁理士法人
主分類
H05H
1/46 20060101AFI20241119BHJP(他に分類されない電気技術)
要約
【課題】広くは、処理チャンバ内で基板をプラズマ処理するための装置、例えばプラズマ処理システム、及び方法に関し、基板上での所望なプラズマ支援プロセスの完了を可能にするパルス電圧源及びバイアス方法が必要とされている。
【解決手段】幾つか実施形態は、波形生成器を対象とする。波形生成器は、概して、第1の電圧段を含む。第1の電圧段は、第1の電圧源、第1のスイッチ、及び第2のスイッチを有する。その場合、第1の電圧源の第1の端子が、第1のスイッチの第1の端子に結合され、第1の電圧源の第2の端子が、第2のスイッチの第1の端子に結合されている。波形生成器はまた、第1のスイッチと第2のスイッチの第2の端子間の共通ノードに結合された電流段も含む。電流段は、電流源及び電流源に結合された第3のスイッチを有する。
【選択図】図4
特許請求の範囲
【請求項1】
第1の電圧源、
第1のスイッチ、及び
第2のスイッチを有する、第1の電圧段であって、
前記第1の電圧源の第1の端子が、前記第1のスイッチの第1の端子に結合され、前記第1の電圧源の第2の端子が、前記第2のスイッチの第1の端子に結合されている、第1の電圧段、並びに
前記第1のスイッチと前記第2のスイッチの第2の端子間の共通ノードに結合された電流段であって、
電流源、及び
前記電流源に結合された第3のスイッチを有する、電流段を備える、波形生成器。
続きを表示(約 1,000 文字)
【請求項2】
前記第1の電圧源は、容量素子を備える、請求項1に記載の波形生成器。
【請求項3】
前記電流源は、
容量素子、及び
前記容量素子と直列に結合された誘導素子を備える、請求項1に記載の波形生成器。
【請求項4】
第2の電圧段を更に備え、前記第2の電圧段は、
第2の電圧源、
第4のスイッチ、及び
第5のスイッチを有し、前記第2の電圧源の第1の端子は、前記第4のスイッチの第1の端子に結合され、前記第2の電圧源の第2の端子は、前記第5のスイッチの第1の端子に結合され、前記第4のスイッチと前記第5のスイッチの第2の端子間の共通ノードは、前記第1の電圧段又は前記電流段に結合されている、請求項1に記載の波形生成器。
【請求項5】
第3の電圧段を更に備え、前記第3の電圧段は、
第3の電圧源、
第6のスイッチ、及び
第7のスイッチを有し、前記第3の電圧源の第1の端子は、前記第6のスイッチの第1の端子に結合され、前記第3の電圧源の第2の端子は、前記第7のスイッチの第1の端子に結合され、前記第6のスイッチと前記第7のスイッチの第2の端子間の共通ノードは、前記第1の電圧段、前記第2の電圧段、又は前記電流段に結合されている、請求項4に記載の波形生成器。
【請求項6】
前記第1の電圧源は、第1の容量素子を備え、
前記第2の電圧源は、第2の容量素子を備え、
前記第3の電圧源は、第3の容量素子を備え、
前記波形生成器は、前記第1の容量素子、前記第2の容量素子、及び前記第3の容量素子を充電するように構成された1以上の充電回路を更に備える、請求項5に記載の波形生成器。
【請求項7】
前記1以上の充電回路は、前記第3の容量素子を、前記第1の容量素子及び前記第2の容量素子よりも低い電圧に充電するように構成されている、請求項6に記載の波形生成器。
【請求項8】
前記第2のスイッチの前記第1の端子は、前記波形生成器の出力ノードに結合されている、請求項1に記載の波形生成器。
【請求項9】
前記波形生成器の前記出力ノードは、処理チャンバに結合されている、請求項8に記載の波形生成器。
【請求項10】
前記第3のスイッチの第1の端子と第2の端子との間に結合されたダイオードを更に備える、請求項1に記載の波形生成装置。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
[0001] 本開示の実施形態は、広くは、半導体デバイス製造に使用されるシステムに関する。特に、本開示の実施形態は、基板を処理するために使用されるプラズマ処理システムに関する。
続きを表示(約 2,400 文字)
【背景技術】
【0002】
[0002] 高いアスペクト比のフィーチャを確実に生成することは、次世代の半導体デバイスにとって重要な技術課題の1つである。高いアスペクト比のフィーチャを形成する1つの方法は、基板表面上に形成されたパターニング済みマスク層内に形成された開口部を通して、基板の表面上に形成された材料に衝突させるために、プラズマ支援エッチングプロセスを使用する。
【0003】
[0003] 技術ノードが2nmに向けて進歩するにつれて、より高いアスペクト比を有するより小さいフィーチャの製造は、プラズマ処理のための原子精度を必要とする。半導体機器産業において、プラズマイオンが主要な役割を果たすエッチングプロセスでは、イオンエネルギー制御が常に困難である。典型的なプラズマ支援エッチングプロセスでは、処理チャンバ内に配置された静電チャック(ESC)上に基板が配置され、基板の上にプラズマが生成され、イオンが、プラズマからプラズマシース(すなわち、プラズマと基板の表面との間に生成された電子が枯渇した領域)を横切って基板に向けて加速される。正弦波のRF波形を使用してプラズマを励起し、プラズマシースを生成する従来のRF基板バイアス法では、これらのより小さなデバイスフィーチャサイズを望ましく生成することができなかった。最近、処理チャンバ内の1以上の電極への高電圧DCパルスの供給が、基板の表面の上に生成されるプラズマシースを望ましく制御するのに有用であり得ることが見出された。
【0004】
[0004] しかし、速い立ち上がり時間及び/又は速い立ち下がり時間を有する高電圧パルスを生成することは、困難である。例えば、高電圧パルス(例えば、>5kV)での速い立ち上がり時間及び/又は速い立ち下がり時間(例えば、<2.5μs)を実現するには、パルス立ち上がり及び/又は立ち下がりの勾配が、非常に急でなければならない(例えば、10V/s)。このような急な立ち上がり時間及び/又は立ち下がり時間は、特に静電容量の小さい負荷を駆動する回路では非常に困難である。このようなパルスは、標準的な電気部品を使用してコンパクトなやり方で、並びに/又は可変パルス幅、電圧、及び繰り返し率を有するパルスを用いて、並びに/又は例えばプラズマの生成などの容量性負荷を有する用途においては、生成することが特に困難である可能性がある。
【0005】
[0005] したがって、当技術分野では、基板上での所望なプラズマ支援プロセスの完了を可能にするパルス電圧源及びバイアス方法が必要とされている。
【発明の概要】
【0006】
[0006] 本明細書で提供される複数の実施形態は、広くは、処理チャンバ内で基板をプラズマ処理するための装置、例えばプラズマ処理システム、及び方法を含む。
【0007】
[0007] 幾つか実施形態は、波形生成器を対象とする。波形生成器は、概して、第1の電圧段を含む。第1の電圧段は、第1の電圧源、第1のスイッチ、及び第2のスイッチを有する。その場合、第1の電圧源の第1の端子が、第1のスイッチの第1の端子に結合され、第1の電圧源の第2の端子が、第2のスイッチの第1の端子に結合されている。波形生成器はまた、第1のスイッチと第2のスイッチの第2の端子間の共通ノードに結合された電流段も含む。電流段は、電流源及び電流源に結合された第3のスイッチを有する。
【0008】
[0008] 幾つか実施形態は、波形生成用の方法を対象とする。該方法は、概して、動作の第1のモード中に、複数のスイッチを制御することによって波形生成器の出力電流経路内に第1の電圧源を組み込むこと、及び、動作の第2のモード中に、複数のスイッチを制御することによって、出力電流径路内に電流源を組み込むことを含む。複数のスイッチは、第1のスイッチ、第2のスイッチ、及び電流源と並列に結合された第3のスイッチを含む。第1の電圧源の第1の端子が、第1のスイッチの第1の端子に結合されている。第1の電圧源の第2の端子が、第2のスイッチの第1の端子に結合されている。第3のスイッチは、第1のスイッチと第2のスイッチの第2の端子間の共通ノードに結合されている。
【0009】
[0009] 幾つか実施形態は、波形生成用の装置を対象とする。該装置は、概して、メモリ、及びメモリに結合された1以上のプロセッサを含む。該メモリ及び1以上のプロセッサは、動作の第1のモード中に、複数のスイッチを制御することによって波形生成器の出力電流経路内に第1の電圧源を組み込むこと、及び、動作の第2のモード中に、複数のスイッチを制御することによって出力電流径路内に電流源を組み込むこと、を実行するように構成されている。複数のスイッチは、第1のスイッチ、第2のスイッチ、及び電流源と並列に結合された第3のスイッチを含む。第1の電圧源の第1の端子が、第1のスイッチの第1の端子に結合されている。第1の電圧源の第2の端子が、第2のスイッチの第1の端子に結合されている。第3のスイッチは、第1のスイッチと第2のスイッチの第2の端子間の共通ノードに結合されている。
【0010】
[0010] 本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約した本開示のより具体的な説明を、実施形態を参照することによって行うことができ、その幾つかを添付の図面に示す。しかし、添付図面は例示的な実施形態を示しているに過ぎず、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではなく、その他の等しく有効な実施形態も許容され得ることに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
(【0011】以降は省略されています)
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