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公開番号2024159137
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-08
出願番号2023074930
出願日2023-04-28
発明の名称アライメント装置、アライメント方法、成膜方法、マスク及び成膜装置
出願人キヤノントッキ株式会社
代理人弁理士法人大塚国際特許事務所
主分類C23C 14/04 20060101AFI20241031BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】光透過性の低い基板を用いる場合であっても、アライメントマークの検出精度が低下することを抑制し、アライメント精度を向上させること。
【解決手段】基板に形成された基板側マークと、マスクに形成されたマスク側マークとを検出する検出手段と、前記検出手段の検出結果に基づいて、前記基板と前記マスクとの相対的な位置を調整する位置調整手段と、を備えたアライメント装置であって、前記マスクは、第1の部分と、前記第1の部分よりも光透過性が高い第2の部分と、を有し、前記マスク側マークは、前記第2の部分に形成され、前記アライメント装置は、前記第2の部分に光を照射する照射手段を備える。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
基板に形成された基板側マークと、マスクに形成されたマスク側マークとを検出する検出手段と、
前記検出手段の検出結果に基づいて、前記基板と前記マスクとの相対的な位置を調整する位置調整手段と、
を備えたアライメント装置であって、
前記マスクは、第１の部分と、前記第１の部分よりも光透過性が高い第２の部分と、を有し、
前記マスク側マークは、前記第２の部分に形成され、
前記アライメント装置は、
前記第２の部分に光を照射する照射手段を備える、
ことを特徴とするアライメント装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記第２の部分は、前記第１の部分よりも厚みが薄い部分である、
ことを特徴とする請求項１に記載のアライメント装置。
【請求項３】
前記マスクは、前記基板に対向する第１の面と、前記第１の面の反対側の第２の面とを有し、
前記第２の部分は、前記第２の面よりも前記第１の面側に位置し、
前記マスク側マークは、前記第２の部分の前記第１の面側に形成される、
ことを特徴とする請求項２に記載のアライメント装置。
【請求項４】
前記第２の部分は、前記マスクを厚み方向に貫通する穴であり、
前記マスク側マークは前記穴の形状により表されたマークである、
ことを特徴とする請求項１に記載のアライメント装置。
【請求項５】
前記第２の部分は、前記基板側マークよりも大きい領域を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載のアライメント装置。
【請求項６】
前記マスクは、
所定のパターンが設けられたパターン部と、
前記パターン部を支持するフレーム部と、を備え、
前記第１の部分及び前記第２の部分は、前記フレーム部に設けられ、
前記第１の部分の厚みは、前記パターン部の厚みよりも厚い、
ことを特徴とする請求項１に記載のアライメント装置。
【請求項７】
前記照射手段の光は、赤外波長領域の光であり、
前記検出手段は、赤外波長領域の光に対して検出感度を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載のアライメント装置。
【請求項８】
前記光透過性とは、赤外波長領域の光に対する透過性である、
ことを特徴とする請求項７に記載のアライメント装置。
【請求項９】
前記検出手段は、前記基板と前記マスクとを重ね合わせた状態で、前記基板側から前記基板側マークと前記マスク側マークとを検出し、
前記照射手段の光は、前記マスク側から前記第２の部分に照射される、
ことを特徴とする請求項１に記載のアライメント装置。
【請求項１０】
前記検出手段と前記照射手段とは、対向した位置に配置される、
ことを特徴とする請求項９に記載のアライメント装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、アライメント装置、アライメント方法、成膜方法、マスク及び成膜装置に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
マスクを介して基板にパターンを形成する成膜装置において、成膜精度を高めるためにマスクと基板との位置を調整するアライメント機構が知られている。例えば、特許文献１では、成膜装置において、基板とマスクとにそれぞれ設けられたアライメントマークを検出して、基板とマスクの相対位置を調整することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２０１７／２２２００９号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、基板の光透過性が低い場合、検出感度の低下により、アライメントマークの検出精度に影響を与えることがある。アライメントマークの検出精度が低いと、アライメント精度が低下することがある。
【０００５】
本発明の目的は、光透過性の低い基板を用いる場合であっても、アライメントマークの検出精度が低下することを抑制し、アライメント精度を向上させることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、
基板に形成された基板側マークと、マスクに形成されたマスク側マークとを検出する検出手段と、
前記検出手段の検出結果に基づいて、前記基板と前記マスクとの相対的な位置を調整する位置調整手段と、
を備えたアライメント装置であって、
前記マスクは、第１の部分と、前記第１の部分よりも光透過性が高い第２の部分と、を有し、
前記マスク側マークは、前記第２の部分に形成され、
前記アライメント装置は、
前記第２の部分に光を照射する照射手段を備える、
ことを特徴とするアライメント装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、光透過性の低い基板を用いる場合であっても、アライメントマークの検出精度が低下することを抑制し、アライメント精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
電子デバイスの製造ラインの一部の模式図。
本発明の一実施形態に係る成膜装置の概略図。
図２の一部拡大図。
基板の平面図。
（Ａ）及び（Ｂ）は図２の成膜装置の動作説明図。
（Ａ）及び（Ｂ）は図２の成膜装置の動作説明図。
（Ａ）及び（Ｂ）は図２の成膜装置の動作説明図。
（Ａ）及び（Ｂ）は図２の成膜装置の動作説明図。
（Ａ）及び（Ｂ）は図２の成膜装置の動作説明図。
マスクの別の構成例の説明図。
マスクの別の構成例の説明図。
（Ａ）及び（Ｂ）は、基板の平面図。
照射ユニットの別の配置例の説明図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
【００１０】
＜第１実施形態＞
＜電子デバイスの製造ライン＞
図１は、本発明の成膜装置が適用可能な電子デバイスの製造ライン１００の構成の一部を示す模式図である。各図において、矢印Ｘ及びＹは互いに直交する水平方向を示し、矢印Ｚは上下方向（重力方向）を示す。図１の製造ラインは、例えば、有機ＥＬ表示装置の発光素子の製造に用いられる。製造ライン１００は、平面視で八角形の形状を有する搬送室１０１ａを備える。搬送室１０１ａには搬送路１０３ａから基板２が搬入され、また、成膜済みの基板２は搬送室１０１ａから搬送路１０３ｂへ搬出される。
（【００１１】以降は省略されています）

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