特許ウォッチ

公開番号2024143218
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-11
出願番号2023055770
出願日2023-03-30
発明の名称基板及び無電解銅めっき方法
出願人学校法人関西大学,株式会社日本触媒
代理人弁理士法人WisePlus
主分類H05K 3/18 20060101AFI20241003BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】銅被膜を有する基板を簡便に作製でき、基板を回路基板として用いる場合に、伝送損失を充分に低減できる方法を提供する。
【解決手段】基材、酸化グラフェン及び/又はその誘導体の層、並びに、銅被膜をこの順で有することを特徴とする基板。また、基材の上側に酸化グラフェン及び/又はその誘導体の層を形成する工程、並びに、酸化グラフェン及び/又はその誘導体の層の上側に無電解銅めっきで銅被膜を形成する工程を含むことを特徴とする無電解銅めっき方法。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
基材、酸化グラフェン及び／又はその誘導体の層、並びに、銅被膜をこの順で有することを特徴とする基板。
続きを表示（約 700 文字）【請求項２】
前記基板は、酸化グラフェン及び／又はその誘導体の層と銅被膜との間に金属単体及び／又は金属化合物の層を更に有することを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記基材は、酸化処理されていないことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板。
【請求項４】
回路基板であることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板。
【請求項５】
基材の上側に酸化グラフェン及び／又はその誘導体の層を形成する工程、並びに、酸化グラフェン及び／又はその誘導体の層の上側に無電解銅めっきで銅被膜を形成する工程を含むことを特徴とする無電解銅めっき方法。
【請求項６】
酸化グラフェン及び／又はその誘導体の層の上側に金属単体及び／又は金属化合物の層を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項５に記載の無電解銅めっき方法。
【請求項７】
前記銅被膜を形成する工程は、銅化合物、還元剤、及び、水を含むめっき用組成物を用いておこなうことを特徴とする請求項５又は６に記載の無電解銅めっき方法。
【請求項８】
前記基材を酸化処理する工程を含まないことを特徴とする請求項５又は６に記載の無電解銅めっき方法。
【請求項９】
基材の上側に酸化グラフェン及び／又はその誘導体の層を形成する工程、並びに、酸化グラフェン及び／又はその誘導体の層の上側に無電解銅めっきで銅被膜を形成する工程を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１又は２に記載の基板を用いて構成される製品。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板及び無電解銅めっき方法に関する。より詳しくは、プリント配線基板等として用いられる基板、無電解銅めっき方法、基板の製造方法、及び、基板を用いて構成される製品に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
無電解めっき法とは、被めっき体への化学反応を主体とした金属皮膜の形成を行う手法である。直流電源を用いる電気めっきと異なり、素地金属表面もしくは還元剤から電子を供給し還元することが特徴である。中でも無電解銅めっき法で得られる銅被膜は、安価に形成でき、導電性、放熱性に優れ、低硬度であるためクラックが起きづらいという特徴を有する。このような無電解銅めっき法は、プリント配線基板の作製に用いられ、高性能なプリント配線基板の需要の増加に伴って、種々の研究がなされている。
【０００３】
従来の無電解銅めっきは基材への定着性、めっき性を向上させるために、（１）基材表面の酸化処理（粗面化処理）、（２）めっき反応（還元反応）の触媒としてのＰｄ粒子による前処理が必要であった（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開昭６３－１６８０７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の方法では、触媒を担持させるために基材表面を酸化処理して粗面化する必要があり、銅被膜と被めっき面との界面等が粗面化するため、基板を回路基板として用いる場合に、高周波の電気信号の伝送損失を充分に低減することが困難であった（例えば、図２参照）。
【０００６】
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものでもあり、銅被膜を有する基板を簡便に作製でき、基板を回路基板として用いる場合に、高周波であっても伝送損失を充分に低減できる方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、銅被膜を有する基板を簡便に作製でき、基板を回路基板として用いる場合に、高周波であっても伝送損失を充分に低減できる方法について種々検討し、基材、酸化グラフェン及び／又はその誘導体の層、並びに、銅被膜をこの順で有する基板とすると、基材表面を粗面化しなくても、酸化グラフェンやその誘導体が種々の触媒粒子等を担持する性能を発揮でき、銅被膜と被めっき面との界面等を平滑なままとして、基板を回路基板として用いる場合に高周波であっても伝送損失を充分に低減できることを見出し、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。
【０００８】
すなわち本発明（１）は、基材、酸化グラフェン及び／又はその誘導体の層、並びに、銅被膜をこの順で有することを特徴とする基板である。
【０００９】
本発明（２）は、上記基板は、酸化グラフェン及び／又はその誘導体の層と銅被膜との間に金属単体及び／又は金属化合物の層を更に有する本発明（１）の基板である。
【００１０】
本発明（３）は、上記基材は、酸化処理されていない本発明（１）又は（２）の基板である。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許