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公開番号2024141070
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-10
出願番号2023052512
出願日2023-03-29
発明の名称メモリシステムおよび情報処理システム
出願人キオクシア株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類G06F 12/00 20060101AFI20241003BHJP(計算;計数)
要約【課題】本発明が解決しようとする課題は、メモリセルの寿命を高くすることができるメモリシステムおよび情報処理システム提供することである。
【解決手段】上記課題を達成するために、実施形態のメモリシステムは、ホストに接続可能であって、複数のメモリセルを含む不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリを制御するメモリコントローラと、前記不揮発性メモリと接続されるデータバッファと、前記メモリコントローラに設けられたタグ認識回路とを備える。前記タグ認識回路は、前記データバッファ内の第1のデータに記憶状態タグが付与されているかどうかを認識する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
ホストに接続可能であって、
複数のメモリセルを含む不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリを制御するメモリコントローラと、
前記不揮発性メモリと接続されるデータバッファと、
前記メモリコントローラに設けられたタグ認識回路と、
を備え、
前記タグ認識回路は、
前記データバッファ内の第１のデータに記憶状態タグが付与されているかどうかを認識する
メモリシステム。
続きを表示（約 1,700 文字）【請求項２】
前記第１のデータは前記不揮発性メモリへ書き込むライトデータであり、
前記タグ認識回路は、前記第１のデータに前記記憶状態タグが付与されていることを認識した場合、前記メモリコントローラに対して前記記憶状態タグに応じた第１のコマンドを送信し、
前記メモリコントローラは、前記第１のコマンドを受信すると、前記第１のデータを前記記憶状態タグに応じた書き込みモードで前記メモリセルに対して書き込みを行う制御を行う、
請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項３】
前記第１のデータは前記不揮発性メモリへ書き込むライトデータであり、
前記メモリコントローラは、ライトのリクエストが行われた場合に、前記タグ認識回路へ前記データバッファにアクセスするコマンドを送る、
請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項４】
前記メモリシステムは、前記メモリコントローラに設けられたタグ付与回路をさらに備え、
前記タグ付与回路は、
前記タグ認識回路が前記第１のデータに前記記憶状態タグが付与されていることを認識しなかった場合、前記第１のデータに第１の記憶状態タグを付与する、
請求項３に記載のメモリシステム。
【請求項５】
前記タグ付与回路は、前記第１のデータの管理データに前記第１の記憶状態タグを付与する、
請求項４に記載のメモリシステム。
【請求項６】
前記第１のデータは前記不揮発性メモリから読み出したリードデータであり、
前記メモリコントローラは、リードのリクエストが行われた場合に、前記タグ認識回路へ前記データバッファにアクセスするコマンドを送る、
請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項７】
前記メモリシステムは、前記メモリコントローラに設けられたタグ付与回路をさらに備え、
前記タグ付与回路は、
前記タグ認識回路が前記第１のデータに前記記憶状態タグが付与されていることを認識しなかった場合、前記第１のデータに前記第１のデータを読み出した前記メモリセルの書き込みモードに応じた第２の記憶状態タグを付与する、
請求項６に記載のメモリシステム。
【請求項８】
複数のメモリセルを含む不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリを制御するメモリコントローラと、前記不揮発性メモリと接続されるデータバッファと、前記メモリコントローラに設けられたタグ認識回路と、前記メモリコントローラに設けられたタグ付与回路と、を有するメモリシステムと、
前記メモリシステムと接続されるホストと、
を備え、
前記タグ認識回路は、
前記データバッファ内の第１のデータに記憶状態タグが付与されているかどうかを確認し、
前記タグ認識回路が前記第１のデータに前記記憶状態タグが付与されていることを認識した場合、
前記メモリコントローラは、前記第１のデータを前記記憶状態タグに応じた書き込みモードで前記メモリセルに対して書き込みを行う制御、または前記第１のデータを前記ホストに対して送出を行う制御を行い、
前記タグ認識回路が前記第１のデータに前記記憶状態タグが付与されていることを認識しなかった場合、
前記タグ付与回路は、前記第１のデータに対して第１の記憶状態タグ、または第２の記憶状態タグを付与し、
前記メモリコントローラは、前記第１の記憶状態タグが付与された前記第１のデータを前記第１の記憶状態タグに応じた書き込みモードで前記メモリセルに対して書き込みを行う制御、または第２の記憶状態タグが付与された前記第１のデータを前記ホストに対して送出を行う制御を行う、
情報処理システム。
【請求項９】
前記第２の記憶状態タグは、前記第１のデータが前記不揮発性メモリから読み出したデータである場合に、前記第１のデータを読み出した前記メモリセルの書き込みモードに応じた記憶状態タグである、
請求項８に記載の情報処理システム。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、メモリシステムおよび情報処理システムに関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
ストレージデバイスの１つとして、不揮発性メモリを備えるソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）が知られている。ＳＳＤは、ホストデバイス（以下、ホストと称する）から受け取ったデータを不揮発性メモリのメモリセルに書き込む。
【０００３】
書き込みモードとして、書き込み速度優先の第１の書き込みモードと、書き込み容量優先の第２の書き込みモードを備え、ＳＳＤ残メモリ容量に応じて書き込みモードを変更するＳＳＤが開発されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
米国特許出願公開第２０２０／００３４０６７号公報
特許出願公開第２０１２－１６４０７号公報
米国特許出願公開第２０１９／００３４１０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、メモリセルの寿命を高くすることができるメモリシステムおよび情報処理システム提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を達成するために、実施形態のメモリシステムは、ホストに接続可能であって、複数のメモリセルを含む不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリを制御するメモリコントローラと、前記不揮発性メモリと接続されるデータバッファと、前記メモリコントローラに設けられたタグ認識回路とを備える。前記タグ認識回路は、前記メモリコントローラから前記データバッファにアクセスするコマンドを受け、前記データバッファ内の第１のライトデータに第１のタグを認識した場合、前記メモリコントローラに第１のコマンドを送信する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施形態に係るメモリシステムの構成例を示すブロック図。
実施形態に係るメモリシステムに含まれるＮＡＮＤ型フラッシュメモリの一構成例を示す図。
実施形態に係るメモリシステムに含まれるＮＡＮＤ型フラッシュメモリの他の構成例を示す図。
実施形態に係るメモリシステムに含まれるＮＡＮＤ型フラッシュメモリに含まれるＳＬＣブロック群の構成例を示す図。
実施形態に係るメモリシステムの、データを書き込む際のメモリコントローラの動作の一例を示すフローチャート。
実施形態に係るメモリシステムの、データを読み込む際のメモリコントローラの動作の一例を示すフローチャート。
実施形態に係るメモリシステムの、メモリコントローラの動作の例を示すブロック図。
実施形態に係るメモリシステムの、メモリコントローラの動作の別の例を示すブロック図。
実施形態に係るメモリシステムで用いられるＬＢＡ範囲－アクセス頻度テーブルの構成例を示す図。
実施形態に係るメモリシステムで用いられるブロック－低頻度アクセス割合テーブルの構成例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下の説明は、実施形態の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、実施形態の技術的思想は、以下に説明する構成要素の構造、形状、配置、材質等に限定されるものではない。当業者が容易に想到し得る変形は、当然に開示の範囲に含まれる。説明をより明確にするため、図面において、各要素のサイズ、厚み、平面寸法又は形状等を実際の実施態様に対して変更して模式的に表す場合もある。複数の図面において、互いの寸法の関係や比率が異なる要素が含まれることもある。複数の図面において、対応する要素には同じ参照数字を付して重複する説明を省略する場合もある。いくつかの要素に複数の呼称を付す場合があるが、これら呼称の例はあくまで例示であり、これらの要素に他の呼称を付すことを否定するものではない。また、複数の呼称が付されていない要素についても、他の呼称を付すことを否定するものではない。なお、以下の説明において、「接続」は直接的な接続のみならず、他の要素を介して間接的に接続されることも意味する。
【０００９】
以下、発明を実施するための実施形態について図面を参照して説明する。
【００１０】
実施形態に係るストレージデバイスを含む情報処理システム１の構成について説明する。図１は、実施形態に係るストレージデバイスを含む情報処理システム１の構成例を示すブロック図である。ストレージデバイスは、不揮発性メモリにデータを書き込み、不揮発性メモリからデータを読み出すように構成された半導体ストレージデバイスである。ストレージデバイスの一例は、これに限定されないが、ＳＳＤを含む。不揮発性メモリの一例は、これに限定されないが、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを含む。以下、不揮発性メモリをＮＡＮＤメモリと称する。ここでは、半導体ストレージデバイスは、ＮＡＮＤメモリ５を含むメモリシステム３である。
（【００１１】以降は省略されています）

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