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公開番号2024117104
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-08-29
出願番号2023022991
出願日2023-02-17
発明の名称薄膜形成用原料、薄膜及び薄膜の製造方法
出願人株式会社ADEKA
代理人個人,個人,個人,個人
主分類C23C 16/18 20060101AFI20240822BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】熱安定性及び蒸気性に優れ、且つ、残留炭素が少ない高品質な薄膜を製造することができる、薄膜形成用原料及びそれを用いた薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)で表されるモリブデン化合物を含有する薄膜形成用原料。
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(一般式(1)中、R¹及びR²は、脂肪族炭化水素基又は置換脂肪族炭化水素基を表し、R³、R⁴、R⁵、R⁶及びR⁷は、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1以上5以下の脂肪族炭化水素基、炭素原子数1以上5以下の置換脂肪族炭化水素基等を表す。)
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
下記一般式（１）で表されるモリブデン化合物を含有する薄膜形成用原料。
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2024117104000027.jpg
57
62
（一般式（１）中、Ｒ
１
及びＲ
２
は、各々独立して、脂肪族炭化水素基又は置換脂肪族炭化水素基を表し、Ｒ
３
、Ｒ
４
、Ｒ
５
、Ｒ
６
及びＲ
７
は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１以上５以下の脂肪族炭化水素基、炭素原子数１以上５以下の置換脂肪族炭化水素基、又は、下記一般式（２）で表される基を表す。）
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2024117104000028.jpg
6
42
（一般式（２）中、Ａは、直接結合、又は、炭素原子数１以上５以下のアルカンジイル基を表し、Ｌは、下記一般式（Ｌ－１）又は（Ｌ－２）で表される基を表し、＊は、結合手を表す。）
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2024117104000029.jpg
34
74
（一般式（Ｌ－１）及び一般式（Ｌ－２）中、Ｒ
８
、Ｒ
９
及びＲ
１０
は、各々独立して、炭素原子数１以上５以下のアルキル基又は炭素原子数１以上５以下の置換アルキル基を表し、＊は、結合手を表す。）
続きを表示（約 920 文字）【請求項２】
Ｒ
１
及びＲ
２
が、炭素原子数１以上５以下の脂肪族炭化水素基又は炭素原子数１以上５以下の置換脂肪族炭化水素基である、請求項１に記載の薄膜形成用原料。
【請求項３】
Ｒ
１
が、炭素原子数３以上５以下の脂肪族炭化水素基である、請求項１に記載の薄膜形成用原料。
【請求項４】
前記一般式（１）中のＲ
１
及びＲ
２
の少なくとも１つが、ｔｅｒｔ－ブチル基である、請求項１に記載の薄膜形成用原料。
【請求項５】
前記一般式（１）中のＲ
３
、Ｒ
４
、Ｒ
５
、Ｒ
６
及びＲ
７
の少なくとも１つが、炭素原子数１以上５以下の脂肪族炭化水素基又は炭素原子数１以上５以下の置換脂肪族炭化水素基である、請求項１に記載の薄膜形成用原料。
【請求項６】
前記薄膜形成用原料が、原子層堆積法用薄膜形成用原料である、請求項１に記載の薄膜形成用原料。
【請求項７】
請求項１～６の何れか一項に記載の薄膜形成用原料を用いて製造される薄膜。
【請求項８】
請求項１～６の何れか一項に記載の薄膜形成用原料を用いて、モリブデン原子を含有する薄膜を形成する、薄膜の製造方法。
【請求項９】
前記薄膜形成用原料を気化させて得られる原料ガス中のモリブデン化合物を分解するか、又は該モリブデン化合物と反応性ガスとを反応させて、モリブデン原子を含有する薄膜を形成する、請求項８に記載の薄膜の製造方法。
【請求項１０】
前記薄膜形成用原料を気化させて得られる原料ガスを成膜チャンバー内に導入し、前記原料ガス中のモリブデン化合物を基体の表面に堆積させて、前駆体薄膜を形成する工程と、
反応性ガスを成膜チャンバー内に導入し、前記前駆体薄膜と前記反応性ガスとを反応させて、モリブデン原子を含有する薄膜を形成する工程と、
を含む、請求項８に記載の薄膜の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、特定のモリブデン化合物を含有する薄膜形成用原料、薄膜形成用原料を用いて製造される薄膜及び薄膜の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
モリブデン原子を含有する薄膜（以下、「モリブデン含有薄膜」と称する場合がある）は、有機発光ダイオード、液晶ディスプレイ、プラズマデイスプレイパネル、電界放出ディスプレイ、薄膜太陽電池、半導体デバイス、被覆材、耐熱材、合金、航空機の部材等に使用されている。
【０００３】
モリブデン含有薄膜の製造方法としては、スパッタリング法、イオンプレーティング法、塗布熱分解法やゾルゲル法等のＭＯＤ法、化学気相成長法等が挙げられる。これらの中で、組成制御性、段差被覆性に優れること、量産化に適すること、ハイブリッド集積が可能である等多くの長所を有しているので、化学気相蒸着法（Chemical Vapor Deposition，以下、「ＣＶＤ法」と称する場合がある）及び原子層堆積法（Atomic Layer Deposition，以下、「ＡＬＤ法」と称する場合がある）法を含む化学気相成長法が最適な製造プロセスである。
【０００４】
モリブデン含有薄膜を形成する薄膜形成用原料として、様々な化合物が知られている。例えば、特許文献１には、トリカルボニル（エチルベンゼン）モリブデン酸を用いて薄膜を形成することが開示されている。特許文献２には、モリブデンヘキサカルボニル［Ｍｏ（ＣＯ）
６
］を用いて薄膜を形成することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特表２０２２－５１０５６６号公報
特開２００５－２９８５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来のモリブデン化合物は、熱安定性が不十分であり、蒸気性が良好ではなかった。また、ＡＬＤ法等の化学気相成長法により薄膜を形成した場合、残留炭素が少ない高品質なモリブデン含有薄膜を得ることが困難であった。
【０００７】
従って、本発明は、熱安定性及び蒸気性に優れ、且つ、残留炭素が少ない高品質なモリブデン含有薄膜を形成することができる、薄膜形成用原料及びそれを用いた薄膜の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、特定の構造を有するモリブデン化合物を含有する薄膜形成用原料を用いることで、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本開示は、下記一般式（１）で表されるモリブデン化合物を含有する薄膜形成用原料を提供する。
【００１０】
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2024117104000001.jpg
57
62
（【００１１】以降は省略されています）

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