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公開番号2024096102
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-07-11
出願番号2023222995
出願日2023-12-28
発明の名称埋め込み型パッケージ放熱構造及びその作製方法、並びに半導体
出願人珠海越亜半導体股分有限公司,ZHUHAI ACCESS SEMICONDUCTOR CO., LTD
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 23/36 20060101AFI20240704BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】埋め込み型パッケージ放熱構造及びその作製方法並びに半導体を提供する。
【解決手段】埋め込みデバイス及び第1金属層を含み、第1金属層が埋め込みデバイスの非ピン面に密着して設けられた半完成ボードを形成するステップと、第1金属層を基にして、埋め込みデバイスの非ピン面に密着している放熱板を形成するステップと、放熱板上に放熱銅柱を作製するステップと、放熱銅柱を覆う誘電体層を設けるステップと、誘電体層上に第2金属層を圧着するステップと、第2金属層及び誘電体層を部分的にエッチングして、マイクロチャネルを形成するステップと、第2金属層の残りの部分を除去するステップと、誘電体層上に密封層を圧着し、マイクロチャネルを半完成ボードに垂直な方向に密封し、埋め込み型パッケージ放熱構造を得るステップと、を含む。
【効果】埋め込みデバイスの放熱効率を改善することができる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
埋め込みデバイス及び第1金属層を含み、前記第1金属層が前記埋め込みデバイスの非ピン面に密着して設けられた半完成ボードを形成するステップと、
前記第1金属層を基にして、放熱板を形成するステップであって、前記放熱板は前記埋め込みデバイスの非ピン面に密着しているステップと、
前記放熱板上に放熱銅柱を作製するステップと、
前記放熱銅柱を覆う誘電体層を設けるステップと、
前記誘電体層上に第2金属層を圧着するステップと、
前記第2金属層及び前記誘電体層を部分的にエッチングして、マイクロチャネルを形成するステップであって、前記放熱銅柱及び前記放熱板は前記マイクロチャネルの内部に設けられ、前記マイクロチャネルの出口及び入口のいずれも前記半完成ボードの方向に垂直な半完成ボードの側面に設けられるステップと、
前記第2金属層の残りの部分を除去するステップと、
前記誘電体層上に密封層を圧着し、前記マイクロチャネルを前記半完成ボードに垂直な方向に密封し、埋め込み型パッケージ放熱構造を得るステップと、を含む、ことを特徴とする埋め込み型パッケージ放熱構造の作製方法。
続きを表示(約 1,300 文字)【請求項2】
前記第1金属層を基にして、放熱板を形成する前記ステップは、
前記第1金属層を覆うようにフォトレジスト膜を貼り付けるステップと、
前記フォトレジスト膜を露光させて、放熱板パターンを形成するステップと、
前記フォトレジスト膜及び前記放熱板パターンをエッチングして、放熱板を形成するステップと、を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の埋め込み型パッケージ放熱構造の作製方法。
【請求項3】
前記第2金属層の材料は、チタン又はアルミニウムである、ことを特徴とする請求項1に記載の埋め込み型パッケージ放熱構造の作製方法。
【請求項4】
前記第2金属層及び前記誘電体層を部分的にエッチングして、マイクロチャネルを形成する前記ステップは、
フォトレジスト膜を貼り付けるプロセス、露光プロセス及びエッチングプロセスをこの順で行うことによって、前記第2金属層上にウィンドウを形成するステップであって、前記ウィンドウの前記半完成ボードに垂直な方向の投影が前記マイクロチャネルの前記半完成ボードに垂直な方向の投影と同じであるステップと、
前記誘電体層をエッチングして、前記放熱板及び前記放熱銅柱を露出させ、マイクロチャネルを形成するステップと、を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の埋め込み型パッケージ放熱構造の作製方法。
【請求項5】
前記誘電体層上に密封層を圧着し、前記マイクロチャネルを前記半完成ボードに垂直な方向に密封し、埋め込み型パッケージ放熱構造を得る前記ステップは、
前記誘電体層上に粘着層を密着させるステップと、
前記粘着層上に前記密封層を圧着し、前記マイクロチャネルを前記半完成ボードに垂直な方向に密封し、埋め込み型パッケージ放熱構造を得るステップと、を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の埋め込み型パッケージ放熱構造の作製方法。
【請求項6】
埋め込み型パッケージ放熱構造であって、
請求項1に記載の埋め込み型パッケージ放熱構造の作製方法によって得られ、
埋め込みデバイスと、放熱板と、放熱銅柱と、マイクロチャネルと、密封層と、を含み、前記マイクロチャネルの内部に前記放熱板及び前記放熱銅柱が設けられ、前記埋め込みデバイスの非ピン面は前記放熱板に密着しており、前記放熱銅柱は前記放熱板に接続され、前記密封層は、放熱構造に垂直な方向において前記マイクロチャネルを密封する、ことを特徴とする埋め込み型パッケージ放熱構造。
【請求項7】
前記埋め込みデバイスは1つ又は複数である、ことを特徴とする請求項6に記載の埋め込み型パッケージ放熱構造。
【請求項8】
前記放熱銅柱は1つ又は複数である、ことを特徴とする請求項6に記載の埋め込み型パッケージ放熱構造。
【請求項9】
前記埋め込みデバイスのピンに電気的に接続された配線層をさらに含む、ことを特徴とする請求項6に記載の埋め込み型パッケージ放熱構造。
【請求項10】
請求項6~9のいずれか1項に記載の埋め込み型パッケージ放熱構造を含む、ことを特徴とする半導体デバイス。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本願は、半導体作製の技術分野に関し、特に、埋め込み型パッケージ放熱構造及びその作製方法、並びに半導体に関する。
続きを表示(約 1,700 文字)【背景技術】
【0002】
従来技術では、一般的な埋め込みパッケージ方法は、チップなどのデバイスを、予め設置されたキャビティの重合体フレーム又はCore材に実装してから、モールド材でパッケージするものである。例えば、特許文献1で開示された予め設置されたキャビティの有機基材フレームのように、予め設置されたキャビティに能動部品と受動部品を実装した後、例えば特許文献2で開示されたパッケージ方法のように、誘電体材料を圧着することでパッケージを行う。
【0003】
チップなどのデバイスを予め設置されたキャビティの重合体フレーム又はCore材に実装してから、モールド材でパッケージするような従来の形態には、下記の欠点が存在する。高周波、高速、高出力製品の発展に伴い、埋め込み型パッケージ製品は、放熱への要件が高くなり、たとえ放熱性がどんなに良い有機重合体材料であっても、放熱特性には限界があり、高周波、高速、高出力の埋め込み型製品の放熱についての問題を解決することができない。したがって、埋め込み型パッケージ放熱構造の新しい作製方法が求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
中国特許出願公開第105679682号明細書
中国特許出願公開第104332414号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本願の目的は、少なくともある程度で従来技術に存在する技術的課題のうちの1つを解決することである。
【0006】
このため、本願の実施形態の1つの目的は、埋め込み型パッケージ放熱構造及びその作製方法、並びに半導体を提供することであり、前記作製方法によれば、埋め込みデバイスの放熱効果を改善することができる。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記の技術目的を達成させるために、本願の実施形態で使用される技術案は、
埋め込みデバイス及び第1金属層を含み、前記第1金属層が前記埋め込みデバイスの非ピン面に密着して設けられた半完成ボードを形成するステップと、
前記第1金属層を基にして、放熱板を形成するステップであって、前記放熱板は前記埋め込みデバイスの非ピン面に密着しているステップと、
前記放熱板上に放熱銅柱を作製するステップと、
前記放熱銅柱を覆う誘電体層を設けるステップと、
前記誘電体層上に第2金属層を圧着するステップと、
前記第2金属層及び前記誘電体層を部分的にエッチングして、マイクロチャネルを形成するステップであって、前記放熱銅柱及び前記放熱板は前記マイクロチャネルの内部に設けられ、前記マイクロチャネルの出口及び入口のいずれも前記半完成ボードの方向に垂直な半完成ボードの側面に設けられるステップと、
前記第2金属層の残りの部分を除去するステップと、
前記誘電体層上に密封層を圧着し、前記マイクロチャネルを前記半完成ボードに垂直な方向に密封し、埋め込み型パッケージ放熱構造を得るステップと、を含む埋め込み型パッケージ放熱構造の作製方法を含む。
【0008】
また、本発明の上記実施形態における埋め込み型パッケージ放熱構造の作製方法によれば、以下の追加の技術的特徴を有してもよい。
【0009】
さらに、本願の実施形態では、前記第1金属層を基にして、放熱板を形成する前記ステップは、具体的には、
前記第1金属層を覆うようにフォトレジスト膜を貼り付けるステップと、
前記フォトレジスト膜を露光させて、放熱板パターンを形成するステップと、
前記フォトレジスト膜及び前記放熱板パターンをエッチングして、放熱板を形成するステップと、を含む。
【0010】
さらに、本願の実施形態では、前記第2金属層の材料は、チタン又はアルミニウムである。
(【0011】以降は省略されています)

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