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公開番号2024086210
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-27
出願番号2022201230
出願日2022-12-16
発明の名称テンプレート、テンプレートの製造方法、半導体装置の製造方法
出願人キオクシア株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/027 20060101AFI20240620BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】レジストパターンの形成不良を抑制することを可能とする。
【解決手段】テンプレートは、基材と、基材の表面から突出するように設けられるメサ部と、を備える。メサ部の基準面には、当該基準面から突出するように複数の突出部を有する。複数の突出部には、第1突出部と、メサ部の基準面からの突出量が第1突出部よりも低い第2突出部と、が含まれる。第1突出部の頂面の表面積よりも第2突出部の頂面の表面積の方が大きい。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
基板に塗布された樹脂にパターンを転写することが可能なテンプレートであって、
基材と、
前記基材の表面から突出するように設けられるメサ部と、を備え、
前記メサ部の基準面には、当該基準面から突出するように複数の突出部を有し、
複数の前記突出部には、第１突出部と、前記メサ部の基準面からの突出量が前記第１突出部よりも低い第２突出部と、が含まれ、
前記第１突出部の頂面の表面積よりも前記第２突出部の頂面の表面積の方が大きい
テンプレート。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記第２突出部の頂面の表面粗さは、前記第１突出部の頂面の表面粗さよりも大きい
請求項１に記載のテンプレート。
【請求項３】
前記第２突出部の頂面には、前記第１突出部の頂面に形成されていない凹凸構造、又は前記第１突出部の頂面に形成されている凹凸構造よりも大きい凹凸構造が形成されている
請求項１に記載のテンプレート。
【請求項４】
前記第２突出部の頂面に形成されている前記凹凸構造に含まれる凸部の高さは、前記メサ部の基準面からの前記第２突出部の突出量よりも短い
請求項３に記載のテンプレート。
【請求項５】
前記第２突出部の頂面に形成されている前記凹凸構造に含まれる複数の凸部の間に形成される隙間の幅は、複数の前記第２突出部の間に形成される隙間の幅よりも狭い
請求項３に記載のテンプレート。
【請求項６】
複数の前記突出部として、前記基準面からの突出量が異なる少なくとも３つの突出部を備え、
少なくとも３つの前記突出部は、前記突出量が低いものほど頂面の表面積が大きくなるように形成されている
請求項１に記載のテンプレート。
【請求項７】
複数の前記突出部は、前記基準面からの突出量が同一であって、且つ互いに所定の隙間を有して配置される複数の突出片を有している
請求項１に記載のテンプレート。
【請求項８】
前記第２突出部の頂面は、前記有機系材料に対する接触角が９０度以下となる濡れ性を有している
請求項１に記載のテンプレート。
【請求項９】
前記第２突出部の頂面は、前記有機系材料に対する接触角が６５度以下となる濡れ性を有している
請求項１に記載のテンプレート。
【請求項１０】
基板に塗布された樹脂にパターンを転写することが可能なテンプレートの製造方法であって、
基材の表面を加工して、前記基材から突出するようにメサ部を形成し、
前記メサ部の基準面に、第１突出部と、前記基準面からの突出量が前記第１突出部よりも低い第２突出部とを含む複数の突出部を形成し、
前記第１突出部の頂面の表面積よりも前記第２突出部の頂面の表面積の方が大きくなるように前記第２突出部の頂面に対して表面加工処理を施す
テンプレートの製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、テンプレート、テンプレートの製造方法、及び半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、テンプレートのパターンを被加工膜上のレジスト膜に転写して、被加工膜に所望のパターンを形成するインプリント処理が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１４－１６０７５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
開示された実施形態によれば、レジストパターンの形成不良を抑制することが可能なテンプレート、テンプレートの製造方法、及び半導体装置の製造方法が提供される。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態のテンプレートは、基板に塗布された樹脂にパターンを転写することが可能なテンプレートであって、基材と、基材の表面から突出するように設けられるメサ部と、を備える。メサ部の基準面には、当該基準面から突出するように複数の突出部を有する。複数の突出部には、第１突出部と、メサ部の基準面からの突出量が第１突出部よりも低い第２突出部と、が含まれる。第１突出部の頂面の表面積よりも第２突出部の頂面の表面積の方が大きい。
【０００６】
実施形態のテンプレートの製造方法は、基板に塗布された樹脂にパターンを転写することが可能なテンプレートの製造方法であって、基材の表面を加工して、基材から突出するようにメサ部を形成し、メサ部の基準面に、第１突出部と、基準面からの突出量が第１突出部よりも低い第２突出部とを含む複数の突出部を形成し、第１突出部の頂面の表面積よりも第２突出部の頂面の表面積の方が大きくなるように第２突出部の頂面に対して表面加工処理を施す。
【０００７】
実施形態の半導体装置の製造方法は、上記のテンプレートを用いて、メサ部に形成されたパターンを、基板上に塗布された有機系材料に転写してレジストパターンを形成し、レジストパターンに基づいて基板を加工する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
第１実施形態の半導体装置の断面構造を示す断面図。
第１実施形態の半導体装置のメモリ層周辺の断面構造を示す断面図。
第１実施形態のインプリント装置の構造を模式的に示す図。
第１実施形態のテンプレートの正面構造を示す正面図。
第１実施形態のテンプレートの実パターン及びダミーパターンの拡大断面構造を示す断面図。
第１実施形態のテンプレートの実パターンの断面構造を示す断面図。
（Ａ），（Ｂ）は、第１実施形態の柱状パターンの頂面周辺の断面構造を示す断面図。
（Ａ）は、レジスト材に対する第１実施形態の柱状パターンの頂面の濡れ性を模式的に示す断面図。（Ｂ）は、レジスト材に対する参考例の柱状パターンの頂面の濡れ性を模式的に示す断面図。
（Ａ）～（Ｃ）は、第１実施形態の半導体装置の製造工程の一部を示す断面図。
（Ａ）～（Ｃ）は、第１実施形態の半導体装置の製造工程の一部を示す断面図。
（Ａ）～（Ｆ）は、第１実施形態の半導体装置の製造工程の一部を示す断面図。
（Ａ）～（Ｃ）は、第１実施形態のテンプレートの製造工程の一部を示す断面図。
（Ａ）～（Ｃ）は、第１実施形態のテンプレートの製造工程の一部を示す断面図。
（Ａ）～（Ｃ）は、第１実施形態のテンプレートの製造工程の一部を示す断面図。
（Ａ）～（Ｃ）は、第１実施形態のテンプレートの製造工程の一部を示す断面図。
（Ａ）～（Ｃ）は、第１実施形態のテンプレートの製造工程の一部を示す断面図。
（Ａ）～（Ｄ）は、第１実施形態のテンプレートの製造工程の一部を示す断面図。
（Ａ），（Ｂ）は、第１実施形態のテンプレートの製造工程の一部を示す断面図。
（Ａ），（Ｂ）は、第１実施形態のテンプレートとウェハとの間にレジスト材が浸透する様子を示す断面図。
（Ａ）～（Ｃ）は、第１実施形態の変形例のテンプレートの製造工程の一部を示す断面図。
（Ａ），（Ｂ）は、第２実施形態の柱状パターンの頂面周辺の断面構造を示す断面図。
他の実施形態のテンプレートの実パターンの断面構造を示す断面図。
他の実施形態のテンプレートの実パターンの断面構造を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、実施形態について図面を参照しながら説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては可能な限り同一の符号を付して、重複する説明は省略する。
１第１実施形態
第１実施形態のテンプレート、テンプレートの製造方法、及び半導体装置の製造方法について説明する。本実施形態の半導体装置は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリとして構成された不揮発性の記憶装置である。
【００１０】
１．１半導体装置の構成
図１は、本実施形態の半導体装置ＭＤＶの概略構成を示す断面図である。なお、図１においては、図面の視認性を高めるために、断面部分を示すハッチングが省略されている。
（【００１１】以降は省略されています）

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