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公開番号2024083816
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-24
出願番号2022197857
出願日2022-12-12
発明の名称半導体装置及び半導体装置の製造方法
出願人キオクシア株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 25/07 20060101AFI20240617BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体チップ又はボンディングワイヤが封止樹脂から露出することを抑制する。
【解決手段】半導体装置は、支持部材と、第1ボンディングパッドが配設される第1半導体チップと、支持部材と第1半導体チップとの間に配設され、第2ボンディングパッド及び第1絶縁膜が配設される第2半導体チップと、支持部材、第1ボンディングパッド及び第2ボンディングパッドを接続するボンディングワイヤと、少なくとも第1半導体チップ、第2半導体チップ及び前記ボンディングワイヤを封止する封止樹脂と、を備え、第2半導体チップは、支持部材と対向する第1表面と、第1表面の反対側の第2表面と、を有し、第2表面は、第2ボンディングパッド及び第1絶縁膜が配設される第1ボンディング領域と、第1絶縁膜の表面より低く形成された第1低位表面となっており、かつ、第1低位表面の少なくとも一部に第1半導体チップが配設される第1積層領域と、を含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
外部端子を有する支持部材と、
第１ボンディングパッドが配設される第１半導体チップと、
前記支持部材と前記第１半導体チップとの間に配設され、第２ボンディングパッド及び第１絶縁膜が配設される第２半導体チップと、
前記支持部材、前記第１ボンディングパッド及び前記第２ボンディングパッドを接続するボンディングワイヤと、
少なくとも前記第１半導体チップ、前記第２半導体チップ及び前記ボンディングワイヤを封止する封止樹脂と、を備え、
前記第２半導体チップは、前記支持部材と対向する第１表面と、前記第１表面の反対側の第２表面と、を有し、
前記第２表面は、
前記第２ボンディングパッド及び前記第１絶縁膜が配設される第１ボンディング領域と、
前記第１絶縁膜の表面より低く形成された第１低位表面となっており、かつ、前記第１低位表面の少なくとも一部に前記第１半導体チップが配設される第１積層領域と、を含む、
半導体装置。
続きを表示（約 1,600 文字）【請求項２】
前記第１絶縁膜の表面は、前記第２ボンディングパッドの表面より高く形成される、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１半導体チップは、前記第２半導体チップを挟んで前記支持部材と対向する第３表面を有し、
前記半導体装置は、
前記第２表面における前記第１積層領域の少なくとも一部と、前記第３表面の少なくとも一部と、を接着する接着層をさらに備える、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１半導体チップには、第２絶縁膜がさらに配設され、
前記第１半導体チップは、前記第２半導体チップを挟んで前記支持部材と対向する第３表面と、前記第３表面の反対側の第４表面と、を有し、
前記第４表面は、
前記第１ボンディングパッド及び前記第２絶縁膜が配設される第２ボンディング領域と、
前記第２絶縁膜の表面より低く形成された第２低位表面となっており、かつ、前記第２低位表面の少なくとも一部に第３半導体チップが配設される第２積層領域と、を含む、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２表面は矩形であり、
前記第１ボンディング領域は、前記矩形において対向する２つの辺のうちの一方の辺よりも他方の辺の近くに位置する、
請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１ボンディング領域は、前記他方の辺と当接する、
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
複数の半導体チップにそれぞれ含まれるべき複数の回路が形成された半導体ウエハの第１面に絶縁膜を形成し、
前記第１面の一部である第２表面であって、ボンディングパッド及び前記絶縁膜の一部が配設されるボンディング領域と、前記絶縁膜の表面より低く形成された低位表面となっており、かつ、前記低位表面の少なくとも一部に前記半導体チップが配設可能な積層領域と、を含む前記第２表面を前記回路ごとに形成し、
前記半導体ウエハをダイシングして複数の前記半導体チップを形成し、
外部端子を有する支持部材に、前記半導体チップに相当する第２半導体チップを配置し、
前記第２半導体チップにおける前記積層領域に相当する第１積層領域に、他の前記半導体チップに相当する第１半導体チップを配置し、
前記支持部材と、前記第１半導体チップの前記ボンディングパッドに相当する第１ボンディングパッドと、前記第２半導体チップの前記ボンディングパッドに相当する第２ボンディングパッドと、をボンディングワイヤで接続し、
少なくとも前記第１半導体チップ、前記第２半導体チップ及び前記ボンディングワイヤを封止樹脂で封止する、
ことを含む半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２表面を前記回路ごとに形成することは、
前記絶縁膜をフォトリソグラフィー加工して、前記ボンディング領域において前記ボンディングパッドが形成されるべき部分の前記絶縁膜を除去し、
前記部分に前記ボンディングパッドを形成すること、を含む、
請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２表面を前記回路ごとに形成することは、
前記絶縁膜をフォトリソグラフィー加工して、前記積層領域において前記絶縁膜を除去することを含む、
請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１面に前記絶縁膜を形成することは、
前記ボンディングパッドの表面より高い表面の前記絶縁膜を形成することを含む、
請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置の中には、積層された複数の半導体チップが実装基板上に実装されるものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１９―５７５７５号公報
米国特許出願公開ＵＳ２０２２／０２０８７３０号明細書
米国特許出願公開ＵＳ２０１０／００２２０３５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば、半導体チップ上に設けられたボンディングパッドと実装基板とがワイヤでボンディングされる。そして、半導体チップ及びワイヤが樹脂で封止される。このとき、半導体チップ又はワイヤが樹脂の上方から露出することがある。
【０００５】
本開示は、半導体チップ又はボンディングワイヤが封止樹脂から露出することを抑制することが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示に係る半導体装置は、外部端子を有する支持部材と、第１ボンディングパッドが配設される第１半導体チップと、前記支持部材と前記第１半導体チップとの間に配設され、第２ボンディングパッド及び第１絶縁膜が配設される第２半導体チップと、前記支持部材、前記第１ボンディングパッド及び前記第２ボンディングパッドを接続するボンディングワイヤと、少なくとも前記第１半導体チップ、前記第２半導体チップ及び前記ボンディングワイヤを封止する封止樹脂と、を備え、前記第２半導体チップは、前記支持部材と対向する第１表面と、前記第１表面の反対側の第２表面と、を有し、前記第２表面は、前記第２ボンディングパッド及び前記第１絶縁膜が配設される第１ボンディング領域と、前記第１絶縁膜の表面より低く形成された第１低位表面となっており、かつ、前記第１低位表面の少なくとも一部に前記第１半導体チップが配設される第１積層領域と、を含む。
【０００７】
本開示に係る半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップにそれぞれ含まれるべき複数の回路が形成された半導体ウエハの第１面に絶縁膜を形成し、前記第１面の一部である第２表面であって、ボンディングパッド及び前記絶縁膜の一部が配設されるボンディング領域と、前記絶縁膜の表面より低く形成された低位表面となっており、かつ、前記低位表面の少なくとも一部に前記半導体チップが配設可能な積層領域と、を含む前記第２表面を前記回路ごとに形成し、前記半導体ウエハをダイシングして複数の前記半導体チップを形成し、外部端子を有する支持部材に、前記半導体チップに相当する第２半導体チップを配置し、前記第２半導体チップにおける前記積層領域に相当する第１積層領域に、他の前記半導体チップに相当する第１半導体チップを配置し、前記支持部材と、前記第１半導体チップの前記ボンディングパッドに相当する第１ボンディングパッドと、前記第２半導体チップの前記ボンディングパッドに相当する第２ボンディングパッドと、をボンディングワイヤで接続し、少なくとも前記第１半導体チップ、前記第２半導体チップ及び前記ボンディングワイヤを封止樹脂で封止する、ことを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本実施形態に係る半導体装置の側面視における断面を示す模式図である。
本実施形態に係る半導体チップを上方から見た平面図である。
比較例に係る半導体装置の側面視における断面を示す模式図である。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。
本実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
本実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
本実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
本実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
本実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
本実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
本実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
本実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
本実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
変形例に係る半導体装置の側面視における断面を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照しながら本実施形態について説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては可能な限り同一の符号を付して、重複する説明は省略する。
【００１０】
以下、本実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。各図面には、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示すことがある。Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、右手系の３次元の直交座標を形成する。以下、Ｘ軸の矢印方向をＸ軸＋方向、矢印とは逆方向をＸ軸－方向と呼ぶことがあり、その他の軸についても同様である。なお、Ｚ軸＋方向及びＺ軸－方向を、それぞれ「上方」及び「下方」と呼ぶこともある。また、Ｘ軸、Ｙ軸又はＺ軸にそれぞれ直交する面を、ＹＺ面、ＺＸ面又はＸＹ面と呼ぶことがある。
（【００１１】以降は省略されています）

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