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公開番号2024082863
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-20
出願番号2022197030
出願日2022-12-09
発明の名称保護膜の形成方法、保護膜、及び、センサ
出願人アズビル株式会社
代理人個人
主分類G01F 1/684 20060101AFI20240613BHJP(測定;試験)
要約【課題】品質及び生産性の良い保護膜を得る。
【解決手段】被測定流体の流量を測定するセンサが備える測温抵抗体13を覆って測温抵抗体23を被測定流体から保護する保護膜23を形成する。この保護膜23の形成方法は、測温抵抗体13を覆う第1絶縁層23Aを保護膜23の最下層として原子層堆積法により形成する第1ステップと、第1絶縁層23A上に第2絶縁層23Bを保護膜23の中間層として化学気相成長法又は物理気相成長法により形成する第2ステップと、第2絶縁層23B上に第3絶縁層23Cを保護膜23の最上層として原子層堆積法により形成する第3ステップと、を備える。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項1】
被測定流体の物理量を測定するセンサが備える導体を覆って当該導体を前記被測定流体から保護する保護膜の形成方法であって、
前記導体を覆う第1絶縁層を前記保護膜の最下層として原子層堆積法により形成する第1ステップと、
前記第1絶縁層上に第2絶縁層を前記保護膜の中間層として化学気相成長法又は物理気相成長法により形成する第2ステップと、
前記第2絶縁層上に第3絶縁層を前記保護膜の最上層として原子層堆積法により形成する第3ステップと、
を備える、保護膜の形成方法。
続きを表示(約 800 文字)【請求項2】
前記導体は、測温抵抗体であり、
前記第1絶縁層、前記第2絶縁層、及び、前記第3絶縁層は、同じ材料により形成されている、
請求項1に記載の保護膜の形成方法。
【請求項3】
前記同じ材料は、SiN又はSiO

である、
請求項2に記載の保護膜の形成方法。
【請求項4】
前記センサは、前記被測定流体を加熱するヒータと前記測温抵抗体とにより、前記被測定流体の前記物理量としての流量を計測する熱式流量センサであり、
前記導体は、前記測温抵抗体と前記ヒータとを含み、
前記保護膜は、厚み方向に直交する方向に連続して前記測温抵抗体と前記ヒータとを覆うように形成される、
請求項2に記載の保護膜の形成方法。
【請求項5】
前記被測定流体は、導電性流体である、
請求項1に記載の保護膜の形成方法。
【請求項6】
前記導体は、ベース上に形成され、当該ベースと段差部分を形成しており、
前記第1絶縁層、前記第2絶縁層、及び、前記第3絶縁層は、前記段差部分を覆うように形成される、
請求項1に記載の保護膜の形成方法。
【請求項7】
被測定流体の物理量を測定するセンサが備える導体を覆って前記導体を前記被測定流体から保護する保護膜であって、
原子層堆積法により形成され前記導体を覆う第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に化学気相成長法又は物理気相成長法により形成された第2絶縁層と、
前記第2絶縁層上に原子層堆積法により形成された第3絶縁層と、
を備える保護膜。
【請求項8】
請求項7に記載の保護膜と、
前記保護膜によって保護される前記導体と、
を備えるセンサ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、保護膜の形成方法、保護膜、及び、センサに関する。
続きを表示(約 1,100 文字)【背景技術】
【0002】
測定対象の流体である被測定流体の物理量を測定するセンサには、被測定流体の流路に、測温抵抗体などの導体が設けられる。特許文献1が開示するように、導体は、保護膜(特許文献1では、絶縁体22)により覆われ被測定流体から保護される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2022-16754号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上記の保護膜を、化学気相成長法(CVD)、物理気相成長法(PVD)、及び、原子層堆積法(ALD)のいずれかで形成することが考えられる。CVD及びPVDは成膜レートが良いため、その生産性は良い。しかしながら、膜の品質には難がある。ALDは、品質の良い膜を形成できるが、ALDは成膜レートが悪く、ALDのみで保護膜を形成する場合、保護膜として必要な厚みを得るのに時間を要する。つまり、ALDの生産性は良くない。
【0005】
本発明は、品質及び生産性の良い保護膜を得ることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記課題を解決するため、本発明に係る保護膜の形成方法は、被測定流体の物理量を測定するセンサが備える導体を覆って当該導体を前記被測定流体から保護する保護膜の形成方法であって、前記導体を覆う第1絶縁層を前記保護膜の最下層として原子層堆積法により形成する第1ステップと、前記第1絶縁層上に第2絶縁層を前記保護膜の中間層として化学気相成長法又は物理気相成長法により形成する第2ステップと、前記第2絶縁層上に第3絶縁層を前記保護膜の最上層として原子層堆積法により形成する第3ステップと、を備える。
【0007】
一例として、前記導体は、測温抵抗体であり、前記第1絶縁層、前記第2絶縁層、及び、前記第3絶縁層は、同じ材料により形成されてもよい。
【0008】
一例として、前記同じ材料は、SiN又はSiO

であってもよい。
【0009】
一例として、前記センサは、前記被測定流体を加熱するヒータと前記測温抵抗体とにより、前記被測定流体の前記物理量としての流量を計測する熱式流量センサであり、前記導体は、前記測温抵抗体と前記ヒータとを含み、前記保護膜は、厚み方向に直交する方向に連続して前記測温抵抗体と前記ヒータとを覆うように形成されてもよい。
【0010】
一例として、前記被測定流体は、導電性流体であってもよい。
(【0011】以降は省略されています)

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