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公開番号2024082863
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-20
出願番号2022197030
出願日2022-12-09
発明の名称保護膜の形成方法、保護膜、及び、センサ
出願人アズビル株式会社
代理人個人
主分類G01F 1/684 20060101AFI20240613BHJP(測定;試験)
要約【課題】品質及び生産性の良い保護膜を得る。
【解決手段】被測定流体の流量を測定するセンサが備える測温抵抗体13を覆って測温抵抗体23を被測定流体から保護する保護膜23を形成する。この保護膜23の形成方法は、測温抵抗体13を覆う第1絶縁層23Aを保護膜23の最下層として原子層堆積法により形成する第1ステップと、第1絶縁層23A上に第2絶縁層23Bを保護膜23の中間層として化学気相成長法又は物理気相成長法により形成する第2ステップと、第2絶縁層23B上に第3絶縁層23Cを保護膜23の最上層として原子層堆積法により形成する第3ステップと、を備える。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
被測定流体の物理量を測定するセンサが備える導体を覆って当該導体を前記被測定流体から保護する保護膜の形成方法であって、
前記導体を覆う第１絶縁層を前記保護膜の最下層として原子層堆積法により形成する第１ステップと、
前記第１絶縁層上に第２絶縁層を前記保護膜の中間層として化学気相成長法又は物理気相成長法により形成する第２ステップと、
前記第２絶縁層上に第３絶縁層を前記保護膜の最上層として原子層堆積法により形成する第３ステップと、
を備える、保護膜の形成方法。
続きを表示（約 800 文字）【請求項２】
前記導体は、測温抵抗体であり、
前記第１絶縁層、前記第２絶縁層、及び、前記第３絶縁層は、同じ材料により形成されている、
請求項１に記載の保護膜の形成方法。
【請求項３】
前記同じ材料は、ＳｉＮ又はＳｉＯ
２
である、
請求項２に記載の保護膜の形成方法。
【請求項４】
前記センサは、前記被測定流体を加熱するヒータと前記測温抵抗体とにより、前記被測定流体の前記物理量としての流量を計測する熱式流量センサであり、
前記導体は、前記測温抵抗体と前記ヒータとを含み、
前記保護膜は、厚み方向に直交する方向に連続して前記測温抵抗体と前記ヒータとを覆うように形成される、
請求項２に記載の保護膜の形成方法。
【請求項５】
前記被測定流体は、導電性流体である、
請求項１に記載の保護膜の形成方法。
【請求項６】
前記導体は、ベース上に形成され、当該ベースと段差部分を形成しており、
前記第１絶縁層、前記第２絶縁層、及び、前記第３絶縁層は、前記段差部分を覆うように形成される、
請求項１に記載の保護膜の形成方法。
【請求項７】
被測定流体の物理量を測定するセンサが備える導体を覆って前記導体を前記被測定流体から保護する保護膜であって、
原子層堆積法により形成され前記導体を覆う第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に化学気相成長法又は物理気相成長法により形成された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に原子層堆積法により形成された第３絶縁層と、
を備える保護膜。
【請求項８】
請求項７に記載の保護膜と、
前記保護膜によって保護される前記導体と、
を備えるセンサ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、保護膜の形成方法、保護膜、及び、センサに関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
測定対象の流体である被測定流体の物理量を測定するセンサには、被測定流体の流路に、測温抵抗体などの導体が設けられる。特許文献１が開示するように、導体は、保護膜（特許文献１では、絶縁体２２）により覆われ被測定流体から保護される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－１６７５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の保護膜を、化学気相成長法（ＣＶＤ）、物理気相成長法（ＰＶＤ）、及び、原子層堆積法（ＡＬＤ）のいずれかで形成することが考えられる。ＣＶＤ及びＰＶＤは成膜レートが良いため、その生産性は良い。しかしながら、膜の品質には難がある。ＡＬＤは、品質の良い膜を形成できるが、ＡＬＤは成膜レートが悪く、ＡＬＤのみで保護膜を形成する場合、保護膜として必要な厚みを得るのに時間を要する。つまり、ＡＬＤの生産性は良くない。
【０００５】
本発明は、品質及び生産性の良い保護膜を得ることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明に係る保護膜の形成方法は、被測定流体の物理量を測定するセンサが備える導体を覆って当該導体を前記被測定流体から保護する保護膜の形成方法であって、前記導体を覆う第１絶縁層を前記保護膜の最下層として原子層堆積法により形成する第１ステップと、前記第１絶縁層上に第２絶縁層を前記保護膜の中間層として化学気相成長法又は物理気相成長法により形成する第２ステップと、前記第２絶縁層上に第３絶縁層を前記保護膜の最上層として原子層堆積法により形成する第３ステップと、を備える。
【０００７】
一例として、前記導体は、測温抵抗体であり、前記第１絶縁層、前記第２絶縁層、及び、前記第３絶縁層は、同じ材料により形成されてもよい。
【０００８】
一例として、前記同じ材料は、ＳｉＮ又はＳｉＯ
２
であってもよい。
【０００９】
一例として、前記センサは、前記被測定流体を加熱するヒータと前記測温抵抗体とにより、前記被測定流体の前記物理量としての流量を計測する熱式流量センサであり、前記導体は、前記測温抵抗体と前記ヒータとを含み、前記保護膜は、厚み方向に直交する方向に連続して前記測温抵抗体と前記ヒータとを覆うように形成されてもよい。
【００１０】
一例として、前記被測定流体は、導電性流体であってもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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