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公開番号2024079235
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-11
出願番号2022192064
出願日2022-11-30
発明の名称発光素子の検査方法及び製造方法
出願人日亜化学工業株式会社
代理人弁理士法人磯野国際特許商標事務所
主分類H01L 33/00 20100101AFI20240604BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】発光素子の断線不良を検査する方法を提供する。
【解決手段】発光素子の検査方法は、n側半導体層31と、p側半導体層32と、n側半導体層31とp側半導体層32との間に配置された活性層33と、を含む半導体構造体30と、n側電極41及びp側電極42を含む電極40と、を含む発光素子20の検査方法であって、n側電極41及びp側電極42を導電性の液体50に電気的に接触させた状態で、発光素子20に光60を照射し、第1フォトルミネッセンス像を得る第1撮像工程と、第1撮像工程において、得られた第1フォトルミネッセンス像の明暗に基づいて、発光素子20の断線不良を検査する第1検査工程と、を含む。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
ｎ側半導体層と、ｐ側半導体層と、前記ｎ側半導体層と前記p側半導体層との間に配置された活性層と、を含む半導体構造体と、ｎ側電極及びｐ側電極を含む電極と、を含む発光素子の検査方法であって、
前記ｎ側電極及び前記ｐ側電極を導電性の液体に電気的に接触させた状態で、前記発光素子に光を照射し、第１フォトルミネッセンス像を得る第１撮像工程と、
前記第１撮像工程において、得られた前記第１フォトルミネッセンス像の明暗に基づいて、前記発光素子の断線不良を検査する第１検査工程と、を含む発光素子の検査方法。
続きを表示（約 830 文字）【請求項２】
前記第１撮像工程の前又は後に、前記ｎ側電極及び前記ｐ側電極を導電性の液体に電気的に接触させない状態で、前記発光素子に前記光を照射し、第２フォトルミネッセンス像を得る第２撮像工程と、
前記第２撮像工程において得られた前記第２フォトルミネッセンス像の明暗に基づいて、前記発光素子の短絡不良を検査する、第２検査工程と、をさらに含む請求項１に記載の発光素子の検査方法。
【請求項３】
前記導電性の液体は、水溶液である、請求項１に記載の発光素子の検査方法。
【請求項４】
前記水溶液は、クエン酸、または、アンモニアの何れか１つを含む、請求項３に記載の発光素子の検査方法。
【請求項５】
前記発光素子に照射する前記光の発光ピーク波長は、４００ｎｍ以上４７０ｎｍ未満である請求項１に記載の発光素子の検査方法。
【請求項６】
ｎ側半導体層と、ｎ側半導体層の上に配置された活性層と、前記活性層上に配置されたｐ側半導体層と、を含む半導体構造体と、ｎ側電極及びｐ側電極を含む電極と、を備えた発光素子を準備する準備工程と、
請求項１から請求項５の何れか一項に記載の発光素子の検査方法による選別工程と、を含む、発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記準備工程において、前記半導体構造体は、互いに離隔した複数の素子領域を有し、
前記複数の素子領域は、それぞれ、前記ｎ側半導体層、前記活性層、及び、前記ｐ側半導体層を含む、請求項６に記載の発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記準備工程において、前記複数の素子領域は、少なくとも第１素子領域と、前記第１素子領域と隣り合う第２素子領域と、を含み、
前記第１素子領域のｎ側半導体層と、前記第２素子領域のｎ側半導体層と、は、接続領域を介して連続している、請求項７に記載の発光素子の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光素子の検査方法及び製造方法に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体の検査の方法として、フォトルミネッセンス（ＰＬ）を観測する方法が開示されている（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開２０１８－０７９６５７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示に係る実施形態は、断線不良を検査する方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に開示される発光素子の検査方法は、ｎ側半導体層と、ｐ側半導体層と、前記ｎ側半導体層と前記p側半導体層との間に配置された活性層と、を含む半導体構造体と、ｎ側電極及びｐ側電極を含む電極と、を含む発光素子の検査方法であって、前記ｎ側電極及び前記ｐ側電極を導電性の液体に電気的に接触させた状態で、前記発光素子に光を照射し、第１フォトルミネッセンス像を得る第１撮像工程と、前記第１撮像工程において、得られた前記第１フォトルミネッセンス像の明暗に基づいて、前記発光素子の断線不良を検査する第１検査工程と、を含む。
【０００６】
また、実施形態に開示される発光素子の製造方法は、ｎ側半導体層と、ｎ側半導体層の上に配置された活性層と、前記活性層上に配置されたｐ側半導体層と、を含む半導体構造体と、ｎ側電極及びｐ側電極を含む電極と、を備えた発光素子を準備する準備工程と、実施形態に開示される発光素子の検査方法による選別工程と、を含む。
【発明の効果】
【０００７】
本開示に係る実施形態によれば、断線不良の検査を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
実施形態に係る発光素子の検査方法を例示するフローチャートである。
発光素子が形成されている成長基板を例示する平面図である。
図２Ａの一部を拡大して例示する平面図である。
図２ＢのＩＩＣ－ＩＩＣ線における断面図である。
第１検査工程における発光素子を例示する断面図である。
第１ＰＬ像を模式的に示す平面図である。
可視光画像を模式的に示す平面図である。
第１ＰＬ像を例示する写真である。
実施形態に係る検査装置の構成を例示する概略図である。
第２ＰＬ像を模式的に示す平面図である。
実施形態に係る発光素子の製造方法を例示するフローチャートである。
実施形態に係る発光素子の製造方法を例示する断面図である。
実施形態に係る発光素子の製造方法を例示する断面図である。
実施形態に係る発光素子の製造方法を例示する断面図である。
実施形態に係る発光素子の製造方法を例示する断面図である。
実施形態に係る発光素子の製造方法を例示する平面図である。
実施形態に係る発光素子の製造方法を例示する断面図である。
発光素子を例示する斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施形態における一例を、以下に図面を参照しながら説明する。但し、以下に示す実施形態は、本開示に係る技術的思想を具現化するための発光素子の検査方法及び検査装置並びに発光素子及びその製造方法を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示に過ぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張又は簡略化していることがある。また、実施形態について、「覆う」とは直接接する場合に限らず、間接的に、例えば他の部材を介して覆う場合も含む。
【００１０】
［発光素子の検査方法］
実施形態に係る発光素子の検査方法について、図面を参照しながら説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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