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公開番号2024077216
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-07
出願番号2022189164
出願日2022-11-28
発明の名称半導体ウエハ加工用液状表面保護材、半導体ウエハ加工用液状表面保護材から形成された保護膜、および、半導体ウエハの加工方法
出願人日東電工株式会社
代理人弁理士法人籾井特許事務所
主分類H01L 21/304 20060101AFI20240531BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体ウエハ表面の埋め込み性に優れ、かつ、剥離後の半導体ウエハ表面への糊残り(表面保護部材の残渣の付着)を抑制し得る半導体ウエハ加工用液状表面保護材を提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態の半導体ウエハ加工用液状表面保護材は、アクリル系エマルション樹脂を含む。また、本発明の実施形態の保護膜は上記半導体ウエハ加工用液状表面保護材から形成される。本発明の実施形態の半導体ウエハの加工方法は、半導体ウエハ加工用液状表面保護材を半導体ウエハの回路パターンが形成された面に塗布し、保護膜を形成することと、半導体ウエハの保護膜が形成されていない面を研削することと、保護膜を剥離除去することと、を含む。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
アクリル系エマルション樹脂を含む、半導体ウエハ加工用液状表面保護材。
続きを表示（約 600 文字）【請求項２】
前記アクリル系エマルション樹脂の酸価が１０ｍｇ／ＫＯＨ以下である、請求項１に記載の半導体ウエハ加工用液状表面保護材。
【請求項３】
前記アクリル系エマルション樹脂のＳＰ値が９（ｃａｌ／ｃｍ
３
）
１／２
～１１（ｃａｌ／ｃｍ
３
）
１／２
である、請求項１に記載の半導体ウエハ加工用液状表面保護材。
【請求項４】
ＢＨ粘度が０．１Ｐａ・ｓ～１０Ｐａ・ｓである、請求項１に記載の半導体ウエハ加工用液状表面保護材。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の半導体ウエハ加工用液状表面保護材を用いて形成された保護膜。
【請求項６】
２３℃における引張弾性率が０．１ＧＰａ～１．１ＧＰａである、請求項５に記載の保護膜。
【請求項７】
シリコンウエハに対する粘着力が１．０Ｎ／２５ｍｍ以下である、請求項５に記載の保護膜。
【請求項８】
請求項１から４のいずれかに記載の半導体ウエハ加工用液状表面保護材を半導体ウエハの回路パターンが形成された面に塗布し、保護膜を形成することと、
該半導体ウエハの保護膜が形成されていない面を研削することと、
該保護膜を剥離除去することと、を含む、半導体ウエハの加工方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体ウエハ加工用液状表面保護材、半導体ウエハ加工用液状表面保護材から形成された保護膜、および、半導体ウエハの加工方法に関する。
続きを表示（約 2,700 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハは、回路が形成された面を保護材で保護した状態で、バックグラインド工程等の加工工程に供される。半導体ウエハの代表的な保護材としては、粘着テープが知られている（例えば、特許文献１）。近年、半導体ウエハの回路面は複雑化しており、粘着テープでは回路面の凹凸を十分に埋め込むことができない場合がある。埋め込みが不十分である場合、粘着テープの粘着剤層と半導体ウエハ表面との間に水が浸入し、チップ飛び、および、割れが生じるおそれがある。また、埋め込みが不十分である部分に異物が付着する場合がある。
【０００３】
粘着テープ以外の半導体ウエハの回路面の保護方法として、液状の組成物を塗布し、保護膜を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献２～６）。しかしながら、これらの方法により形成された保護膜は、保護膜除去後に、回路面に残渣が付着し保護膜による回路面の汚染が生じ得る。また、除去工程には、溶剤を用いた除去工程が必要な場合があり、環境への負荷が増加し得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１５－１８５６４１号公報
特開平１０－１２０９６５号公報
特開２０００－３１５６６８号公報
特開２０１４－２１２１７９号公報
特開２０１１－２３２７２号公報
特開２０１４－１９８８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は上記従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、半導体ウエハ表面の埋め込み性に優れ、かつ、剥離後の半導体ウエハ表面への糊残り（表面保護部材の残渣の付着）を抑制し得る半導体ウエハ加工用液状表面保護材を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
１．本発明の実施形態の半導体ウエハ加工用液状表面保護材は、アクリル系エマルション樹脂を含む。
２．上記１に記載の半導体ウエハ加工用液状表面保護材において、上記アクリル系エマルション樹脂の酸価は１０ｍｇ／ＫＯＨ以下であってもよい。
３．上記１または２に記載の半導体ウエハ加工用液状表面保護材において、上記アクリル系エマルション樹脂のＳＰ値は９（ｃａｌ／ｃｍ
３
）
１／２
～１１（ｃａｌ／ｃｍ
３
）
１／２
であってもよい。
４．上記１から３のいずれかに記載の半導体ウエハ加工用液状表面保護材において、ＢＨ粘度は０．１Ｐａ・ｓ～１０Ｐａ・ｓであってもよい。
５．本発明の実施形態の別の局面においては保護膜が提供される。この保護膜は、上記１から４のいずれかに記載の半導体ウエハ加工用液状表面保護材を用いて形成される。
６．上記５に記載の保護膜において、２３℃における引張弾性率は０．１ＧＰａ～１．１ＧＰａであってもよい。
７．上記５または６に記載の保護膜において、シリコンウエハに対する粘着力は１．０Ｎ／２５ｍｍ以下であってもよい。
８．本発明の実施形態のさらに別の局面においては、半導体ウエハの加工方法が提供される。この半導体ウエハの加工方法は、上記１から４のいずれかに記載の半導体ウエハ加工用液状表面保護材を半導体ウエハの回路パターンが形成された面に塗布し、保護膜を形成することと、該半導体ウエハの保護膜が形成されていない面を研削することと、該保護膜を剥離除去することと、を含む。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の実施形態によれば、半導体ウエハ表面（より詳細には回路面）の埋め込み性に優れ、かつ、保護膜を剥離後の半導体ウエハ表面への糊残り（表面保護部材の残渣の付着）を抑制し得る半導体ウエハ加工用液状表面保護材が提供される。さらに、本発明の実施形態の半導体ウエハ加工用液状表面保護材を用いて形成された保護膜は、剥離除去が可能であり、溶剤による除去工程を必要としない。したがって、溶剤使用による環境への負荷を低減し得る。さらに、剥離後の半導体ウエハ表面への糊残り（表面保護部材の残渣の付着）も抑制し得る。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本発明の実施形態の半導体ウエハの加工工程における半導体ウエハおよび保護膜の概略断面図である。
本発明の別の実施形態の半導体ウエハの加工工程における半導体ウエハおよび保護膜の概略断面図である。
本発明のさらに別の実施形態の半導体ウエハの加工工程における半導体ウエハおよび保護膜の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
Ａ．半導体ウエハ加工用液状表面保護材
本発明の実施形態の半導体ウエハ加工用液状表面保護材（以下、液状表面保護材ともいう）は、アクリル系エマルション樹脂を含む。本発明の実施形態の液状表面保護材は、例えば、半導体ウエハの回路面に塗布して用いられる。半導体ウエハの回路面の形状は複雑化しており、半導体ウエハの加工工程で回路面を適切に保護するために、より埋め込み性に優れた表面保護材が求められている。本発明の実施形態の表面保護材は液状であるため、半導体ウエハの回路面が複雑な形状であっても、半導体ウエハの表面（より詳細には回路面）の埋め込み性に優れ得る。また、本発明の実施形態の液状表面保護材により形成される保護膜は、剥離により容易に除去することができる。そのため、溶剤による溶解除去工程を必要とせず、溶剤による環境への負荷を低減し得る。さらに、半導体ウエハ表面への糊残り（表面保護部材の残渣の付着）も抑制し得る。
【００１０】
本発明の実施形態の液状表面保護材のＢＨ粘度は、好ましくは０．１Ｐａ・ｓ～１０Ｐａ・ｓであり、より好ましくは０．２Ｐａ・ｓ～５Ｐａ・ｓであり、さらに好ましくは０．３Ｐａ・ｓ～３Ｐａ・ｓであり、特に好ましくは０．５Ｐａ・ｓ～２Ｐａ・ｓである。ＢＨ粘度が上記範囲であれば、液状表面保護材を半導体ウエハ表面に良好に塗布することができる。ＢＨ粘度は塗布方法に合わせて任意の適切な値に調整され得る。本明細書において、ＢＨ粘度は、ＢＨ型粘度計により、３０℃、２ｒｐｍの条件で測定した粘度をいう。測定に使用するローターは、粘度に応じて任意の適切なローターを用いることができ、例えば、Ｎｏ．２ローターを用いることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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