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公開番号2024076686
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-06
出願番号2022188366
出願日2022-11-25
発明の名称半導体装置
出願人住友電気工業株式会社
代理人個人,個人
主分類H02M 7/48 20070101AFI20240530BHJP(電力の発電,変換,配電)
要約【課題】スイッチング速度を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、回路基板と、前記回路基板に実装されたディスクリート型の第1スイッチング素子と、前記回路基板に実装されたディスクリート型の第2スイッチング素子と、を有し、前記第1スイッチング素子は、第1トランジスタと、前記第1トランジスタに接続された第1主端子および第2主端子と、を有し、前記第2スイッチング素子は、第2トランジスタと、前記第2トランジスタに接続された第3主端子および第4主端子と、を有し、前記第1主端子から前記第2主端子に電流が流れ、前記第3主端子から前記第4主端子に電流が流れ、前記第1スイッチング素子は第1面を備え、前記第2スイッチング素子は第2面を備え、前記第1面と前記第2面とが向かい合い、前記第1面に垂直な方向からの平面視で、前記第2主端子は、前記第1主端子の第1の側にあり、前記第4主端子は、前記第3主端子の前記第1の側とは反対の第2の側にある。
【選択図】図9
特許請求の範囲【請求項1】
回路基板と、
前記回路基板に実装されたディスクリート型の第1スイッチング素子と、
前記回路基板に実装されたディスクリート型の第2スイッチング素子と、
を有し、
前記第1スイッチング素子は、
第1トランジスタと、
前記第1トランジスタに接続された第1主端子および第2主端子と、
を有し、
前記第2スイッチング素子は、
第2トランジスタと、
前記第2トランジスタに接続された第3主端子および第4主端子と、
を有し、
前記第1主端子から前記第2主端子に電流が流れ、
前記第3主端子から前記第4主端子に電流が流れ、
前記第1スイッチング素子は第1面を備え、
前記第2スイッチング素子は第2面を備え、
前記第1面と前記第2面とが向かい合い、
前記第1面に垂直な方向からの平面視で、
前記第2主端子は、前記第1主端子の第1の側にあり、
前記第4主端子は、前記第3主端子の前記第1の側とは反対の第2の側にある、
半導体装置。
続きを表示(約 1,000 文字)【請求項2】
前記第1面に垂直な方向からの平面視で、
前記第3主端子は前記第1主端子よりも前記第2主端子に近く、
前記第1主端子は前記第3主端子よりも前記第4主端子に近い、
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第1面に垂直な方向からの平面視で、
前記第1主端子の位置と前記第4主端子の位置とが重なり、
前記第2主端子の位置と前記第3主端子の位置とが重なる、
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第1主端子と前記第4主端子との間に接続されたコンデンサを有する、
請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第2主端子と前記第3主端子とが接続されている、
請求項4に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記第1主端子と前記第3主端子とが接続され、
前記第2主端子と前記第4主端子とが接続されている、
請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記第1スイッチング素子を冷却する第1冷却器と、
前記第2スイッチング素子を冷却する第2冷却器と、
を有する、
請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第1冷却器と前記第2スイッチング素子との間に前記第1スイッチング素子があり、
前記第2冷却器と前記第1スイッチング素子との間に前記第2スイッチング素子がある、
請求項7に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記回路基板に実装された第1制御素子と、
前記回路基板に実装された第2制御素子と、
を有し、
前記第1スイッチング素子は、前記第1トランジスタおよび前記第1制御素子に接続された第1制御端子を有し、
前記第2スイッチング素子は、前記第2トランジスタおよび前記第2制御素子に接続された第2制御端子を有する、
請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記第1面および前記第2面は、前記回路基板に垂直である、
請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 1,700 文字)【背景技術】
【0002】
トランジスタを含むディスクリート型のスイッチング素子を複数有する半導体装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
国際公開第2018/185805号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
近時、半導体装置に対して更なるスイッチング速度の向上が要請されている。
【0005】
本開示は、スイッチング速度を向上できる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の半導体装置は、回路基板と、前記回路基板に実装されたディスクリート型の第1スイッチング素子と、前記回路基板に実装されたディスクリート型の第2スイッチング素子と、を有し、前記第1スイッチング素子は、第1トランジスタと、前記第1トランジスタに接続された第1主端子および第2主端子と、を有し、前記第2スイッチング素子は、第2トランジスタと、前記第2トランジスタに接続された第3主端子および第4主端子と、を有し、前記第1主端子から前記第2主端子に電流が流れ、前記第3主端子から前記第4主端子に電流が流れ、前記第1スイッチング素子は第1面を備え、前記第2スイッチング素子は第2面を備え、前記第1面と前記第2面とが向かい合い、前記第1面に垂直な方向からの平面視で、前記第2主端子は、前記第1主端子の第1の側にあり、前記第4主端子は、前記第3主端子の前記第1の側とは反対の第2の側にある。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、磁束を打ち消し合うことで寄生インダクタンスを低減し、寄生インダクタンスの低減に伴ってスイッチング速度を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
図1は、第1実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。
図2は、第1実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
図3は、第1実施形態に係る半導体装置を示す模式図である。
図4は、第1スイッチング素子を示す模式図である。
図5は、第2スイッチング素子を示す模式図である。
図6は、第1実施形態に係る半導体装置を示す回路図である。
図7は、第2実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。
図8は、第2実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
図9は、第2実施形態に係る半導体装置を示す模式図である。
図10は、第3実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。
図11は、第3実施形態に係る半導体装置を示す模式図である。
図12は、第3実施形態に係る半導体装置を示す回路図である。
図13は、第4実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。
図14は、第4実施形態に係る半導体装置を示す模式図である。
図15は、第4実施形態に係る半導体装置を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
実施するための形態について、以下に説明する。
【0010】
[本開示の実施形態の説明]
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。以下の説明では、同一または対応する要素には同一の符号を付し、それらについて同じ説明は繰り返さない。本明細書中の結晶学的記載においては、個別方位を[]、集合方位を<>、個別面を()、集合面を{}でそれぞれ示している。また結晶学上の指数が負であることは、通常、"-"(バー)を数字の上に付すことによって表現されるが、本開示では数字の前に負の符号を付している。また、以下の説明では、XYZ直交座標系を用いるが、当該座標系は、説明のために定めるものであって、半導体装置の姿勢について限定するものではない。また、任意の点からみて、+Z側を上方、上側または上ということがあり、-Z側を下方、下側または下ということがある。
(【0011】以降は省略されています)

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