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公開番号2024075238
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-03
出願番号2022186525
出願日2022-11-22
発明の名称半導体装置
出願人株式会社デンソー
代理人弁理士法人サトー
主分類H01L 23/12 20060101AFI20240527BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ファンアウトパッケージ型のものにあって、再配線層の配線の、熱応力に起因した断線に対するロバスト性をより高める。
【解決手段】半導体装置1は、ダイ2と、前記ダイ2が電極面を表面側に露出した状態で埋込まれたモールド材層3と、前記モールド材層3の表層に設けられ絶縁層7及び配線8を多層状態に有する再配線層4とを備えたファンアウトパッケージ型のものであって、前記再配線層4の配線8には、前記ダイ2とモールド材層3との境界領域に対応する部分に、他の部分に比べて層の厚み方向に肉厚とされた補強部10が設けられている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
ダイ(2)と、前記ダイが電極面を表面側に露出した状態で埋込まれたモールド材層(3)と、前記モールド材層の表層に設けられ絶縁層(7)及び配線(8)を多層状態に有する再配線層(4、22、32、42)とを備えたファンアウトパッケージ型の半導体装置(1、21、31、41)であって、
前記再配線層の配線には、前記ダイとモールド材層との境界領域に対応する部分に、他の部分に比べて層の厚み方向に肉厚とされた補強部(10、23、33、43)が設けられている半導体装置。
続きを表示(約 480 文字)【請求項2】
前記補強部は、前記再配線層内に、前記配線に接続されたビアを設けた形態で構成される請求項1記載の半導体装置。
【請求項3】
前記補強部は、前記配線において、前記再配線層の外面側に向けて膨らむ形態に設けられている請求項1又は2記載の半導体装置。
【請求項4】
前記補強部は、前記配線において、前記再配線層の内面側に向けて膨らむ形態に設けられている請求項1又は2記載の半導体装置。
【請求項5】
前記補強部は、前記配線において、前記再配線層の外面側及び内面側の双方に向けて膨らむ形態に設けられている請求項1又は2記載の半導体装置。
【請求項6】
前記補強部は、前記再配線層のうち、前記モールド材層の表層から絶縁層を介して離間した位置に設けられている請求項1又は2記載の半導体装置。
【請求項7】
前記補強部は、前記再配線層に、前記ダイとモールド材層との境界領域を跨ぐように配置されている配線のうち、一部の配線に関してのみ設けられている請求項1又は2記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、ファンアウトパッケージ型の半導体装置に関する。
続きを表示(約 2,100 文字)【背景技術】
【0002】
例えばモバイル機器などの電子機器に搭載されるIC等の半導体装置のパッケージ技術として、近年、ファンアウトパッケージ(FOWLP(Fan out Wafer Level Package))技術が注目されている。この種のファンアウトパッケージ型の半導体装置は、ダイ即ち半導体チップを、電極面を表面側に露出した状態で樹脂封止してモールド材層を形成し、前記ダイ及びモールド材層の表層に、絶縁層及び配線を多層状態に有する再配線層を設けて構成される。これにより、小型化、薄型化を図ることができると共に、信号伝達品質の向上等を図ることができる。
【0003】
ところで、ダイをモールド材層で樹脂封止したこの種の半導体パッケージにあっては、使用時に温度変化を受けることに伴い、ダイとモールド材層との間の材料の線膨張係数の違いに起因して、それらの境界領域において曲げ応力が発生し、再配線層のうち当該境界領域部分において配線にクラックが発生し、ひいては断線に至る虞があった。そこで、そのような問題に対処するため、例えば特許文献1では、配線のうち、ダイとモールド材層との間の境界部分に交差して延びる部分の配線幅を、他の部分に比べて太くして強度を高め、断線に対するロバスト性を向上することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
米国特許第10304801号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、上記のように、再配線層における一部の配線の幅寸法を大きくしたものでは、平面的に見た配線面積の増加を招き、配線性が悪化してしまう問題がある。
尚、上記手法とは別の手法として、配線を、ダイとモールド材層との間の境界部に対して、直角に交差するのではなく、斜め方向に交差するように一部強制的に屈曲させて設けることにより、配線に作用する応力を緩和させることも考えられている。ところが、その方法でも、平面的に見た配線面積の増加を招いてしまい、また配線が変則的に屈曲するため、配線性が悪化し、配線のインピーダンス不整合に繋がって高速通信配線の信号品質の低下を招いてしまう欠点もある。
【0006】
そこで、本発明の目的は、ファンアウトパッケージ型のものにあって、再配線層の配線の、熱応力に起因した断線に対するロバスト性をより高めることができる半導体装置を提供するにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記目的を達成するために、半導体装置(1、21、31、41)は、ダイ(2)と、前記ダイが電極面を表面側に露出した状態で埋込まれたモールド材層(3)と、前記モールド材層の表層に設けられ絶縁層(7)及び配線(8)を多層状態に有する再配線層(4、22、32、42)とを備えたファンアウトパッケージ型のものであって、前記再配線層の配線には、前記ダイとモールド材層との境界領域に対応する部分に、他の部分に比べて層の厚み方向に肉厚とされた補強部(10、23、33、43)が設けられている。
【0008】
上記構成によれば、再配線層の配線のうち、ダイとモールド材層との境界領域に対応する部分に、他の部分に比べて層の厚み方向に肉厚とされた補強部が設けられている。この補強部は、肉厚であることから、他の部分に比べて剛性が高いものとなる。そのため、使用時の温度変化に伴いダイとモールド材層との間の材料の線膨張係数の違いに起因して、ダイとモールド材層との境界領域部分に曲げ応力が作用しても、補強部によって機械的強度を高め、クラックや断線の発生を抑制することができる。
【0009】
このとき、補強部は、再配線層の厚み方向に肉厚とされた形態で設けられるので、平面的に見て、配線幅を太くしたり、配線を変則的に屈曲させたりすることなく済ませることができる。従って、面方向に見た配線面積の増加を抑え、配線性を確保することができる。この結果、ファンアウトパッケージ型のものにあって、再配線層の配線の、熱応力に起因した断線に対するロバスト性をより高めることができるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【0010】
第1の実施形態を示すもので、半導体装置の要部の拡大平面図及び拡大縦断正面図を上下に並べて示す図
配線及び補強部を透視状態で示す半導体装置の概略的な平面図
半導体装置の製造工程を説明するための断面図(その1)
半導体装置の製造工程を説明するための断面図(その2)
半導体装置の製造工程を説明するための断面図(その3)
第2の実施形態を示すもので、半導体装置の要部の拡大縦断正面図
第3の実施形態を示すもので、半導体装置の要部の拡大縦断正面図
第4の実施形態を示すもので、半導体装置の要部の拡大縦断正面図
【発明を実施するための形態】
(【0011】以降は省略されています)

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