TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
10個以上の画像は省略されています。
公開番号2024064121
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-05-14
出願番号2022172478
出願日2022-10-27
発明の名称試験装置および試験方法
出願人富士電機株式会社
代理人弁理士法人一色国際特許事務所
主分類G01R 31/26 20200101AFI20240507BHJP(測定;試験)
要約【課題】スイッチング素子の破壊率の低減を図ることのできる試験装置および試験方法を提供する。
【解決手段】所定電圧が印加されるインダクタに直列接続されるスイッチング素子を試験する試験装置であって、スイッチング素子の制御電極に接続される可変抵抗と、スイッチング素子がオフした際のスイッチング素子の電源側電極及び接地側電極間の電圧変化率と、可変抵抗の抵抗値と、の関係を示す第1情報を記憶する記憶回路と、スイッチング素子のオン、オフと、可変抵抗とを制御する制御回路と、を備え、制御回路は、可変抵抗を第1抵抗値に設定して、第1電圧変化率を取得し、第1電圧変化率と、第1情報と、に基づいて、可変抵抗を第1抵抗値より小さい第2抵抗値に設定し、可変抵抗が第2抵抗値のときの第2電圧変化率を取得し、第2電圧変化率が、スイッチング素子の第1仕様を満たすか否かを判定する。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項1】
所定電圧が印加されるインダクタに直列接続されるスイッチング素子を試験する試験装置であって、
前記スイッチング素子の制御電極に接続される可変抵抗と、
前記スイッチング素子がオフした際の前記スイッチング素子の電源側電極及び接地側電極間の電圧変化率と、前記可変抵抗の抵抗値と、の関係を示す第1情報を記憶する記憶回路と、
前記スイッチング素子のオン、オフと、前記可変抵抗とを制御する制御回路と、
を備え、
前記制御回路は、
前記可変抵抗を第1抵抗値に設定して、第1電圧変化率を取得し、
前記第1電圧変化率と、前記第1情報と、に基づいて、前記可変抵抗を前記第1抵抗値より小さい第2抵抗値に設定し、
前記可変抵抗が前記第2抵抗値のときの第2電圧変化率を取得し、
前記第2電圧変化率が、前記スイッチング素子の第1仕様を満たすか否かを判定する、
試験装置。
続きを表示(約 1,500 文字)【請求項2】
請求項1に記載の試験装置であって、
前記制御回路は、
前記第1電圧変化率が、前記第1仕様を満たすか否かを判定し、
前記第1電圧変化率が前記第1仕様を満たさない場合に、前記可変抵抗を前記第2抵抗値に設定する、
試験装置。
【請求項3】
請求項1に記載の試験装置であって、
前記制御回路は、
前記第1電圧変化率が前記第1仕様の下限値となるように前記可変抵抗を前記第1抵抗値に設定する、
試験装置。
【請求項4】
請求項1~3の何れか一項に記載の試験装置であって、
前記記憶回路は、前記スイッチング素子がオフした際に前記スイッチング素子に流れる電流のピーク値と、前記スイッチング素子をオンする際のパルス信号のパルス幅と、の関係を示す第2情報を記憶し、
前記制御回路は、
前記パルス幅を第1期間に設定して、第1ピーク値を取得し、
前記第1ピーク値と、前記第2情報と、に基づいて、前記パルス幅を前記第1期間よりも長い第2期間に設定し、
前記パルス幅が前記第2期間のときの第2ピーク値を取得し、
前記第2ピーク値が、前記スイッチング素子の第2仕様を満たすか否かを判定する、
試験装置。
【請求項5】
請求項4に記載の試験装置であって、
前記制御回路は、
前記第1ピーク値が、前記第2仕様を満たすか否かを判定し、
前記第1ピーク値が前記第2仕様を満たさない場合に、前記パルス幅を前記第2期間に設定する、
試験装置。
【請求項6】
請求項4に記載の試験装置であって、
前記制御回路は、
前記第1ピーク値が前記第2仕様の下限値となるように、前記パルス幅を前記第1期間に設定する、
試験装置。
【請求項7】
請求項1に記載の試験装置であって、
前記インダクタと並列に電流回生用のダイオードが設けられている、
試験装置。
【請求項8】
所定電圧が印加されるインダクタに直列接続して試験するスイッチング素子の試験方法であって、
前記スイッチング素子の制御電極に接続される可変抵抗を第1抵抗値に設定して、前記スイッチング素子がオフした際の前記スイッチング素子の電源側電極及び接地側電極間の第1電圧変化率を取得し、
前記スイッチング素子がオフした際の前記スイッチング素子の電源側電極及び接地側電極間の電圧変化率と前記可変抵抗の抵抗値との関係を示す第1情報と、前記第1電圧変化率と、に基づいて、前記可変抵抗を前記第1抵抗値より小さい第2抵抗値に設定し、
前記可変抵抗が前記第2抵抗値のときの、前記スイッチング素子がオフした際の前記スイッチング素子の電源側電極及び接地側電極間の第2電圧変化率を取得し、
前記第2電圧変化率が、前記スイッチング素子の第1仕様を満たすか否かを判定する、
試験方法。
【請求項9】
請求項8に記載の試験方法であって、
前記第1電圧変化率が、前記第1仕様を満たすか否かを判定し、
前記第1電圧変化率が前記第1仕様を満たさない場合に、前記可変抵抗を前記第2抵抗値に設定する、
試験方法。
【請求項10】
請求項8に記載の試験方法であって、
前記第1電圧変化率が前記第1仕様の下限値となるように前記可変抵抗を前記第1抵抗値に設定する、
試験方法。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、試験装置および試験方法に関する。
続きを表示(約 1,900 文字)【背景技術】
【0002】
スイッチング素子では、初期故障や欠陥品を選別するためのスクリーニング試験として、例えばターンオフスイッチング試験が行われている(例えば、特許文献1、2参照)。ターンオフスイッチンング試験は、スイッチング素子内の欠陥部に電流集中やラッチアップによってダメージを与えて、欠陥品等を選別する試験である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特許第4821601号公報
特開2022-38486号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、通常、ターンオフスイッチング試験では、要求される仕様の下限値を下回らないように、測定環境や素子のばらつき等を考慮して、適正条件よりも厳しい条件(過剰なストレスを与える条件)が設定される。このため、スイッチング素子の破壊が過剰に発生するおそれがある。
【0005】
本発明は、上記のような従来の問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、スイッチング素子の破壊率の低減を図ることのできる試験装置および試験方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
前述した課題を解決する主たる本発明は、所定電圧が印加されるインダクタに直列接続されるスイッチング素子を試験する試験装置であって、前記スイッチング素子の制御電極に接続される可変抵抗と、前記スイッチング素子がオフした際の前記スイッチング素子の電源側電極及び接地側電極間の電圧変化率と、前記可変抵抗の抵抗値と、の関係を示す第1情報を記憶する記憶回路と、前記スイッチング素子のオン、オフと、前記可変抵抗とを制御する制御回路と、を備え、前記制御回路は、前記可変抵抗を第1抵抗値に設定して、前記電圧変化率である第1電圧変化率を取得し、前記第1電圧変化率と、前記第1情報と、に基づいて、前記可変抵抗を前記第1抵抗値より小さい第2抵抗値に設定し、前記可変抵抗が前記第2抵抗値のときの前記電圧変化率である第2電圧変化率を取得し、前記第2電圧変化率が、前記スイッチング素子の第1仕様を満たすか否かを判定する試験装置である。
【0007】
また、本発明は、所定電圧が印加されるインダクタに直列接続して試験するスイッチング素子の試験方法であって、前記スイッチング素子の制御電極に接続される可変抵抗を第1抵抗値に設定して、前記スイッチング素子がオフした際の前記スイッチング素子の電源側電極及び接地側電極間の第1電圧変化率を取得し、前記スイッチング素子がオフした際の前記スイッチング素子の電源側電極及び接地側電極間の電圧変化率と前記可変抵抗の抵抗値との関係を示す第1情報と、前記第1電圧変化率と、に基づいて、前記可変抵抗を前記第1抵抗値より小さい第2抵抗値に設定し、前記可変抵抗が前記第2抵抗値のときの、前記スイッチング素子がオフした際の前記スイッチング素子の電源側電極及び接地側電極間の第2電圧変化率を取得し、前記第2電圧変化率が、前記スイッチング素子の第1仕様を満たすか否かを判定する試験方法である。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、スイッチング素子の破壊率の低減を図ることのできる試験装置および試験方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
一般的な試験装置1Aの構成を示す図である。
ターンオフSW試験波形の一例を示す図である。
ゲート抵抗の抵抗値とdV/dtとの関係を説明するための図である。
dV/dtと破壊率との関係を説明するための図である。
駆動信号(パルス信号)のパルス幅PWと、電流Icのピーク値Icpとの関係を説明するための図である。
ピーク値Icpと破壊率との関係を説明するための図である。
本実施形態の試験装置1の構成を示す図である。
可変抵抗15の一例を示す図である。
本実施形態の試験装置1によるターンオフスイッチング試験のフロー図である。
本実施形態における抵抗値とdV/dtの関係を示す図である。
本実施形態におけるパルス幅とピーク値Icpの関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
本明細書及び添付図面の記載により、少なくとも以下の事項が明らかとなる。
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する

関連特許

富士電機株式会社
半導体装置
5日前
富士電機株式会社
半導体モジュール
5日前
富士電機株式会社
炭化珪素半導体装置
5日前
富士電機株式会社
電子装置及び電子装置の製造方法
5日前
富士電機株式会社
診断装置、診断システム、診断方法、プログラム
5日前
富士電機株式会社
診断装置、診断システム、診断方法、プログラム
5日前
富士電機株式会社
半導体装置
3日前
富士電機株式会社
電圧制御型半導体素子の駆動装置
3日前
日東精工株式会社
検査装置
11日前
個人
回転動作検出システム
13日前
エイブリック株式会社
温度センサ
7日前
大和製衡株式会社
組合せ秤
7日前
大和製衡株式会社
組合せ秤
11日前
個人
交差点形状表現アルゴリズム
3日前
テクノス株式会社
反射装置
6日前
エイブリック株式会社
半導体装置。
7日前
アズビル株式会社
流量センサ
12日前
株式会社D.O.N
人感装置
7日前
株式会社東芝
センサ
19日前
月島食品工業株式会社
分析方法
6日前
株式会社ヨコオ
接続装置
12日前
株式会社テイエルブイ
流量推定システム
13日前
日本電気株式会社
LiDAR装置
11日前
株式会社昭和測器
ロードセル
5日前
ミツミ電機株式会社
測距装置
12日前
株式会社ジークエスト
感温センサー
11日前
トヨタ自動車株式会社
温度計測装置
14日前
ローム株式会社
磁気検出装置
5日前
ミツミ電機株式会社
測距装置
5日前
三晶エムイーシー株式会社
試料容器
20日前
ローム株式会社
磁気検出装置
11日前
富士電機株式会社
エンコーダ
11日前
ヤマハ株式会社
歪センサ装置
7日前
中国電力株式会社
不良碍子検出装置
6日前
株式会社大林組
風速再現装置
7日前
三菱マテリアル株式会社
温度センサ
14日前
続きを見る