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公開番号2024060448
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-05-02
出願番号2022167819
出願日2022-10-19
発明の名称発光装置
出願人豊田合成株式会社
代理人弁理士法人平田国際特許事務所
主分類H01L 33/38 20100101AFI20240424BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体膜が複数の発光部に共通して用いられた発光装置であって、特定の発光部を発光させるための電流が隣接する発光部の発光層を発光させることが抑制された発光装置を提供する。
【解決手段】発光部10a、10b、10cのn型半導体層12a、12b、12cとp型半導体層19a、19b、19cが、発光部10a、10b、10cに共通に用いられる単一の連続した膜であるn型半導体膜12とp型半導体膜19にそれぞれ含まれ、p側コンタクト電極20a、20b、20cの幅が、p側接合電極21a、21b、21cの幅よりも小さい、発光装置1を提供する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
1枚の基板上に並んで配置された、各々が独立して発光する複数の発光部を備えた発光装置であって、
前記複数の発光部の各々が、n型半導体層と、前記n型半導体層の上側の発光層と、前記発光層の上側のp型半導体層と、前記p型半導体層の上面に接続されたp側コンタクト電極と、前記p側コンタクト電極の上面に接続されたp側接合電極を有し、
前記複数の発光部の前記n型半導体層と前記p型半導体層が、前記複数の発光部に共通に用いられる単一の連続した膜であるn型半導体膜とp型半導体膜にそれぞれ含まれ、
前記複数の発光部の前記n型半導体層にn側接合電極が共通して接続され、
前記p側コンタクト電極の幅が、前記p側接合電極の幅よりも小さい、
発光装置。
続きを表示(約 270 文字)【請求項2】
前記p側接合電極が前記p側コンタクト電極の側面を覆っていない、
請求項1に記載の発光装置。
【請求項3】
前記p側接合電極が前記p側コンタクト電極の側面を覆っている、
請求項1に記載の発光装置。
【請求項4】
前記複数の発光部において、隣接する発光部が異なる色で発光する、
請求項1~3のいずれか1項に記載の発光装置。
【請求項5】
前記n側接合電極が前記複数の発光部の外側に配置された、
請求項1~3のいずれか1項に記載の発光装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、発光装置に関する。
続きを表示(約 1,800 文字)【背景技術】
【0002】
従来、1枚の基板上に並んで配置された、各々が独立して発光する複数の発光部を備えた発光装置が知られている(特許文献1参照)。特許文献1に記載の発光装置においては、積層された半導体膜が複数の発光部に共通して用いられており、その積層された半導体膜に発光層などの各発光部を構成する層が含まれている。このため、個々の発光部が分離して設けられる場合と比較して、発光部のピッチを狭くすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2021-158179号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、特許文献1に記載の発光装置においては、積層された半導体膜が複数の発光部に共通して用いられているため、発光部のピッチが小さい場合に、特定の発光部を発光させるための電流が、隣接する発光部に流れ込んでその発光層を発光させるおそれがある。
【0005】
特定の発光部を発光させるための電流が隣接する発光部の発光層を発光させると、隣接する発光部が異なる色で発光する場合には、複数の発光部の発光の色純度やコントラストの低下が生じるおそれがある。また、隣接する発光部が同じ色で発光する場合であっても、複数の発光部の発光のコントラストの低下が生じるおそれがある。
【0006】
本発明の目的は、半導体膜が複数の発光部に共通して用いられた発光装置であって、特定の発光部を発光させるための電流が隣接する発光部の発光層を発光させることが抑制された発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一態様は、上記目的を達成するために、下記[1]~[5]の発光装置を提供する。
【0008】
[1]1枚の基板上に並んで配置された、各々が独立して発光する複数の発光部を備えた発光装置であって、前記複数の発光部の各々が、n型半導体層と、前記n型半導体層の上側の発光層と、前記発光層の上側のp型半導体層と、前記p型半導体層の上面に接続されたp側コンタクト電極と、前記p側コンタクト電極の上面に接続されたp側接合電極を有し、前記複数の発光部の前記n型半導体層と前記p型半導体層が、前記複数の発光部に共通に用いられる単一の連続した膜であるn型半導体膜とp型半導体膜にそれぞれ含まれ、前記複数の発光部の前記n型半導体層にn側接合電極が共通して接続され、前記p側コンタクト電極の幅が、前記p側接合電極の幅よりも小さい、発光装置。
[2]前記p側接合電極が前記p側コンタクト電極の側面を覆っていない、上記[1]に記載の発光装置。
[3]前記p側接合電極が前記p側コンタクト電極の側面を覆っている、上記[1]に記載の発光装置。
[4]前記複数の発光部において、隣接する発光部が異なる色で発光する、上記[1]~[3]のいずれか1項に記載の発光装置。
[5]前記n側接合電極が前記複数の発光部の外側に配置された、上記[1]~[3]のいずれか1項に記載の発光装置。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、半導体膜が複数の発光部に共通して用いられた発光装置であって、特定の発光部を発光させるための電流が隣接する発光部の発光層を発光させることが抑制された発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。
図2(a)~(d)は、本発明の第1の実施の形態に係る発光装置の製造工程を示す垂直断面図である。
図3(a)~(c)は、本発明の第1の実施の形態に係る発光装置の製造工程を示す垂直断面図である。
図4は、本発明の第1の実施の形態に係る発光装置の変形例の垂直断面図である。
図5は、本発明の第1の実施の形態に係る発光装置の実装例を示す垂直断面図である。
図6は、本発明の第2の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。
【発明を実施するための形態】
(【0011】以降は省略されています)

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