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公開番号2024052552
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-11
出願番号2023138700
出願日2023-08-29
発明の名称パターン上に塗布した液滴の検査方法
出願人東レ株式会社
代理人
主分類H01L 21/66 20060101AFI20240404BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】回路パターンを有する基材上に形成された液滴が、所望の位置に形成されているかを検査する方法を提供すること。
【解決手段】互いに同じ回路パターンからなるパターン部を複数有する基材において、前記パターン部における液滴形成候補箇所を検査する方法であって、前記液滴は、前記複数のパターン部ごとに互いに異なる位置に形成されており、前記複数のパターン部について液滴形成後の画像を取得する工程と、前記取得した画像中の各パターン部にブロック番号を割り当てる工程と、前記取得した画像中の各パターン部から検査範囲を特定する工程と、前記ブロック番号を割り当てた画像における検査範囲と、前記パターン部についてあらかじめ定められた液滴形成条件に基づき用意された標準画像中の検査範囲と、を対比する工程と、を含むことを特徴とする検査方法。
【選択図】 図2
特許請求の範囲【請求項1】
互いに同じ回路パターンからなるパターン部を複数有する基材において、前記パターン部における液滴形成候補箇所を検査する方法であって、
前記液滴は、前記複数のパターン部ごとに互いに異なる位置に形成されており、
前記複数のパターン部について液滴形成後の画像を取得する工程と、
前記取得した画像中の各パターン部にブロック番号を割り当てる工程と、
前記取得した画像中の各パターン部から検査範囲を特定する工程と、
前記ブロック番号を割り当てた画像における検査範囲と、前記パターン部についてあらかじめ定められた液滴形成条件に基づき用意された標準画像中の検査範囲と、を対比する工程と、を含む
ことを特徴とする検査方法。
続きを表示(約 570 文字)【請求項2】
前記対比工程は、前記取得した画像における検査範囲を2値化処理する工程を含む、請求項1に記載の検査方法。
【請求項3】
前記標準画像中の検査範囲を示す画像は、前記取得した画像における検査範囲を2値化処理した後に前記液滴が形成された箇所および液滴が形成されていない箇所がそれぞれ示す画像と対応するものである、請求項2に記載の検査方法。
【請求項4】
前記複数のパターン部は、少なくとも前記基材の長尺方向にアレイ状に形成されており、前記基材の一定搬送量ごとに前記液滴形成後の画像を取得し、かつ前記ブロック番号を割り当てる、請求項1に記載の検査方法。
【請求項5】
前記パターン部は、少なくとも、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極の1種以上からなる構造体を含む、請求項1に記載の検査方法。
【請求項6】
前記検査範囲は前記構造体を含む範囲である、請求項5に記載の検査方法。
【請求項7】
前記液滴は、カーボンナノチューブ、グラフェン、フラーレンおよび有機半導体からなる群より選ばれる一種類以上を含有する、請求項5に記載の検査方法。
【請求項8】
前記液滴はカーボンナノチューブを含有する、請求項5に記載の検査方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、パターン上に塗布した液滴の検査方法に関する。
続きを表示(約 2,400 文字)【背景技術】
【0002】
近年、半導体層に有機半導体及び/又はカーボン材料を用いた電界効果型トランジスタ(Field Effect Transistor:FET)が盛んに検討されている。これらの材料は溶液状態で取り扱うことが可能であるため、半導体材料を含む溶液を塗布・印刷するウェット成膜法を用いることができる。
【0003】
ウェット成膜法では、高温プロセスを避けることができるので、低温でのプラスチック基板上へのデバイス製造や、低コストでのデバイス製造が可能である。また、ウェット成膜法では成膜とパターニングの工程を同時に行えることから、従来のフォトリソグラフィプロセスを用いる真空成膜プロセスと比較して材料利用効率が高く、環境負荷が少ないという点でも期待されている。
【0004】
一方、ディスプレイや回路を構成するFETは、その役割に応じて所定の特性(例えば、駆動電流値)を発揮することが求められる。FETの大きさ、形状や、半導体材料の塗布量、密度により、その特性は異なる。つまり、半導体層の形成に関しては、FETごとの所定の特性を発揮させるために、FETごとに半導体材料の被覆面積や塗布量を調整する必要がある(例えば、特許文献1参照)。
【0005】
また、そのような調整を行って半導体材料を塗布した後は、塗布された液滴が所望の範囲を覆っているかを検査する必要がある。従来、塗布された材料を検査する方法として、例えば、ディスプレイ用途で隔壁内に充填された液に光照射し、反射光の強さから液の有無を判断する検査方法が知られている(例えば、特許文献2参照)。また、インクジェット塗布を行うためのインクジェット記録ヘッドを検査する方法として、フィルムや紙等の基材に液滴を吐出し、着滴した液滴の測定位置と基準位置とのずれ量を算出するための検査方法が知られている(例えば、特許文献3参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
特開2022-28624号公報
特許第4093059号
特開2014-124918号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、回路上に形成された液滴が所望の範囲を覆えているかを判断する検査方法は知られていなかった。特に、例えば、互いに同じ回路パターンからなるパターン部を複数有する基板において、パターン部ごとに異なる位置に形成された液滴の検査をする方法は知られていなかった。
【0008】
本発明は、上記課題に鑑み、回路パターンを有する基材上に塗布した液滴が液滴形成候補箇所に適切に形成されているかを検査する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記課題を解決するため、本発明は以下の構成をとる。
[1]互いに同じ回路パターンからなるパターン部を複数有する基材において、前記パターン部における液滴形成候補箇所を検査する方法であって、前記液滴は、前記複数のパターン部ごとに互いに異なる位置に形成されており、前記複数のパターン部について液滴形成後の画像を取得する工程と、前記取得した画像中の各パターン部にブロック番号を割り当てる工程と、前記取得した画像中の各パターン部から検査範囲を特定する工程と、前記ブロック番号を割り当てた画像における検査範囲と、前記パターン部についてあらかじめ定められた液滴形成条件に基づき用意された標準画像中の検査範囲と、を対比する工程と、を含むことを特徴とする検査方法。
[2]前記対比工程は、前記取得した画像における検査範囲を2値化処理する工程を含む、[1]に記載の検査方法。
[3]前記標準画像中の検査範囲を示す画像は、前記取得した画像における検査範囲を2値化処理した後に前記液滴が形成された箇所および液滴が形成されていない箇所がそれぞれ示す画像と対応するものである、[2]に記載の検査方法。
[4]前記複数のパターン部は、少なくとも前記基材の長尺方向にアレイ状に形成されており、前記基材の一定搬送量ごとに前記液滴形成後の画像を取得し、かつ前記ブロック番号を割り当てる、[1]~[3]のいずれかに記載の検査方法。
[5]前記パターン部は、少なくとも、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極の1種以上からなる構造体を含む、[1]~[4]のいずれかに記載の検査方法。
[6]前記検査範囲は前記構造体を含む範囲である、[5]に記載の検査方法。
[7]前記液滴は、カーボンナノチューブ、グラフェン、フラーレンおよび有機半導体からなる群より選ばれる一種類以上を含有する、[1]~[6]のいずれかに記載の検査方法。
[8]前記液滴はカーボンナノチューブを含有する、[1]~[7]のいずれかに記載の検査方法。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、互いに同じ回路パターンからなるパターン部を複数有する基材において、パターン部ごとに互いに異なる位置に形成された液滴が所定の範囲を覆えているか否かを検査することが可能となる。例えば、回路に含まれるFETの半導体層を半導体インクの塗布により形成する場合において、半導体インクが想定通りチャネル領域を覆えているか検査することができる。更に、本発明の検査方法により、塗布不良により動作しないFETを含む回路を未然に発見できる他、塗布不良を早期に検出することにより、不良品の低減に繋げることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
(【0011】以降は省略されています)

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