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公開番号2024052293
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-11
出願番号2022158898
出願日2022-09-30
発明の名称誘電体磁器組成物
出願人京セラ株式会社
代理人個人
主分類C04B 35/468 20060101AFI20240404BHJP(セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物)
要約【課題】DCバイアス印加を増大させても、誘電体材料の比誘電率が低下しにくい誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】 BaTiO3ペロブスカイト相及びNaNbO3ペロブスカイト相が併存している誘電体磁器組成物であり、BaTiO3及び(1-x)NaNbO3-xABO3を有する誘電体磁器組成物であって、BaTiO3の含有量αが65モル%以上100モル%未満、(1-x)NaNbO3-xABO3の含有量βが0モル%を超え35モル%以下であり、xは0を超え0.1以下であり、Aは、Ba、Ca、及びSrの群から選択される少なくとも1種の元素を示し、BはZr、Hf、及びSnの群から選択される少なくとも1種の元素を示す、誘電体磁器組成物である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
BaTiO

ペロブスカイト相及びNaNbO

ペロブスカイト相が併存している、誘電体磁器組成物。
続きを表示(約 1,100 文字)【請求項2】
前記NaNbO

ペロブスカイト相は、下記A、Bの元素を含みABO

で表される化合物を含有している、請求項1に記載の誘電体磁器組成物。
A:Ba、Ca、及びSrの群から選択される少なくとも1種の元素を示す。
B:Zr、Hf、及びSnの群から選択される少なくとも1種の元素を示す。
【請求項3】
前記NaNbO

ペロブスカイト相には、更にDy



、Gd



、Tb



、Ho



、Eu



、Sm



の群から選択されるいずれか1種の希土類が固溶している、請求項2に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項4】
BaTiO

及び(1-x)NaNbO

-xABO

を有する誘電体磁器組成物であって、
BaTiO

の含有量αが65モル%以上100モル%未満であり、(1-x)NaNbO

-xABO

の含有量βが0モル%を超え35モル%以下であり、
xは0を超え0.1以下であり、
Aは、Ba、Ca、及びSrの群から選択される少なくとも1種の元素を示し、BはZr、Hf、及びSnの群から選択される少なくとも1種の元素を示す、誘電体磁器組成物。
【請求項5】
Dy



、Gd



、Tb



、Ho



、Eu



、Sm



の群から選択されるいずれか1種の希土類を0.5モル%以上5モル%以下で含有させる、請求項4に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項6】
(1-x)NaNbO

-xABO

の含有量βが1モル%以上20モル%以下である、請求項4または5記載の誘電体磁器組成物。
【請求項7】
(1-x)NaNbO

-xABO

の含有量βが5モル%以上20モル%以下である、請求項4または5に記載の誘電体磁器組成物。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、誘電体磁器組成物に関する。詳しくは、誘電体材料としてBaTiO

ペロブスカイト相及びNaNbO

ペロブスカイト相が併存している誘電体磁器組成物に関する。
続きを表示(約 1,500 文字)【背景技術】
【0002】
近年、積層セラミックコンデンサは種々の電子機器に搭載され、この積層セラミックコンデンサに使用される誘電体材料について、研究開発が盛んである。誘電体材料としてチタン酸バリウムBaTiO

の研究が多く報告され、BaTiO

の誘電特性を変化させるために異種材料を添加する研究もなされている。添加される異種材料として、たとえば、ニオブ酸ナトリウムNaNbO

がある。BaTiO

にNaNbO

を添加して焼結した誘電体材料は、NaNbO

がBaTiO

に固溶しているという報告がある(非特許文献1)。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0003】
Journal of the European Ceramic Society 24(2004)1493-1496、Dielectric properties of BaTiO3-NaNbO3 composites
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、このNaNbO

がBaTiO

に固溶した誘電体材料は、DCバイアス特性が悪いという問題がある。具体的には、DCバイアス印加を5[V/μm]、10[V/μm]と増大させると、誘電体材料の比誘電率が低下するという問題がある。
【0005】
したがって、DCバイアス印加を5[V/μm]、10[V/μm]と増大させても、誘電体材料の比誘電率が低下しにくい誘電体磁器組成物が求められている。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の誘電体磁器組成物は、BaTiO

ペロブスカイト相及びNaNbO

ペロブスカイト相が併存している。
【0007】
また、本開示の誘電体磁器組成物は、BaTiO

及び(1-x)NaNbO

-xABO

を有する誘電体磁器組成物であって、
BaTiO

の含有量αが65モル%以上100モル%未満であり、(1-x)NaNbO

-xABO

の含有量βが0モル%を超え35モル%以下であり、
xは0を超え0.1以下であり、
Aは、Ba、Ca、及びSrの群から選択される少なくとも1種の元素を示し、BはZr、Hf、及びSnの群から選択される少なくとも1種の元素を示す。
【発明の効果】
【0008】
本開示によれば、DCバイアス印加を5[V/μm]、10[V/μm]と増大させても、比誘電率が低下しにくい誘電体磁器組成物を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
本開示の誘電体磁器組成物の結晶構造のXRD測定装置を用いて解析したグラフである。
薄片化試料の分析透過型電子顕微鏡によるBaの分析結果を示す図である。
NaNbO

ペロブスカイト相の形成の有無と比誘電率との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0010】
(誘電体磁器組成物)
本開示の誘電体磁器組成物は、BaTiO

ペロブスカイト相及びNaNbO

ペロブスカイト相が併存している。
(【0011】以降は省略されています)

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