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公開番号2024052293
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-11
出願番号2022158898
出願日2022-09-30
発明の名称誘電体磁器組成物
出願人京セラ株式会社
代理人個人
主分類C04B 35/468 20060101AFI20240404BHJP(セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物)
要約【課題】DCバイアス印加を増大させても、誘電体材料の比誘電率が低下しにくい誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】 BaTiO₃ペロブスカイト相及びNaNbO₃ペロブスカイト相が併存している誘電体磁器組成物であり、BaTiO₃及び(1-x)NaNbO₃-xABO₃を有する誘電体磁器組成物であって、BaTiO₃の含有量αが65モル%以上100モル%未満、(1-x)NaNbO₃-xABO₃の含有量βが0モル%を超え35モル%以下であり、xは0を超え0.1以下であり、Aは、Ba、Ca、及びSrの群から選択される少なくとも1種の元素を示し、BはZr、Hf、及びSnの群から選択される少なくとも1種の元素を示す、誘電体磁器組成物である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
ＢａＴｉＯ
３
ペロブスカイト相及びＮａＮｂＯ
３
ペロブスカイト相が併存している、誘電体磁器組成物。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記ＮａＮｂＯ
３
ペロブスカイト相は、下記Ａ、Ｂの元素を含みＡＢＯ
３
で表される化合物を含有している、請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
Ａ：Ｂａ、Ｃａ、及びＳｒの群から選択される少なくとも１種の元素を示す。
Ｂ：Ｚｒ、Ｈｆ、及びＳｎの群から選択される少なくとも１種の元素を示す。
【請求項３】
前記ＮａＮｂＯ
３
ペロブスカイト相には、更にＤｙ
２
Ｏ
３
、Ｇｄ
２
Ｏ
３
、Ｔｂ
２
Ｏ
３
、Ｈｏ
２
Ｏ
３
、Ｅｕ
２
Ｏ
３
、Ｓｍ
２
Ｏ
３
の群から選択されるいずれか１種の希土類が固溶している、請求項２に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項４】
ＢａＴｉＯ
３
及び（１－ｘ）ＮａＮｂＯ
３
－ｘＡＢＯ
３
を有する誘電体磁器組成物であって、
ＢａＴｉＯ
３
の含有量αが６５モル％以上１００モル％未満であり、（１－ｘ）ＮａＮｂＯ
３
－ｘＡＢＯ
３
の含有量βが０モル％を超え３５モル％以下であり、
ｘは０を超え０．１以下であり、
Ａは、Ｂａ、Ｃａ、及びＳｒの群から選択される少なくとも１種の元素を示し、ＢはＺｒ、Ｈｆ、及びＳｎの群から選択される少なくとも１種の元素を示す、誘電体磁器組成物。
【請求項５】
Ｄｙ
２
Ｏ
３
、Ｇｄ
２
Ｏ
３
、Ｔｂ
２
Ｏ
３
、Ｈｏ
２
Ｏ
３
、Ｅｕ
２
Ｏ
３
、Ｓｍ
２
Ｏ
３
の群から選択されるいずれか１種の希土類を０．５モル％以上５モル％以下で含有させる、請求項４に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項６】
（１－ｘ）ＮａＮｂＯ
３
－ｘＡＢＯ
３
の含有量βが１モル％以上２０モル％以下である、請求項４または５記載の誘電体磁器組成物。
【請求項７】
（１－ｘ）ＮａＮｂＯ
３
－ｘＡＢＯ
３
の含有量βが５モル％以上２０モル％以下である、請求項４または５に記載の誘電体磁器組成物。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、誘電体磁器組成物に関する。詳しくは、誘電体材料としてＢａＴｉＯ
３
ペロブスカイト相及びＮａＮｂＯ
３
ペロブスカイト相が併存している誘電体磁器組成物に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、積層セラミックコンデンサは種々の電子機器に搭載され、この積層セラミックコンデンサに使用される誘電体材料について、研究開発が盛んである。誘電体材料としてチタン酸バリウムＢａＴｉＯ
３
の研究が多く報告され、ＢａＴｉＯ
３
の誘電特性を変化させるために異種材料を添加する研究もなされている。添加される異種材料として、たとえば、ニオブ酸ナトリウムＮａＮｂＯ
３
がある。ＢａＴｉＯ
３
にＮａＮｂＯ
３
を添加して焼結した誘電体材料は、ＮａＮｂＯ
３
がＢａＴｉＯ
３
に固溶しているという報告がある（非特許文献１）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
Journal of the European Ceramic Society 24(2004)1493-1496、Dielectric properties of BaTiO3-NaNbO3 composites
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このＮａＮｂＯ
３
がＢａＴｉＯ
３
に固溶した誘電体材料は、ＤＣバイアス特性が悪いという問題がある。具体的には、ＤＣバイアス印加を５［Ｖ／μｍ］、１０［Ｖ／μｍ］と増大させると、誘電体材料の比誘電率が低下するという問題がある。
【０００５】
したがって、ＤＣバイアス印加を５［Ｖ／μｍ］、１０［Ｖ／μｍ］と増大させても、誘電体材料の比誘電率が低下しにくい誘電体磁器組成物が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の誘電体磁器組成物は、ＢａＴｉＯ
３
ペロブスカイト相及びＮａＮｂＯ
３
ペロブスカイト相が併存している。
【０００７】
また、本開示の誘電体磁器組成物は、ＢａＴｉＯ
３
及び（１－ｘ）ＮａＮｂＯ
３
－ｘＡＢＯ
３
を有する誘電体磁器組成物であって、
ＢａＴｉＯ
３
の含有量αが６５モル％以上１００モル％未満であり、（１－ｘ）ＮａＮｂＯ
３
－ｘＡＢＯ
３
の含有量βが０モル％を超え３５モル％以下であり、
ｘは０を超え０．１以下であり、
Ａは、Ｂａ、Ｃａ、及びＳｒの群から選択される少なくとも１種の元素を示し、ＢはＺｒ、Ｈｆ、及びＳｎの群から選択される少なくとも１種の元素を示す。
【発明の効果】
【０００８】
本開示によれば、ＤＣバイアス印加を５［Ｖ／μｍ］、１０［Ｖ／μｍ］と増大させても、比誘電率が低下しにくい誘電体磁器組成物を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本開示の誘電体磁器組成物の結晶構造のＸＲＤ測定装置を用いて解析したグラフである。
薄片化試料の分析透過型電子顕微鏡によるＢａの分析結果を示す図である。
ＮａＮｂＯ
３
ペロブスカイト相の形成の有無と比誘電率との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（誘電体磁器組成物）
本開示の誘電体磁器組成物は、ＢａＴｉＯ
３
ペロブスカイト相及びＮａＮｂＯ
３
ペロブスカイト相が併存している。
（【００１１】以降は省略されています）

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