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公開番号2024048552
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-09
出願番号2022154518
出願日2022-09-28
発明の名称半導体装置、半導体モジュールおよび半導体装置の製造方法
出願人富士電機株式会社
代理人弁理士法人RYUKA国際特許事務所
主分類H01L 21/60 20060101AFI20240402BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】上面電極におけるワイヤの接続位置を精度よく規定する。
【解決手段】上面視において異なる位置に設けられたトランジスタ部およびダイオード部を備える半導体装置であって、前記トランジスタ部および前記ダイオード部が設けられた半導体基板と、前記半導体基板の上方に配置された上面電極と、前記上面電極よりも上方に配置され、上面視において前記トランジスタ部および前記ダイオード部の両方と重なって配置された第1マーク部とを備え、前記第1マーク部は、前記上面視または前記半導体基板の深さ方向において、凹形状または凸形状を有する半導体装置を提供する。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項1】
上面視において異なる位置に設けられたトランジスタ部およびダイオード部を備える半導体装置であって、
前記トランジスタ部および前記ダイオード部が設けられた半導体基板と、
前記半導体基板の上方に配置された上面電極と、
前記上面電極よりも上方に配置され、上面視において前記トランジスタ部および前記ダイオード部の両方と重なって配置された第1マーク部と
を備え、
前記第1マーク部は、前記上面視または前記半導体基板の深さ方向において、凹形状または凸形状を有する半導体装置。
続きを表示(約 1,600 文字)【請求項2】
前記トランジスタ部および前記ダイオード部は、前記上面視において第1方向に沿って交互に並んで配置され、
前記第1マーク部の前記第1方向における長さは、1つの前記トランジスタ部および1つの前記ダイオード部の前記第1方向における長さの和よりも小さい
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記上面電極よりも上方に配置された保護膜を更に備え、
前記第1マーク部は、前記保護膜に設けられている
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記トランジスタ部および前記ダイオード部は、前記上面視において第1方向に沿って交互に並んで配置され、
前記保護膜は、前記第1方向に沿って延伸する第1延伸部を有し、
前記第1マーク部は、前記第1延伸部から、上面視において前記第1方向とは異なる第2方向に向かって突出する
請求項3に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第1マーク部の上端位置は、前記第1延伸部の上端位置よりも低い
請求項4に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記トランジスタ部および前記ダイオード部は、前記上面視において第1方向に沿って交互に並んで配置され、
前記保護膜は、前記第1方向に沿って延伸する第1延伸部を有し、
前記第1マーク部は、前記第1延伸部から上方に向かって突出する
請求項3に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記トランジスタ部および前記ダイオード部は、前記上面視において第1方向に沿って交互に並んで配置され、
前記保護膜は、
前記第1方向に沿って延伸し、前記第1マーク部が設けられた第1延伸部と、
上面視において前記第1方向とは異なる第2方向に沿って延伸する第2延伸部と
を有し、
前記第2延伸部に設けられ、前記上面視または前記半導体基板の深さ方向において、凹形状または凸形状を有する第2マーク部を更に備える
請求項3に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第1マーク部の前記第1方向における長さは、前記第2マーク部の前記第2方向における長さよりも大きい
請求項7に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記上面電極よりも上方に配置され、前記上面視において前記トランジスタ部および前記ダイオード部の両方と重なって配置された第3マーク部を更に備え、
前記第3マーク部は、前記上面視または前記半導体基板の深さ方向において、凹形状または凸形状を有し、
前記トランジスタ部および前記ダイオード部は、前記上面視において第2方向に沿って長手を有し、
前記第1マーク部および前記第3マーク部は、前記第2方向において向かい合って配置されている
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項10】
上面視において異なる位置に設けられたトランジスタ部およびダイオード部を備える半導体装置と、電気回路と、前記半導体装置および前記電気回路を接続するワイヤとを備える半導体モジュールであって、
前記半導体装置は、
前記トランジスタ部および前記ダイオード部が設けられた半導体基板と、
前記半導体基板の上方に配置され、前記ワイヤが接続された上面電極と、
前記上面電極よりも上方に配置され、前記上面視において前記トランジスタ部および前記ダイオード部の両方と重なって配置された第1マーク部と
を備え、
前記第1マーク部は、前記上面視または前記半導体基板の深さ方向において、凹形状または凸形状を有する
半導体モジュール。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置、半導体モジュールおよび半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示(約 1,700 文字)【背景技術】
【0002】
従来、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等のトランジスタ部と、FWD(Free Wheeling Diode)等のダイオード部とを備える半導体装置が知られている(例えば特許文献1-4参照)。
特許文献1 特開2020-202250号公報
特許文献2 再表2020/059285号公報
特許文献3 特開2019-201160号公報
特許文献4 特開2021-166247号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
半導体装置の上面電極には、ワイヤ等が接続される。ワイヤ等は、上面電極における所定の位置に精度よく接続されていることが好ましい。
【課題を解決するための手段】
【0004】
上記課題を解決するために、本発明の一つの態様においては、上面視において異なる位置に設けられたトランジスタ部およびダイオード部を備える半導体装置を提供する。半導体装置は、前記トランジスタ部および前記ダイオード部が設けられた半導体基板を備えてよい。上記何れかの半導体装置は、前記半導体基板の上方に配置された上面電極を備えてよい。上記何れかの半導体装置は、前記上面電極よりも上方に配置され、上面視において前記トランジスタ部および前記ダイオード部の両方と重なって配置された第1マーク部を備えてよい。上記何れかの半導体装置において、前記第1マーク部は、前記上面視または前記半導体基板の深さ方向において、凹形状または凸形状を有してよい。
【0005】
上記何れかの半導体装置において、前記トランジスタ部および前記ダイオード部は、前記上面視において第1方向に沿って交互に並んで配置されてよい。上記何れかの半導体装置において、前記第1マーク部の前記第1方向における長さは、1つの前記トランジスタ部および1つの前記ダイオード部の前記第1方向における長さの和よりも小さくてよい。
【0006】
上記何れかの半導体装置は、前記上面電極よりも上方に配置された保護膜を備えてよい。上記何れかの半導体装置において、前記第1マーク部は、前記保護膜に設けられていてよい。
【0007】
上記何れかの半導体装置において、前記トランジスタ部および前記ダイオード部は、前記上面視において第1方向に沿って交互に並んで配置されてよい。上記何れかの半導体装置において、前記保護膜は、前記第1方向に沿って延伸する第1延伸部を有してよい。上記何れかの半導体装置において、前記第1マーク部は、前記第1延伸部から、上面視において前記第1方向とは異なる第2方向に向かって突出してよい。
【0008】
上記何れかの半導体装置において、前記第1マーク部の上端位置は、前記第1延伸部の上端位置よりも低くてよい。
【0009】
上記何れかの半導体装置において、前記トランジスタ部および前記ダイオード部は、前記上面視において第1方向に沿って交互に並んで配置されてよい。上記何れかの半導体装置において、前記保護膜は、前記第1方向に沿って延伸する第1延伸部を有してよい。上記何れかの半導体装置において、前記第1マーク部は、前記第1延伸部から上方に向かって突出してよい。
【0010】
上記何れかの半導体装置において、前記トランジスタ部および前記ダイオード部は、前記上面視において第1方向に沿って交互に並んで配置されてよい。上記何れかの半導体装置において、前記保護膜は、前記第1方向に沿って延伸し、前記第1マーク部が設けられた第1延伸部を有してよい。上記何れかの半導体装置において、前記保護膜は、上面視において前記第1方向とは異なる第2方向に沿って延伸する第2延伸部を有してよい。上記何れかの半導体装置は、前記第2延伸部に設けられ、前記上面視または前記半導体基板の深さ方向において、凹形状または凸形状を有する第2マーク部を備えてよい。
(【0011】以降は省略されています)

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