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公開番号2024046605
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-03
出願番号2023132177
出願日2023-08-14
発明の名称シリカ粒子、静電荷像現像用トナー、静電荷像現像剤、トナーカートリッジ、プロセスカートリッジ、画像形成装置及び画像形成方法
出願人富士フイルムビジネスイノベーション株式会社
代理人弁理士法人太陽国際特許事務所
主分類C01B 33/18 20060101AFI20240327BHJP(無機化学)
要約【課題】帯電の立ち上がり性を向上させることができるシリカ粒子を提供すること。
【解決手段】窒素元素含有化合物を含み、350℃焼成後における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線において、細孔直径2nm以下の範囲及び2nm超え50nm以下の範囲で、各々少なくとも1つのピークを有し、350℃焼成後における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求める細孔直径2nm以下の範囲及び2nm以上25nm以下の範囲の細孔体積をそれぞれD及びBとしたとき、D/Bが0.50以上2.50以下であるシリカ粒子。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項1】
350℃焼成後における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線において、細孔直径2nm以下の範囲及び2nm超え50nm以下の範囲で、各々少なくとも1つのピークを有し、
350℃焼成後における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求める細孔直径2nm以下の範囲及び2nm以上25nm以下の範囲の細孔体積をそれぞれD及びBとしたとき、D/Bが0.50以上2.50以下であるシリカ粒子。
続きを表示(約 730 文字)【請求項2】
前記D/Bが、0.55以上2.00以下である請求項1に記載のシリカ粒子。
【請求項3】
前記Dが、0.10cm

/g以上1.10cm

/g以下である請求項1に記載のシリカ粒子。
【請求項4】
窒素元素含有化合物を含む請求項1に記載のシリカ粒子。
【請求項5】
前記窒素元素含有化合物の含有量が、前記シリカ粒子に対する窒素含有量で0.02質量%以上1.20質量%以下である請求項4に記載のシリカ粒子。
【請求項6】
350℃焼成前における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求める細孔直径2nm以下の細孔体積をCとしたとき、前記Dとの比C/Dが0.05以上0.82以下である請求
項4に記載のシリカ粒子。
【請求項7】
前記C/Dが、0.05以上0.70以下である請求項6に記載のシリカ粒子。
【請求項8】
350℃焼成前における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求める細孔直径2nm以上25nm以下の細孔体積をAとしたとき、前記Bとの比A/Bが0以上0.92以下である請求項4に記載のシリカ粒子。
【請求項9】
個数平均粒径が、40nm以上200nm以下である請求項4に記載のシリカ粒子。
【請求項10】
前記窒素元素含有化合物が、四級アンモニウム塩、第一級アミン化合物、第二級アミン化合物、第三級アミン化合物、アミド化合物、イミン化合物、及びニトリル化合物よりなる群から選択される少なくとも1種である請求項4に記載のシリカ粒子。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、シリカ粒子、静電荷像現像用トナー、静電荷像現像剤、トナーカートリッジ、プロセスカートリッジ、画像形成装置及び画像形成方法に関する。
続きを表示(約 3,500 文字)【背景技術】
【0002】
特許文献1には、「第四級アンモニウム塩を含有し、洗浄前のシリカ粒子における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求める細孔直径2nm以下の頻度の最大値F
BEFORE
と、洗浄後のシリカ粒子における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求める細孔直径2nm以下の頻度の最大値F
AFTER
との比F
BEFORE
/F
AFTER
が0.90以上1.10以下であり、且つ、最大値F
BEFORE
と、洗浄前のシリカ粒子を600℃で焼成後のシリカ粒子における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求める細孔直径2nm以下の頻度の最大値F
SINTERING
との比F
SINTERING
/F
BEFORE
が5以上20以下である、シリカ粒子」が開示されている。
【0003】
特許文献2には、「疎水化度が50%以上、飽和水分量が4%以下、窒素含有量が0.05%以上であり、沸点が100℃以上のアミンを0.1%以上含むことを特徴とする、疎水性シリカ粉末。」が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
特開2021-151944号公報
特許6968632号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本開示は、350℃焼成後における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線において、細孔直径2nm以下の範囲及び2nm超え50nm以下の範囲で、各々少なくとも1つのピークを有するシリカ粒子において、350℃焼成後における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求める細孔直径2nm以下の範囲及び2nm以上25nm以下の範囲の細孔体積をそれぞれD及びBとしたとき、D/Bが0.50未満であるシリカ粒子である場合に比べ、帯電の立ち上がり性を向上させることができるシリカ粒子を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記課題を解決するための手段は、下記態様を含む。
<1>
350℃焼成後における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線において、細孔直径2nm以下の範囲及び2nm超え50nm以下の範囲で、各々少なくとも1つのピークを有し、
350℃焼成後における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求める細孔直径2nm以下の範囲及び2nm以上25nm以下の範囲の細孔体積をそれぞれD及びBとしたとき、D/Bが0.50以上2.50以下であるシリカ粒子。
<2>
前記D/Bが、0.55以上2.00以下である<1>に記載のシリカ粒子。
<3>
前記Dが、0.10cm

/g以上1.10cm

/g以下である<1>又は<2>に記載のシリカ粒子。
<4>
窒素元素含有化合物を含む<1>~<3>のいずれか1項に記載のシリカ粒子。
<5>
前記窒素元素含有化合物の含有量が、前記シリカ粒子に対する窒素含有量で0.02質量%以上1.20質量%以下である<4>に記載のシリカ粒子。
<6>
350℃焼成前における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求める細孔直径2nm以下の細孔体積をCとしたとき、前記Dとの比C/Dが0.05以上0.82以下である<4
>又は<5>に記載のシリカ粒子。
<7>
前記C/Dが、0.05以上0.70以下である<6>に記載のシリカ粒子。
<8>
350℃焼成前における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求める細孔直径2nm以上25nm以下の細孔体積をAとしたとき、前記Bとの比A/Bが0以上0.92以下である<4>~<7>のいずれか1項に記載のシリカ粒子。
<9>
個数平均粒径が、40nm以上200nm以下である<4>~<8>のいずれか1項に記載のシリカ粒子。
<10>
前記窒素元素含有化合物が、四級アンモニウム塩、第一級アミン化合物、第二級アミン化合物、第三級アミン化合物、アミド化合物、イミン化合物、及びニトリル化合物よりなる群から選択される少なくとも1種である<4>~<9>のいずれか1項に記載のシリカ粒子。
<11>
トナー粒子と、
前記トナー粒子に外添された<4>~<10>のいずれか1項に記載のシリカ粒子と、
を含む、静電荷像現像用トナー。
<12>
<11>に記載の静電荷像現像用トナーを含む静電荷像現像剤。
<13>
<11>に記載の静電荷像現像用トナーを収容し、
画像形成装置に着脱されるトナーカートリッジ。
<14>
<12>に記載の静電荷像現像剤を収容し、前記静電荷像現像剤により、像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段を備え、
画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジ。
<15>
像保持体と、
前記像保持体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成手段と、
<12>に記載の静電荷像現像剤を収容し、前記静電荷像現像剤により、前記像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段と、
前記像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
前記記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着手段と、
を備える画像形成装置。
<16>
像保持体の表面を帯電する帯電工程と、
帯電した前記像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成工程と、
<12>に記載の静電荷像現像剤により、前記像保持体の表面に形成された静電荷像を
トナー画像として現像する現像工程と、
【発明の効果】
【0007】
<1>に係る発明によれば、350℃焼成後における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線において、細孔直径2nm以下の範囲及び2nm超え50nm以下の範囲で、各々少なくとも1つのピークを有するシリカ粒子において、350℃焼成後における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求める細孔直径2nm以下の範囲及び2nm以上25nm以下の範囲の細孔体積をそれぞれD及びBとしたとき、D/Bが0.50未満である場合に比べ、帯電の立ち上がり性を向上させることができるシリカ粒子が提供される。
<2>に係る発明によれば、D/Bが、0.55未満である場合に比べ、帯電の立ち上がり性を向上させることができるシリカ粒子が提供される。
<3>に係る発明によれば、Dが0.10cm

/g未満である場合に比べ、帯電の立ち上がり性を向上させることができるシリカ粒子が提供される。
【0008】
<4>に係る発明によれば、窒素元素含有化合物を含まない場合に比べ、帯電の立ち上がり性に優れたシリカ粒子が提供される。
<5>に係る発明によれば、窒素元素含有化合物の含有量が、シリカ粒子に対する窒素含有量で0.02質量%未満である場合に比べ、帯電の立ち上がり性に優れるシリカ粒子が提供される。
【0009】
<6>に係る発明によれば、窒素元素含有化合物を含み、350℃焼成前における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求める細孔直径2nm以下の細孔体積をCとしたとき、Dとの比C/Dが0.82超えである場合に比べ、帯電の立ち上がり性に優れるシリカ粒子が提供される。
<7>に係る発明によれば、C/Dが、0.70超えである場合に比べ、帯電の立ち上がり性に優れるシリカ粒子が提供される。
【0010】
<8>に係る発明によれば、窒素元素含有化合物を含み、350℃焼成前における窒素ガス吸着法の細孔分布曲線から求める細孔直径2nm以上25nm以下の細孔体積をAとしたとき、Bとの比A/Bが0.92超えである場合に比べ、帯電の立ち上がり性に優れるシリカ粒子が提供される。
(【0011】以降は省略されています)

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