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公開番号2024020108
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-02-14
出願番号2022130281
出願日2022-08-01
発明の名称立体面投影露光装置
出願人個人
代理人
主分類G03F 7/20 20060101AFI20240206BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】透過型平面レチクルを原図物体として、透過・遮光パターンを被露光物体の緩い曲面を含む外形面に、一括で投影露光して転写する。
【解決手段】 凹面側を反射面とする2枚の回転放物面鏡を軸合わせして対向させ、各々の鏡面の中央部に開口を設けて各鏡面の焦点が他方の鏡面の開口の中心付近に来るようにし、片方の回転放物面鏡の開口付近に置いた平面レチクルを原図物体とし、コリメート光源により一方向から平行光で照明して該平面レチクル上の透過・遮光パターンの像を他方の回転放物面鏡の開口付近に置いた被露光物体の緩い曲面を含む外形面上に深い焦点深度で投影し、前記緩い曲面を含む外形面上に付した感光性物質を平面レチクル上の透過・遮光パターンと類似した形状に感光させる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
凹面側を反射面とする第1の回転放物面鏡と、凹面側を反射面として同じ反射面形状を持つ第2の回転放物面鏡とを、該凹面側の両反射面が対向するように両回転放物面の軸を重ねて配置し、前記第1の回転放物面鏡の鏡面の中央部と前記第2の回転放物面鏡の鏡面の中央部のそれぞれに開口を設け、第1の回転放物面鏡はその焦点が第2の回転放物面鏡に設けた開口面付近、第2の回転放物面鏡はその焦点が第1の回転放物面鏡に設けた開口面付近となる焦点距離を有し、かつ前記の両焦点が第1の回転放物面鏡および第2の回転放物面鏡の回転面の軸上に存在するようになし、第1の回転放物面鏡の開口面付近に置いた透過型レチクルの透過または遮光パターンを原図物体として、第1の回転放物面鏡の裏面側から、コリメート光源を用いた方向が大略揃った光線により斜め一方向からのみ照明し、該原図物体である透過型レチクルの透過または遮光パターンの像を、第2の回転放物面鏡の開口付近に置いた任意の緩曲面を有する被露光物体の立体表面に形成することにより、該被露光物体の立体表面に付した感光性物質を、該透過型レチクルの透過または遮光パターン形状に大略対応する類似形状に感光させるべく露光することを特徴とする立体面投影露光装置

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、透過型平面レチクル上に形成された透過または遮光パターンの形状を、任意の緩曲面を有する被露光物体の外形面に、一括して同時に投影露光して転写する投影露光装置に関するものである。
続きを表示(約 1,500 文字)【背景技術】
【0002】
半導体集積回路やマイクロ電子機械システム(Micro Electro Mechanical Systems: MEMS)の微細パターン形成技術としてリソグラフィ技術が用いられている。
【0003】
リソグラフィ技術は、レジストなどの感光性物質を、塗布、貼り付けなど何らかの方法で付した被露光基板上に、レチクルなど原図基板上のパターンを転写することにより前記感光性物質の一部または全部を露光し、露光後に現像液に浸潤させるウェットプロセスやプラズマ中でガス加工を行うドライプロセスなどの現像プロセスにより、露光時の感光部のみを除去して未感光部を残存させるか、露光時の未感光部のみを除去して感光部を残存させることができ、原図基板上のパターン形状を、前記感光性物質に転写できる技術である。
【0004】
レーザビーム、電子ビーム、イオンビームなどを、前記感光性物質を付した被露光基板上に照射するか、該レーザビーム、電子ビーム、イオンビームなどをピンホール、成形絞りなどによって整形したスポットの投影像を、前記感光性物質を付した被露光基板上に作ることにより、該感光性物質を露光できるようにし、該感光性物質を付した被露光基板に対して前記ビームまたは前記スポット投影像を走査するか、逆に該感光性物質を付した被露光基板を前記ビームまたは前記スポット投影像に対して走査するかしてパターンを描画露光し、前記した現像プロセスにより、前記感光性物質のパターンを前記被露光基板上に形成することもできる。
【0005】
感光性物質を付した被露光基板上に原図基板上のパターンを転写する露光方法には、原図基板と被露光基板とを密着させて露光したり、近接させて露光したりする方法もあるが、原図基板と被露光基板とのあいだにレンズやミラーを用いた投影光学系を置いて、感光性物質を付した被露光基板上に原図基板上のパターンの投影像を作り、該投影像の明暗分布に応じて被露光基板上の感光性物質を感光させる、投影露光リソグラフィ技術が現状における量産用リソグラフィ技術の主流となっている。
【0006】
投影露光リソグラフィにおいては、平面原図基板に照明光を照射し、投影露光光学系を用いて、該平面原図基板上のパターンの光像を被露光基板上に形成した感光性物質上に作り、該感光性物質を平面原図基板上のパターン形状に感光させる。
【0007】
TIFF
2024020108000002.tif
31
155
材質、照明の方向、平面原図基板上の遮光パターン部と透過パターン部の透過
TIFF
2024020108000003.tif
8
149
【0008】
TIFF
2024020108000004.tif
15
152
【0009】
そのため、半導体集積回路やマイクロ電子機械システムを製造するためでき
TIFF
2024020108000005.tif
8
153
力大きくするように設計されている。
【0010】
しかし、解像限界付近の微細パターンを投影露光するときの焦点深度は開口
TIFF
2024020108000006.tif
9
154
く浅くなる。
(【0011】以降は省略されています)

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