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公開番号2024019749
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-02-13
出願番号2023114122
出願日2023-07-12
発明の名称メモリデバイス、及び不揮発性メモリのセキュアプログミングのための方法
出願人華邦電子股ふん有限公司,Winbond Electronics Corp.
代理人個人,個人
主分類G06F 21/75 20130101AFI20240205BHJP(計算;計数)
要約【課題】悪意ある攻撃者がチップ内に格納されたデータを取得するためにフラッシュメモリをハッキングすることを防止するメモリデバイスを提供する。
【解決手段】サイドチャネル攻撃100の対象となるセキュア組み込みフラッシュ集積回路(IC)102は、フラッシュアレイ(NVM)106と、セキュアプログラミング回路(SPC)108と、を含む。SPCは、所与のデータワードをNVMの所与のロケーションにプログラムするようNVMプログラム命令を受け取り、NVMプログラム命令に応じて、所与のデータワードのビットをランダムな順序でNVMにプログラムする。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
不揮発性メモリ(NVM)と、
所与のデータワードを前記NVMの所与のロケーションにプログラムするようNVMプログラム命令を受け取り、
前記NVMプログラム命令に応じて、前記所与のデータワードのビットを前記NVMにランダムな順序でプログラムする
よう構成された
セキュアプログラミング回路(SPC)と
を含む、
メモリデバイス。
続きを表示(約 1,100 文字)【請求項2】
前記所与のワードデータは2のN乗個のビットから成り、
前記SPCは、2のN乗個の値のランダム順列を生成し、前記所与のデータワードの前記ビットを前記ランダム順列に従った順序でプログラムするよう構成される、
請求項1に記載のメモリデバイス。
【請求項3】
前記SPCは、
可逆バイナリ行列を各カウントのビットを含むベクトルで乗算して積を生成し、
前記積にランダムビットのベクトルを加算する
ことにより前記ランダム順列を生成するよう構成される、
請求項2に記載のメモリデバイス。
【請求項4】
前記可逆バイナリ行列は、主対角線と、第1の三角形と、第2の三角形とを含む三角バイナリ行列であり、前記主対角線は「1」の値を含み、前記第1の三角形は「0」の値を含み、前記第2の三角形はランダムビットを含む、
請求項3に記載のメモリデバイス。
【請求項5】
不揮発性メモリ(NVM)のセキュアプログラミングのための方法であって、
所与のデータワードを前記NVMの所与のロケーションにプログラムするためNVMプログラム命令を受け取ることと、
前記NVMプログラム命令に応じて、前記所与のデータワードのビットを前記NVMにランダムな順序でプログラムすることと
を含む、
NVMのセキュアプログラミングのための方法。
【請求項6】
前記所与のワードデータは2のN乗個のビットから成り、
前記データワードをプログラムすることは、2のN乗個の値のランダム順列を生成することと、前記所与のデータワードの前記ビットを前記ランダム順列に従った順序でプログラムすることとを含む、
請求項5に記載のNVMのセキュアプログラミングのための方法。
【請求項7】
前記ランダム順列を生成することは、
積を生成するため可逆バイナリ行列を各カウントのビットを含むベクトルで乗算することと、
前記積にランダムビットのベクトルを加算することと
を含む、
請求項6に記載のNVMのセキュアプログラミングのための方法。
【請求項8】
前記可逆バイナリ行列は、主対角線と、第1の三角形と、第2の三角形とを含む三角バイナリ行列であり、前記主対角線は「1」の値を含み、前記第1の三角形は「0」の値を含み、前記第2の三角形はランダムビットを含む、
請求項7に記載のNVMのセキュアプログラミングのための方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は不揮発性メモリに関するものであり、特に、フラッシュメモリデバイスのセキュアプログラミングのための方法に関する。
続きを表示(約 1,500 文字)【背景技術】
【0002】
フラッシュメモリと、特に組み込みフラッシュメモリは、機密データを格納する可能性があり、よって盗聴(「ハッキング」)から保護する必要がある。
【0003】
米国特許第11,188,237号は、フラッシュメモリのセキュリティを向上させてハッキングを防止するためのいくつかの実施形態を説明している。該実施形態は、悪意ある攻撃者がチップ内に格納されたデータを取得するためにフラッシュメモリをハッキングすることを防止する。該実施形態は、障害検出回路、アドレススクランブリング、ダミーアレイ、パスワード保護、改善された製造技術、及び他の機構の使用を含んでいる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明は、悪意ある攻撃者がチップ内に格納されたデータを取得するためにフラッシュメモリをハッキングすることを防止する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
ここで説明する本発明の1つの実施形態は、不揮発性メモリ(NVM)とセキュアプログラミング回路(SPC)とを含むメモリデバイスを提供する。SPCは、NVMの所与のロケーションに所与のデータワードをプログラムするようNVMプログラム命令を受け取り、受け取ったNVMプログラム命令に応じて、所与のデータワードのビットをランダムな順序でNVMにプログラムするよう構成される。
【0006】
いくつかの実施形態において、所与のデータワードは2のN乗個のビットから成り、SPCは2のN乗個の値のランダム順列を生成し、所与のデータワードのビットをランダム順列に従った順序でプログラムするよう構成される。1つの実施形態において、SPCは、可逆バイナリ行列を各カウントのビットを含むベクトルで乗算して積を生成して、ランダムビットのベクトルを積に加算することにより、ランダム順列を生成するよう構成される。例示的な実施形態において、可逆行列は、主対角線と、第1の三角形と、第2の三角形とを含む三角バイナリ行列であり、主対角線は「1」の値を含み、第1の三角形は「0」の値を含み、第2の三角形はランダムビットを含む。
【0007】
本発明の1つの実施形態は、不揮発性メモリ(NVM)のセキュアプログラミングのための方法を提供する。該方法は、所与のデータワードをNVMの所与のロケーションにプログラムするようNVMプログラム命令を受け取ることと、NVMプログラム命令に応じて、所与のデータワードのビットをランダムな順序でNVMにプログラムすることとを含む。
【発明の効果】
【0008】
本発明の方法及びシステムは、NVMをサイドチャネル攻撃から保護するために適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
本発明の1つの実施形態によるセキュア組み込みフラッシュ集積回路(IC)を概略的に表すブロック図である。
本発明の1つの実施形態によるセキュアフラッシュプログラミングのための方法を概略的に表すフロー図である。
本発明の1つの実施形態による順列マップを生成するための方法を概略的に表すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
ハッカーは、サイドチャネル攻撃、例えば、電力消費又は放射された電磁エネルギーを監視することにより、NVM(又はその一部)の内容を取得しようとすることがある。
(【0011】以降は省略されています)

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