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公開番号2024019749
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-02-13
出願番号2023114122
出願日2023-07-12
発明の名称メモリデバイス、及び不揮発性メモリのセキュアプログミングのための方法
出願人華邦電子股ふん有限公司,Winbond Electronics Corp.
代理人個人,個人
主分類G06F 21/75 20130101AFI20240205BHJP(計算;計数)
要約【課題】悪意ある攻撃者がチップ内に格納されたデータを取得するためにフラッシュメモリをハッキングすることを防止するメモリデバイスを提供する。
【解決手段】サイドチャネル攻撃100の対象となるセキュア組み込みフラッシュ集積回路(IC)102は、フラッシュアレイ(NVM)106と、セキュアプログラミング回路(SPC)108と、を含む。SPCは、所与のデータワードをNVMの所与のロケーションにプログラムするようNVMプログラム命令を受け取り、NVMプログラム命令に応じて、所与のデータワードのビットをランダムな順序でNVMにプログラムする。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
不揮発性メモリ（ＮＶＭ）と、
所与のデータワードを前記ＮＶＭの所与のロケーションにプログラムするようＮＶＭプログラム命令を受け取り、
前記ＮＶＭプログラム命令に応じて、前記所与のデータワードのビットを前記ＮＶＭにランダムな順序でプログラムする
よう構成された
セキュアプログラミング回路（ＳＰＣ）と
を含む、
メモリデバイス。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記所与のワードデータは２のＮ乗個のビットから成り、
前記ＳＰＣは、２のＮ乗個の値のランダム順列を生成し、前記所与のデータワードの前記ビットを前記ランダム順列に従った順序でプログラムするよう構成される、
請求項１に記載のメモリデバイス。
【請求項３】
前記ＳＰＣは、
可逆バイナリ行列を各カウントのビットを含むベクトルで乗算して積を生成し、
前記積にランダムビットのベクトルを加算する
ことにより前記ランダム順列を生成するよう構成される、
請求項２に記載のメモリデバイス。
【請求項４】
前記可逆バイナリ行列は、主対角線と、第１の三角形と、第２の三角形とを含む三角バイナリ行列であり、前記主対角線は「１」の値を含み、前記第１の三角形は「０」の値を含み、前記第２の三角形はランダムビットを含む、
請求項３に記載のメモリデバイス。
【請求項５】
不揮発性メモリ（ＮＶＭ）のセキュアプログラミングのための方法であって、
所与のデータワードを前記ＮＶＭの所与のロケーションにプログラムするためＮＶＭプログラム命令を受け取ることと、
前記ＮＶＭプログラム命令に応じて、前記所与のデータワードのビットを前記ＮＶＭにランダムな順序でプログラムすることと
を含む、
ＮＶＭのセキュアプログラミングのための方法。
【請求項６】
前記所与のワードデータは２のＮ乗個のビットから成り、
前記データワードをプログラムすることは、２のＮ乗個の値のランダム順列を生成することと、前記所与のデータワードの前記ビットを前記ランダム順列に従った順序でプログラムすることとを含む、
請求項５に記載のＮＶＭのセキュアプログラミングのための方法。
【請求項７】
前記ランダム順列を生成することは、
積を生成するため可逆バイナリ行列を各カウントのビットを含むベクトルで乗算することと、
前記積にランダムビットのベクトルを加算することと
を含む、
請求項６に記載のＮＶＭのセキュアプログラミングのための方法。
【請求項８】
前記可逆バイナリ行列は、主対角線と、第１の三角形と、第２の三角形とを含む三角バイナリ行列であり、前記主対角線は「１」の値を含み、前記第１の三角形は「０」の値を含み、前記第２の三角形はランダムビットを含む、
請求項７に記載のＮＶＭのセキュアプログラミングのための方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は不揮発性メモリに関するものであり、特に、フラッシュメモリデバイスのセキュアプログラミングのための方法に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
フラッシュメモリと、特に組み込みフラッシュメモリは、機密データを格納する可能性があり、よって盗聴（「ハッキング」）から保護する必要がある。
【０００３】
米国特許第１１，１８８，２３７号は、フラッシュメモリのセキュリティを向上させてハッキングを防止するためのいくつかの実施形態を説明している。該実施形態は、悪意ある攻撃者がチップ内に格納されたデータを取得するためにフラッシュメモリをハッキングすることを防止する。該実施形態は、障害検出回路、アドレススクランブリング、ダミーアレイ、パスワード保護、改善された製造技術、及び他の機構の使用を含んでいる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、悪意ある攻撃者がチップ内に格納されたデータを取得するためにフラッシュメモリをハッキングすることを防止する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
ここで説明する本発明の１つの実施形態は、不揮発性メモリ（ＮＶＭ）とセキュアプログラミング回路（ＳＰＣ）とを含むメモリデバイスを提供する。ＳＰＣは、ＮＶＭの所与のロケーションに所与のデータワードをプログラムするようＮＶＭプログラム命令を受け取り、受け取ったＮＶＭプログラム命令に応じて、所与のデータワードのビットをランダムな順序でＮＶＭにプログラムするよう構成される。
【０００６】
いくつかの実施形態において、所与のデータワードは２のＮ乗個のビットから成り、ＳＰＣは２のＮ乗個の値のランダム順列を生成し、所与のデータワードのビットをランダム順列に従った順序でプログラムするよう構成される。１つの実施形態において、ＳＰＣは、可逆バイナリ行列を各カウントのビットを含むベクトルで乗算して積を生成して、ランダムビットのベクトルを積に加算することにより、ランダム順列を生成するよう構成される。例示的な実施形態において、可逆行列は、主対角線と、第１の三角形と、第２の三角形とを含む三角バイナリ行列であり、主対角線は「１」の値を含み、第１の三角形は「０」の値を含み、第２の三角形はランダムビットを含む。
【０００７】
本発明の１つの実施形態は、不揮発性メモリ（ＮＶＭ）のセキュアプログラミングのための方法を提供する。該方法は、所与のデータワードをＮＶＭの所与のロケーションにプログラムするようＮＶＭプログラム命令を受け取ることと、ＮＶＭプログラム命令に応じて、所与のデータワードのビットをランダムな順序でＮＶＭにプログラムすることとを含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の方法及びシステムは、ＮＶＭをサイドチャネル攻撃から保護するために適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本発明の１つの実施形態によるセキュア組み込みフラッシュ集積回路（ＩＣ）を概略的に表すブロック図である。
本発明の１つの実施形態によるセキュアフラッシュプログラミングのための方法を概略的に表すフロー図である。
本発明の１つの実施形態による順列マップを生成するための方法を概略的に表すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
ハッカーは、サイドチャネル攻撃、例えば、電力消費又は放射された電磁エネルギーを監視することにより、ＮＶＭ（又はその一部）の内容を取得しようとすることがある。
（【００１１】以降は省略されています）

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