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公開番号2024015568
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-02-06
出願番号2022117702
出願日2022-07-25
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人iX
主分類H01L 29/78 20060101AFI20240130BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】特性を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、第1素子を含む。第1素子は、第1~第3導電部材、第1半導体部材及び第3導電部材配線を含む。第1導電部材は、第1導電部分と第2導電部分とを含む。第2導電部材は、第3導電部分と第4導電部分とを含む。第1導電部分から第3導電部分への方向は、第3方向に沿う。第2導電部分から第4導電部分への方向は、第1方向に沿う。第1半導体部材は、第3方向において第1導電部分と第3導電部分との間にあり、第1方向において第2導電部分と第4導電部分との間にある。第3導電部材配線は、第3導電部材と電気的に接続される。第3導電部材配線の少なくとも一部は、第1半導体部材と第3導電部分との間の第1位置、及び、第1半導体部材と第1導電部分との間の第2位置のいずれかを通過する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
第1素子を備え、前記第1素子は、
第1面を含む第1導電部分と、第2面を含む第2導電部分と、を含む第1導電部材であって、前記第1面は、第1方向及び第2方向に沿い、前記第2方向は前記第1方向と交差し、前記第2面は、前記第2方向及び第3方向に沿い、前記第3方向は、前記第1方向及び前記第2方向を含む平面と交差する、前記第1導電部材と、
第3面を含む第3導電部分と、第4面を含む第4導電部分と、を含む第2導電部材であって、前記第3面は、前記第1方向及び前記第2方向に沿い、前記第4面は、前記第2方向及び前記第3方向に沿い、前記第1導電部分から前記第3導電部分への方向は、前記第3方向に沿い、前記第2導電部分から前記第4導電部分への方向は、前記第1方向に沿い、前記第4導電部分は、対向導電部を含む、前記第2導電部材と、
第1導電形の第1半導体部材であって、前記第1半導体部材は、前記第3方向において前記第1導電部分と前記第3導電部分との間にあり、前記第1半導体部材は、前記第1方向において前記第2導電部分と前記第4導電部分との間にあり、前記第1半導体部材は、第1部分領域、第2部分領域及び第3部分領域を含み、前記第1部分領域から前記第2部分領域への方向は前記第2方向に沿い、前記第3部分領域は前記第1方向において前記第1部分領域と前記対向導電部との間にあり、前記第3部分領域は前記対向導電部と対向する対向面を含む、前記第1半導体部材と、
第3導電部材であって、前記対向面から前記第3導電部材への方向は、前記第2方向に沿う、前記第3導電部材と、
前記第3導電部材と電気的に接続された第3導電部材配線であって、前記第3導電部材配線の少なくとも一部は、前記第1半導体部材と前記第3導電部分との間の第1位置、及び、前記第1半導体部材と前記第1導電部分との間の第2位置のいずれかを通過する、前記第3導電部材配線と、
を含む、半導体装置。
続きを表示(約 1,000 文字)【請求項2】
前記第3部分領域と前記対向導電部はショットキー接触する、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第1素子は、前記第3導電部材配線と電気的に接続された第3導電接続部をさらに含み、
前記第3導電接続部は、前記第3方向に沿って延び、
前記第1半導体部材から前記第3導電接続部への方向は、前記第3方向と交差する、請求項2に記載の半導体装置。
【請求項4】
樹脂部材をさらに備え、
前記第3導電接続部の少なくとも一部は、前記樹脂部材に覆われない、請求項3に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第1素子は、前記第3導電部分と電気的に接続された第2導電接続部をさらに含み、
前記第2導電接続部の少なくとも一部は、前記第3方向に沿って延び、
前記第2導電接続部の少なくとも一部は、前記樹脂部材に覆われず、
前記第3導電部材配線の前記少なくとも一部は、前記第1位置を通過する、請求項4に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記第1導電部分の少なくとも一部は、前記樹脂部材に覆われない、請求項5に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記第1素子は、前記第1導電部分と電気的に接続された第1導電接続部をさらに含み、
前記第1導電接続部の少なくとも一部は、前記第3方向に沿って延び、
前記第1導電接続部の少なくとも一部は、前記樹脂部材に覆われず、
前記第3導電部材配線の前記少なくとも一部は、前記第2位置を通過する、請求項4に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第3導電部分の少なくとも一部は、前記樹脂部材に覆われない、請求項7に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記第1素子は、第1絶縁領域を含む第1絶縁部材をさらに含み、
前記第1絶縁領域の少なくとも一部は、前記対向面と前記第3導電部材と、の間にある、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記第1素子は、第2絶縁部材及び第3絶縁部材をさらに含み、
前記第2絶縁部材は、前記第1導電部分と前記第1半導体部材との間にあり、
前記第3絶縁部材は、前記第1半導体部材と前記第3導電部分との間にある、請求項9に記載の半導体装置。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 2,600 文字)【背景技術】
【0002】
半導体装置において、特性の向上が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2015-008184号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の実施形態は、特性を向上できる半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の実施形態によれば、半導体装置は、第1素子を含む。前記第1素子は、第1導電部材、第2導電部材、第1半導体部材、第3導電部材、及び、第3導電部材配線を含む。前記第1導電部材は、第1面を含む第1導電部分と、第2面を含む第2導電部分と、を含む。前記第1面は、第1方向及び第2方向に沿う。前記第2方向は前記第1方向と交差する。前記第2面は、前記第2方向及び第3方向に沿う。前記第3方向は、前記第1方向及び前記第2方向を含む平面と交差する。前記第2導電部材は、第3面を含む第3導電部分と、第4面を含む第4導電部分と、を含む。前記第3面は、前記第1方向及び前記第2方向に沿う。前記第4面は、前記第2方向及び前記第3方向に沿う。前記第1導電部分から前記第3導電部分への方向は、前記第3方向に沿う。前記第2導電部分から前記第4導電部分への方向は、前記第1方向に沿う。前記第4導電部分は、対向導電部を含む。前記第1半導体部材は、第1導電形である。前記第1半導体部材は、前記第3方向において前記第1導電部分と前記第3導電部分との間にある。前記第1半導体部材は、前記第1方向において前記第2導電部分と前記第4導電部分との間にある。前記第1半導体部材は、第1部分領域、第2部分領域及び第3部分領域を含む。前記第1部分領域から前記第2部分領域への方向は前記第2方向に沿う。前記第3部分領域は前記第1方向において前記第1部分領域と前記対向導電部との間にある。前記第3部分領域は前記対向導電部と対向する対向面を含む。前記対向面から前記第3導電部材への方向は、前記第2方向に沿う。前記第3導電部材配線は、前記第3導電部材と電気的に接続される。前記第3導電部材配線の少なくとも一部は、前記第1半導体部材と前記第3導電部分との間の第1位置、及び、前記第1半導体部材と前記第1導電部分との間の第2位置のいずれかを通過する。
【図面の簡単な説明】
【0006】
図1は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式的斜視図である。
図2は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図3は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図4は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式的斜視図である。
図5は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図6は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式的斜視図である。
図7は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図8は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式的斜視図である。
図9は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式的斜視図である。
図10は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式的平面図である。
図11は、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する模式図である。
図12(a)及び図12(b)は、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する模式図である。
図13は、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する模式図である。
図14(a)及び図14(b)は、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する模式図である。
図15(a)及び図15(b)は、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する模式図である。
図16(a)及び図16(b)は、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する模式的斜視図である。
図17は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図18は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図19(a)及び図19(b)は、第2実施形態に係る半導体装置を例示する模式図である。
図20は、第2実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図21は、第2実施形態に係る半導体装置を例示する回路図である。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【0008】
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式的斜視図である。
図2は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図1に示すように、実施形態に係る半導体装置110は、第1素子10Aを含む。後述するように、実施形態に係る半導体装置は、複数の素子10Eを含んで良い。第1素子10Aは、複数の素子10Eの1つに対応する。
【0009】
第1素子10Aは、第1導電部材51、第2導電部材52、第3導電部材53、第1半導体部材11、及び、第3導電部材配線53Lを含む。
【0010】
第1導電部材51は、第1導電部分51a及び第2導電部分51bを含む。第1導電部分51aは、第1面f1を含む。第2導電部分51bは第2面f2を含む。第1面f1は、第1方向D1及び第2方向D2に沿って広がる。第2方向D2は、第1方向D1と交差する。第2面f2は、第2方向D2及び第3方向D3に沿って広がる。第3方向D3は、第1方向D1及び第2方向D2を含む平面(D1-D2平面)と交差する。
(【0011】以降は省略されています)

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