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公開番号2024015568
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-02-06
出願番号2022117702
出願日2022-07-25
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人iX
主分類H01L 29/78 20060101AFI20240130BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】特性を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、第1素子を含む。第1素子は、第1～第3導電部材、第1半導体部材及び第3導電部材配線を含む。第1導電部材は、第1導電部分と第2導電部分とを含む。第2導電部材は、第3導電部分と第4導電部分とを含む。第1導電部分から第3導電部分への方向は、第3方向に沿う。第2導電部分から第4導電部分への方向は、第1方向に沿う。第1半導体部材は、第3方向において第1導電部分と第3導電部分との間にあり、第1方向において第2導電部分と第4導電部分との間にある。第3導電部材配線は、第3導電部材と電気的に接続される。第3導電部材配線の少なくとも一部は、第1半導体部材と第3導電部分との間の第1位置、及び、第1半導体部材と第1導電部分との間の第2位置のいずれかを通過する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１素子を備え、前記第１素子は、
第１面を含む第１導電部分と、第２面を含む第２導電部分と、を含む第１導電部材であって、前記第１面は、第１方向及び第２方向に沿い、前記第２方向は前記第１方向と交差し、前記第２面は、前記第２方向及び第３方向に沿い、前記第３方向は、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する、前記第１導電部材と、
第３面を含む第３導電部分と、第４面を含む第４導電部分と、を含む第２導電部材であって、前記第３面は、前記第１方向及び前記第２方向に沿い、前記第４面は、前記第２方向及び前記第３方向に沿い、前記第１導電部分から前記第３導電部分への方向は、前記第３方向に沿い、前記第２導電部分から前記第４導電部分への方向は、前記第１方向に沿い、前記第４導電部分は、対向導電部を含む、前記第２導電部材と、
第１導電形の第１半導体部材であって、前記第１半導体部材は、前記第３方向において前記第１導電部分と前記第３導電部分との間にあり、前記第１半導体部材は、前記第１方向において前記第２導電部分と前記第４導電部分との間にあり、前記第１半導体部材は、第１部分領域、第２部分領域及び第３部分領域を含み、前記第１部分領域から前記第２部分領域への方向は前記第２方向に沿い、前記第３部分領域は前記第１方向において前記第１部分領域と前記対向導電部との間にあり、前記第３部分領域は前記対向導電部と対向する対向面を含む、前記第１半導体部材と、
第３導電部材であって、前記対向面から前記第３導電部材への方向は、前記第２方向に沿う、前記第３導電部材と、
前記第３導電部材と電気的に接続された第３導電部材配線であって、前記第３導電部材配線の少なくとも一部は、前記第１半導体部材と前記第３導電部分との間の第１位置、及び、前記第１半導体部材と前記第１導電部分との間の第２位置のいずれかを通過する、前記第３導電部材配線と、
を含む、半導体装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記第３部分領域と前記対向導電部はショットキー接触する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１素子は、前記第３導電部材配線と電気的に接続された第３導電接続部をさらに含み、
前記第３導電接続部は、前記第３方向に沿って延び、
前記第１半導体部材から前記第３導電接続部への方向は、前記第３方向と交差する、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
樹脂部材をさらに備え、
前記第３導電接続部の少なくとも一部は、前記樹脂部材に覆われない、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１素子は、前記第３導電部分と電気的に接続された第２導電接続部をさらに含み、
前記第２導電接続部の少なくとも一部は、前記第３方向に沿って延び、
前記第２導電接続部の少なくとも一部は、前記樹脂部材に覆われず、
前記第３導電部材配線の前記少なくとも一部は、前記第１位置を通過する、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１導電部分の少なくとも一部は、前記樹脂部材に覆われない、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１素子は、前記第１導電部分と電気的に接続された第１導電接続部をさらに含み、
前記第１導電接続部の少なくとも一部は、前記第３方向に沿って延び、
前記第１導電接続部の少なくとも一部は、前記樹脂部材に覆われず、
前記第３導電部材配線の前記少なくとも一部は、前記第２位置を通過する、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第３導電部分の少なくとも一部は、前記樹脂部材に覆われない、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１素子は、第１絶縁領域を含む第１絶縁部材をさらに含み、
前記第１絶縁領域の少なくとも一部は、前記対向面と前記第３導電部材と、の間にある、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１素子は、第２絶縁部材及び第３絶縁部材をさらに含み、
前記第２絶縁部材は、前記第１導電部分と前記第１半導体部材との間にあり、
前記第３絶縁部材は、前記第１半導体部材と前記第３導電部分との間にある、請求項９に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 2,600 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置において、特性の向上が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１５－００８１８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、特性を向上できる半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、半導体装置は、第１素子を含む。前記第１素子は、第１導電部材、第２導電部材、第１半導体部材、第３導電部材、及び、第３導電部材配線を含む。前記第１導電部材は、第１面を含む第１導電部分と、第２面を含む第２導電部分と、を含む。前記第１面は、第１方向及び第２方向に沿う。前記第２方向は前記第１方向と交差する。前記第２面は、前記第２方向及び第３方向に沿う。前記第３方向は、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する。前記第２導電部材は、第３面を含む第３導電部分と、第４面を含む第４導電部分と、を含む。前記第３面は、前記第１方向及び前記第２方向に沿う。前記第４面は、前記第２方向及び前記第３方向に沿う。前記第１導電部分から前記第３導電部分への方向は、前記第３方向に沿う。前記第２導電部分から前記第４導電部分への方向は、前記第１方向に沿う。前記第４導電部分は、対向導電部を含む。前記第１半導体部材は、第１導電形である。前記第１半導体部材は、前記第３方向において前記第１導電部分と前記第３導電部分との間にある。前記第１半導体部材は、前記第１方向において前記第２導電部分と前記第４導電部分との間にある。前記第１半導体部材は、第１部分領域、第２部分領域及び第３部分領域を含む。前記第１部分領域から前記第２部分領域への方向は前記第２方向に沿う。前記第３部分領域は前記第１方向において前記第１部分領域と前記対向導電部との間にある。前記第３部分領域は前記対向導電部と対向する対向面を含む。前記対向面から前記第３導電部材への方向は、前記第２方向に沿う。前記第３導電部材配線は、前記第３導電部材と電気的に接続される。前記第３導電部材配線の少なくとも一部は、前記第１半導体部材と前記第３導電部分との間の第１位置、及び、前記第１半導体部材と前記第１導電部分との間の第２位置のいずれかを通過する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的斜視図である。
図２は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図３は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図４は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的斜視図である。
図５は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図６は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的斜視図である。
図７は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図８は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的斜視図である。
図９は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的斜視図である。
図１０は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的平面図である。
図１１は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する模式図である。
図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する模式図である。
図１３は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する模式図である。
図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する模式図である。
図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する模式図である。
図１６（ａ）及び図１６（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する模式的斜視図である。
図１７は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図１８は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図１９（ａ）及び図１９（ｂ）は、第２実施形態に係る半導体装置を例示する模式図である。
図２０は、第２実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図２１は、第２実施形態に係る半導体装置を例示する回路図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的斜視図である。
図２は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図１に示すように、実施形態に係る半導体装置１１０は、第１素子１０Ａを含む。後述するように、実施形態に係る半導体装置は、複数の素子１０Ｅを含んで良い。第１素子１０Ａは、複数の素子１０Ｅの１つに対応する。
【０００９】
第１素子１０Ａは、第１導電部材５１、第２導電部材５２、第３導電部材５３、第１半導体部材１１、及び、第３導電部材配線５３Ｌを含む。
【００１０】
第１導電部材５１は、第１導電部分５１ａ及び第２導電部分５１ｂを含む。第１導電部分５１ａは、第１面ｆ１を含む。第２導電部分５１ｂは第２面ｆ２を含む。第１面ｆ１は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に沿って広がる。第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１と交差する。第２面ｆ２は、第２方向Ｄ２及び第３方向Ｄ３に沿って広がる。第３方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２を含む平面（Ｄ１－Ｄ２平面）と交差する。
（【００１１】以降は省略されています）

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