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公開番号2024009760
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-01-23
出願番号2023090638
出願日2023-06-01
発明の名称二軸配向ポリエステルフィルム
出願人東レ株式会社
代理人
主分類B32B 27/36 20060101AFI20240116BHJP(積層体)
要約【課題】
ドライフィルムレジストを用いた回路作成における露光阻害を抑えることができ、かつ、平滑性とハンドリング性を有した二軸配向ポリエステルフィルムを提供することを課題とする。
【解決手段】
表面(A)を有する層が体積平均粒子径150nmより大きい粒子を含有せず、当該表面(A)において、平均面からの突起高さが30nm以上80nm以下である突起密度が100個/mm²以上700個/mm²以下である二軸配向ポリエステルフィルム。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
表面（Ａ）を有する層が体積平均粒子径１５０ｎｍより大きい粒子を含有せず、当該表面（Ａ）において、走査型白色干渉顕微鏡（ＶｅｒｔＳｃａｎ）測定での平均面からの突起高さが３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である突起密度が１００個／ｍｍ
２
以上７００個／ｍｍ
２
以下である二軸配向ポリエステルフィルム
続きを表示（約 460 文字）【請求項２】
前記表面（Ａ）について走査型白色干渉顕微鏡（ＶｅｒｔＳｃａｎ）測定での測定面積１１３μｍ×１１３μｍにおいて、平均面から高さ３ｎｍにおける前記突起の断面積が１５０μｍ
２
以上６００μｍ
２
以下である請求項１に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
【請求項３】
表面（Ａ）を有する層の固有粘度が０．５０以上０．６３未満である、請求項１または２に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
【請求項４】
前記表面（Ａ）とは反対側の表面（Ｂ）を有する層が実質的に粒子を含有せず、当該表面（Ｂ）において、平均面からの突起高さが１０ｎｍ以上３０ｎｍ未満である突起密度が５００個／ｍｍ
２
以上１５００個／ｍｍ
２
以下である、請求項１または２に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
【請求項５】
ドライフィルムレジスト基材用フィルムとして用いられる請求項１または２に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に微細な突起を有する二軸配向ポリエステルフィルムに関するものである。
続きを表示（約 2,500 文字）【背景技術】
【０００２】
ドライフィルムレジスト（以下ＤＦＲと呼ぶ場合がある）は、プリント配線基板、半導体パッケージ、フレキシブル基板などの回路を形成するために用いられている。ＤＦＲは、感光層（フォトレジスト層）を、支持体としてのポリエステルフィルム上に積層させた後、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエステルフィルムなどからなる保護フィルム（カバーフィルム）で挟んだ構造をしている。このＤＦＲを用いて導体回路を作成するには、一般的に次のような工程で行われる。
１）ＤＦＲから保護フィルムを剥離し、露出したレジスト層の表面と、基板上の銅箔などの導電性基材層の表面とが密着するように、基板・導電性基材層とラミネートする工程。
２）次に、導体回路パターンを焼き付けたフォトマスクを、ポリエステルフィルムからなる支持体上に置き、その上から、感光性樹脂を主体としたレジスト層に紫外線を照射して、露光させる工程。
３）その後、フォトマスクおよびポリエステルフィルムを剥離した後、溶剤によってレジスト層中の未反応分を溶解、除去する工程。
４）次いで、酸などでエッチングを行い、導電性基材層中の露出した部分を溶解、除去する工程。
【０００３】
４）の工程の後には、レジスト層中の光反応部分と、この光反応部分に対応する導電性基材層部分がそのまま残り、その後、残ったレジスト層を除去する工程を経て、基板上の導体回路が形成されることになる。このため、支持体であるポリエステルフィルムには、紫外線を効率的に透過できることが要求される。これにより、導体回路パターンが、正確にレジスト層上に反映される。特に、近年では、ＩＴ機器など小型化、軽量化などに伴い、プリント配線板の微細化、高密度化が進んでおり、配線の幅や配線の間隔が２～５μｍ程度といった微細パターンを形成し、高解像化を達成できるドライフィルムレジスト支持体用ポリエステルフィルムが要求されており、平滑性が重要になってきている。また、支持体としてのポリエステルフィルムは、支持体上にレジスト層を形成してレジストフィルムを製造する際のハンドリング性を良好にするために、適度なすべり性を有することが重要である。
【０００４】
上記の要求に応えるためには、フィルム表面の平滑性には影響を与えないが、易滑性を付与できる程度の突起を形成させることが有効であることが知られている。例えばフィルム表面に突起を形成させるために、コロイド状シリカに代表される実質的に球形のシリカ粒子を含有せしめたフィルムが知られている（特許文献１）。また、表面突起形成のための粒子を含有する薄膜層を基層に積層したポリエステルフィルムも知られている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開昭５９－１７１６２３号公報
特開平８－３０９５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、粒子をフィルムに多量に含有させると、粒子の凝集による粗大突起の形成や、粒子の脱落による工程汚染、または粒子起因の異物が発生してしまう問題や、添加粒子の光散乱の透過と反射でフォトマスク外のレジスト部分が光反応し、レジストの解像度を低下させてしまうという問題があった。本発明は上記事情に鑑み、平滑性とハンドリング性を有し、かつ、レジストへの露光阻害を低減した二軸配向ポリエステルフィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、以下の特徴を有する。
［Ｉ］表面（Ａ）を有する層が体積平均粒子径１５０ｎｍより大きい粒子を含有せず、当該表面（Ａ）において、走査型白色干渉顕微鏡（ＶｅｒｔＳｃａｎ）測定での平均面からの突起高さが３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である突起密度が１００個／ｍｍ
２
以上７００個／ｍｍ
２
以下である二軸配向ポリエステルフィルム
［ＩＩ］前記表面（Ａ）について走査型白色干渉顕微鏡（ＶｅｒｔＳｃａｎ）測定での測定面積１１３μｍ×１１３μｍにおいて、平均面から高さ３ｎｍにおける前記突起の断面積が１５０μｍ
２
以上６００μｍ
２
以下である［Ｉ］に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
［ＩＩＩ］表面（Ａ）を有する層の固有粘度が０．５０以上０．６３未満である、［Ｉ］または［ＩＩ］に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
［ＩＶ］前記表面（Ａ）とは反対側の表面（Ｂ）を有する層が実質的に粒子を含有せず、当該表面（Ｂ）において、平均面からの突起高さが１０ｎｍ以上３０ｎｍ未満である突起密度が５００個／ｍｍ
２
以上１５００個／ｍｍ
２
以下である、［Ｉ］または［ＩＩ］に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
［Ｖ］ドライフィルムレジスト基材用フィルムとして用いられる［Ｉ］または［ＩＩ］に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、露光阻害の影響を低減し、欠陥の少ないレジスト形成が達成され、かつ高平滑性と高ハンドリング性、レジストとの密着性、耐巻きじわ性を良好に維持したドライフィルムレジスト支持体に好適な二軸配向ポリエステルフィルムを提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に本発明を詳細に説明する。
本発明でいうポリエステルフィルムとは、ポリエステル樹脂を主成分とするフィルムを示す。ここで主成分とは、フィルムの全成分１００重量％において、５０重量％を超えて含有している成分を示す。
【００１０】
本発明のポリエステル樹脂とは、ジカルボン酸とジオール、およびそれらのエステル形成性誘導体を主たる構成成分とする単量体または低重合体からの重合により得られるポリエステルである。
（【００１１】以降は省略されています）

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