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公開番号2023176192
公報種別公開特許公報(A)
公開日2023-12-13
出願番号2022088352
出願日2022-05-31
発明の名称撮像素子の製造方法
出願人日本放送協会
代理人個人,個人
主分類H01L 27/146 20060101AFI20231206BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】混色を抑制することができる撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】撮像素子の製造方法は、信号読み出し回路を有する基板の上に第1アモルファスセレン膜を形成する工程と、シリコン基板の上に第1透光性導電膜を形成する工程と、前記第1透光性導電膜の上に第2アモルファスセレン膜を形成する工程と、前記第1アモルファスセレン膜と前記第2アモルファスセレン膜とを接合して接合体を形成する工程と、前記接合体を形成する工程の後に、前記シリコン基板を除去する工程と、を有する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項1】
信号読み出し回路を有する基板の上に第1アモルファスセレン膜を形成する工程と、
シリコン基板の上に第1透光性導電膜を形成する工程と、
前記第1透光性導電膜の上に第2アモルファスセレン膜を形成する工程と、
前記第1アモルファスセレン膜と前記第2アモルファスセレン膜とを接合して接合体を形成する工程と、
前記接合体を形成する工程の後に、前記シリコン基板を除去する工程と、
を有する撮像素子の製造方法。
続きを表示(約 360 文字)【請求項2】
前記シリコン基板を除去する工程は、二フッ化キセノンガス、六フッ化硫黄ガス及び四フッ化炭素からなる群から選択された少なくとも一種のガスを用いて前記シリコン基板のドライエッチングを行う工程を有する請求項1に記載の撮像素子の製造方法。
【請求項3】
前記シリコン基板を除去する工程は、前記シリコン基板の機械加工を行う工程を有する請求項1又は2に記載の撮像素子の製造方法。
【請求項4】
前記接合体を形成する工程と前記シリコン基板を除去する工程との間に、前記接合体を結晶化させて結晶セレン膜を形成する工程を有する請求項1又は2に記載の撮像素子の製造方法。
【請求項5】
前記接合体を形成する工程において、加圧接合を行う請求項1又は2に記載の撮像素子の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、撮像素子の製造方法に関する。
続きを表示(約 1,600 文字)【背景技術】
【0002】
結晶セレン(Se)膜を光電変換部に用いることで、広い帯域で高感度が得られることが知られている(非特許文献1)。更に、結晶セレン膜を含む撮像素子の製造方法として、結晶セレン膜の平坦性の向上を図った方法が提案されている(特許文献1)。この製造方法では、信号読み出し回路基板の上に第1アモルファスセレン膜を形成し、透明基板の上に第2アモルファスセレン膜を形成し、第1アモルファスセレン膜と第2アモルファスセレン膜とを加圧接合し、その後に、第1アモルファスセレン膜及び第2アモルファスセレン膜を結晶化させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2017-208376号公報
特開昭61-67279号公報
【非特許文献】
【0004】
ITE Transactions on Media and Applications, Vol. 10, No. 2, 52-58 (2022)
Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 23, No. 8, pp. L587-L589 (1984)
Applied Physics Letters, Vol. 104, No. 24, pp. 242101-242101-4 (2014)
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 63, No. 1, pp.86-91 (2016)
Scientific Reports, Vol. 10, No. 1, pp.1-9 (2020)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
従来の撮像素子は透明基板を備えており、透明基板の厚さは数十μm~数百μmである。このため、カラーフィルター及びマイクロレンズ等のナノ構造体(微小光学素子)を撮像素子に設けた場合、混色(クロストーク)が生じるおそれがある。すなわち、入射した光が透明基板内で隣接する画素に漏れこむおそれがある。特許文献1には、透明基板を用いずに金属酸化物基板を用いることも記載されているが、この構成でも混色が生じるおそれがある。
【0006】
本開示は、混色を抑制することができる撮像素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示の撮像素子の製造方法は、信号読み出し回路を有する基板の上に第1アモルファスセレン膜を形成する工程と、シリコン基板の上に第1透光性導電膜を形成する工程と、前記第1透光性導電膜の上に第2アモルファスセレン膜を形成する工程と、前記第1アモルファスセレン膜と前記第2アモルファスセレン膜とを接合して接合体を形成する工程と、前記接合体を形成する工程の後に、前記シリコン基板を除去する工程と、を有する。
【発明の効果】
【0008】
本開示によれば、混色を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
実施形態に係る撮像素子の製造方法を示す断面図(その1)である。
実施形態に係る撮像素子の製造方法を示す断面図(その2)である。
撮像素子の応用例を示す断面図である。
撮像素子の使用例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本開示の実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。
(【0011】以降は省略されています)

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