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公開番号2023171269
公報種別公開特許公報(A)
公開日2023-12-01
出願番号2023067578
出願日2023-04-18
発明の名称エッチング方法及びプラズマ処理システム
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/3065 20060101AFI20231124BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】エッチングの形状異常を抑制する。
【解決手段】
エッチング方法が提供される。この方法は、(a)シリコン及び窒素を含むシリコン含有膜と、シリコン含有膜上のマスクとを有する基板を、チャンバ内の基板支持部上に提供する工程と、(b)フッ化水素ガス及び塩素含有ガスを含む処理ガスをチャンバ内に供給する工程であって、塩素含有ガスの流量は、不活性ガスを除く処理ガスの総流量の1.5体積%以上である工程と、(c)処理ガスからプラズマを生成して、シリコン含有膜をエッチングする工程と、を含む。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項1】
(a)シリコン及び窒素を含むシリコン含有膜と、前記シリコン含有膜上のマスクとを有する基板を、チャンバ内の基板支持部上に提供する工程と、
(b)フッ化水素ガス及び塩素含有ガスを含む処理ガスを前記チャンバ内に供給する工程であって、前記塩素含有ガスの流量は、不活性ガスを除く前記処理ガスの総流量の1.5体積%以上である工程と、
(c)前記処理ガスからプラズマを生成して、前記シリコン含有膜をエッチングする工程と、を含む、エッチング方法。
続きを表示(約 730 文字)【請求項2】
前記塩素含有ガスは、塩化リンガスを含む、請求項1に記載のエッチング方法。
【請求項3】
前記塩素含有ガスは、PCl
3
ガス、PCl
5
ガス及びPOCl
3
ガスからなる群から選択される少なくとも1種を含む、請求項1に記載のエッチング方法。
【請求項4】
前記塩素含有ガスは、Cl
2
ガス、HClガス、SiCl
2
ガス及びBCl
3
ガスからなる群から選択される少なくとも1種を含む、請求項1に記載のエッチング方法。
【請求項5】
前記処理ガスは、フッ化リンガスをさらに含む、請求項4に記載のエッチング方法。
【請求項6】
前記フッ化リンガスは、PF
3
ガス及びPF
5
ガスの少なくともいずれかである、請求項5に記載のエッチング方法。
【請求項7】
前記塩素含有ガスの流量は、前記塩素含有ガスの流量は、不活性ガスを除く前記処理ガスの総流量の5体積%以下である、請求項4に記載のエッチング方法。
【請求項8】
前記塩素含有ガスは、炭素を含む、請求項1に記載のエッチング方法。
【請求項9】
前記塩素含有ガスは、CxHyFzClw(x及びwは1以上の整数であり、y及びzは、0以上の整数である)ガスを含む、請求項8に記載のエッチング方法。
【請求項10】
前記処理ガスは、リン含有ガスをさらに含む、請求項8に記載のエッチング方法。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示の例示的実施形態は、エッチング方法及びプラズマ処理システムに関する。
続きを表示(約 1,100 文字)【背景技術】
【0002】
特許文献1及び2には、シリコン含有膜をエッチングする技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
米国特許出願公開第2016/0343580号明細書
特開2016-39310号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、エッチングの形状異常を抑制する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一つの例示的実施形態において、(a)シリコン及び窒素を含むシリコン含有膜と、シリコン含有膜上のマスクとを有する基板を、チャンバ内の基板支持部上に提供する工程と、(b)フッ化水素ガス及び塩素含有ガスを含む処理ガスをチャンバ内に供給する工程であって、塩素含有ガスの流量は、不活性ガスを除く処理ガスの総流量の1.5体積%以上である工程と、(c)処理ガスからプラズマを生成して、シリコン含有膜をエッチングする工程と、を含むエッチング方法が提供される。
【発明の効果】
【0006】
本開示の一つの例示的実施形態によれば、エッチングの形状異常を抑制する技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
例示的なプラズマ処理システムを概略的に示す図である。
本処理方法の一例を示すフローチャートである。
基板Wの断面構造の一例を示す図である。
工程ST3の処理中の基板Wの断面構造の一例を示す図である。
実施例及び参考例にかかるエッチングの結果を示す図である。
実施例及び参考例にかかるエッチングの結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、本開示の各実施形態について説明する。
【0009】
一つの例示的実施形態において、(a)シリコン及び窒素を含むシリコン含有膜と、シリコン含有膜上のマスクとを有する基板を、チャンバ内の基板支持部上に提供する工程と、(b)フッ化水素ガス及び塩素含有ガスを含む処理ガスをチャンバ内に供給する工程であって、塩素含有ガスの流量は、不活性ガスを除く処理ガスの総流量の1.5体積%以上である工程と、(c)処理ガスからプラズマを生成して、シリコン含有膜をエッチングする工程と、を含むエッチング方法が提供される。
【0010】
一つの例示的実施形態において、塩素含有ガスは、塩化リンガスを含む。
(【0011】以降は省略されています)

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