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公開番号2023160021
公報種別公開特許公報(A)
公開日2023-11-02
出願番号2022070032
出願日2022-04-21
発明の名称発光装置、光源
出願人日亜化学工業株式会社
代理人
主分類H01L 33/62 20100101AFI20231026BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】静電気による破壊を抑制するとともに、光取り出し効率の高い発光装置又は光源を提供する。
【解決手段】発光装置は、第1面1と、第1面1と反対側の第2面2と、第1面1及び第2面2と繋がる側面3と、を有し、第2面2に異なる極性を持つ一対の素子電極7を有する発光素子10と、粉体状の半導電性物質21と粉体状の光反射性物質22と絶縁性の結合材23とを含む光反射部20と、を備え、半導電性物質21は、球状、長球、楕円体、略球状、略長球、略楕円体の少なくともいずれか1種の形状を持つ第1粉体21aと、1方向又は2方向以上に延びる針状の形状を持つ第2粉体21bと、を持ち、光反射部20が一対の素子電極7のそれぞれと接触するように配置され、光反射部20は、450nm以上800nm以下の波長域で50%以上の光反射率を有し、かつ、バリスタ特性を持つ。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項1】
第1面と、前記第1面と反対側の第2面と、前記第1面及び前記第2面と繋がる側面と、を有し、前記第2面に異なる極性を持つ一対の素子電極を有する発光素子と、
粉体状の半導電性物質と粉体状の光反射性物質と絶縁性の結合材とを含む光反射部と、
を備え、
前記半導電性物質は、球状、長球、楕円体、略球状、略長球、略楕円体の少なくともいずれか1種の形状を持つ第1粉体と、1方向又は2方向以上に延びる針状の形状を持つ第2粉体と、を持ち、
前記光反射部が前記一対の素子電極のそれぞれと接触するように配置され、
前記光反射部は、450nm以上800nm以下の波長域で50%以上の光反射率を有し、かつ、バリスタ特性を持つ、発光装置。
続きを表示(約 850 文字)【請求項2】
前記バリスタ特性は、非直線性係数(α)が3以上である、請求項1に記載の発光装置。
【請求項3】
前記発光装置は、さらに、前記発光素子の前記第1面と向かい合うように波長変換部材を備える、請求項1又は2に記載の発光装置。
【請求項4】
前記光反射部は、前記発光素子の前記側面若しくは側方、及び/又は、前記波長変換部材の側面若しくは側方、に配置されている、請求項3に記載の発光装置。
【請求項5】
前記第1粉体、前記第2粉体は、前記結合材100重量部に対し、前記第1粉体は、30以上450重量部以下であり、前記第2粉体は20以上200重量部以下である、請求項1又は2に記載の発光装置。
【請求項6】
前記第1粉体に対し、前記第2粉体の重量比率は、4.4%以上667%以下である、請求項1又は2に記載の発光装置。
【請求項7】
前記第1粉体は、直径若しくは長径が1μm以上50μm以下であり、前記第2粉体は、平均繊維長が1μm以上50μm以下である、請求項1又は2に記載の発光装置。
【請求項8】
前記半導電性物質は、BaTiO

、SrTiO

、ZnO、BiO、CoO、MnO、SbO、CrO、NiO、SiN、SiOから選ばれる少なくとも1種である、請求項1又は2に記載の発光装置。
【請求項9】
前記第1粉体は、純度95%以上のZnOであり、
前記第1粉体に、Al、Bi、Sb、Co、Mn、又は、これらから選択される少なくとも1種を含む酸化物若しくは窒化物、が含有されていない、又は、0.01重量%以下である、請求項1又は2に記載の発光装置。
【請求項10】
前記第2粉体は、体積固有抵抗が0.1Ω・cm以上1000Ω・cm以下である、請求項1又は2に記載の発光装置。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、発光装置、光源に関する。
続きを表示(約 1,900 文字)【背景技術】
【0002】
半導体発光素子を回路基板に実装しパッケージ化した半導体発光装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1は、半導体発光素子はバンプを介して回路基板とフリップチップ実装して接続された半導体発光素子及び発光装置が記載されている。半導体発光素子は静電気で破壊しやすいため保護素子とともに回路基板に実装されることがある。ところが保護素子を回路基板上にフリップチップ実装すると、保護素子の周辺が暗くなってしまうので保護素子を省きたいということで、n側バンプとp側バンプとの間に、バリスタ粉末を含むペーストを焼結したバリスタである保護部材を配置するというものである。
【0003】
また、サージのバイパス経路を形成することが可能な複合樹脂及びその複合樹脂を用いた電子デバイスが知られている(例えば、特許文献2参照)。
【0004】
さらに、マトリックス樹脂中に充填材を均一に分散させ、優れた非直線抵抗特性が得られる非直線抵抗樹脂材料が知られている(例えば、特許文献3参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
特開2012-023328号公報
特開2016-134605号公報
特開2015-101714号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本開示に係る実施形態は、静電気による破壊を抑制するとともに、光取り出し効率の高い発光装置又は光源を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
実施形態に係る発光装置は、第1面と、前記第1面と反対側の第2面と、前記第1面及び前記第2面と繋がる側面と、を有し、前記第2面に異なる極性を持つ一対の素子電極を有する発光素子と、粉体状の半導電性物質と粉体状の光反射性物質と絶縁性の結合材とを含む光反射部と、を備え、前記半導電性物質は、球状、長球、楕円体、略球状、略長球、略楕円体の少なくともいずれか1種の形状を持つ第1粉体と、1方向又は2方向以上に延びる針状の形状を持つ第2粉体と、を持ち、前記光反射部が前記一対の素子電極のそれぞれと接触するように配置され、前記光反射部は、450nm以上800nm以下の波長域で50%以上の光反射率を有し、かつ、バリスタ特性を持つ。
【0008】
また、異なる実施形態に係る発光装置は、第1面と、前記第1面と反対側の第2面と、前記第1面及び前記第2面と繋がる側面と、を有し、前記第2面に異なる極性を持つ一対の素子電極を有する発光素子と、前記一対の素子電極と電気的に接続する、第1リードフレーム配線部と、前記第1リードフレーム配線部から離隔する第2リードフレーム配線部と、粉体状の半導電性物質と粉体状の光反射性物質と絶縁性の結合材とを含む光反射部と、を備え、前記半導電性物質は、球状、長球、楕円体、略球状、略長球、略楕円体の少なくともいずれか1種の形状を持つ第1粉体と、1方向又は2方向以上に延びる針状の形状を持つ第2粉体と、を持ち、前記光反射部が前記第1リードフレーム配線部と前記第2リードフレーム配線部とのそれぞれと接触するように配置され、前記光反射部は、450nm以上800nm以下の波長域で50%以上の光反射率を有し、かつ、バリスタ特性を持つ。
【0009】
さらに、実施形態に係る光源は、第1面と、前記第1面と反対側の第2面と、前記第1面及び前記第2面と繋がる側面と、を有し、前記第2面に異なる極性を持つ一対の素子電極を有する発光素子と、前記一対の素子電極と電気的に接続する、少なくとも2つの配線部を備える回路基板と、粉体状の半導電性物質と粉体状の光反射性物質と絶縁性の結合材とを含む光反射部と、を備え、前記半導電性物質は、球状、長球、楕円体、略球状、略長球、略楕円体の少なくともいずれか1種の形状を持つ第1粉体と、1方向又は2方向以上に延びる針状の形状を持つ第2粉体と、を持ち、前記光反射部が前記2つの配線部のそれぞれと接触するように配置され、前記光反射部は、450nm以上800nm以下の波長域で50%以上の光反射率を有し、かつ、バリスタ特性を持つ。
【発明の効果】
【0010】
本開示の実施形態によれば、静電気による破壊を抑制するとともに、光取り出し効率の高い発光装置又は光源を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
(【0011】以降は省略されています)

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