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公開番号2023129745
公報種別公開特許公報(A)
公開日2023-09-15
出願番号2023001358,2022578757
出願日2023-01-06,2021-06-08
発明の名称ガス状汚染物質処理設備
出願人エコシスピーティーイーリミテッド
代理人TRY国際弁理士法人
主分類B01D 53/46 20060101AFI20230908BHJP(物理的または化学的方法または装置一般)
要約【課題】プロセス及び実行上の安全性を大幅に向上させることができ、一層エネルギーを節約することができるガス状汚染物質処理設備を提供する。
【解決手段】ガス取入れ部101と、第1処理ユニット102と、第2処理ユニット103と、非機械的流体吸引装置104とを含むガス状汚染物質処理設備であって、ガス取入れ部は、ガス取入れチャンバ101bと、少なくとも1つのガイド管路101aとを含み、ガイド管路はガス取入れチャンバに連通し半導体製造プロセスからの流出物をガス取入れチャンバにガイドし、第1処理ユニットはガス取入れ部の下方に結合されて流出物を緩和するために用いられ、非機械的流体吸引装置は第1処理ユニットに結合され、流体吸引装置は流出物が開口へ移動するようにガイドするために用いられ、第2処理ユニットは開口を介して流体吸引装置に結合され、第1処理ユニットからの流出物を受け取って流出物をより一層緩和する。
【選択図】図2B
特許請求の範囲【請求項１】
ガス取入れチャンバと少なくとも１つのガイド管路とを含み、前記ガイド管路は前記ガス取入れチャンバに連通し半導体製造プロセスからの流出物を前記ガス取入れチャンバにガイドするガス取入れ部と、
前記ガス取入れ部の下方に結合される第１処理ユニットであって、前記流出物を緩和（ａｂａｔｅ）するために用いられる第１処理ユニットと、
前記第１処理ユニットに結合される非機械的流体吸引装置であって、前記流出物が開口へ移動するようにガイドするために用いられる非機械的流体吸引装置と、
前記開口を介して前記流体吸引装置に結合される第２処理ユニットであって、前記第１処理ユニットからの前記流出物を受け取って前記流出物をより一層緩和（ａｂａｔｅ）する第２処理ユニットとを含むことを特徴とするガス状汚染物質処理設備。
続きを表示（約 220 文字）【請求項２】
前記流体吸引装置は、噴射流体で圧力差を生じさせて、前記流出物をガイドして移動させることを特徴とする請求項
１
に記載のガス状汚染物質処理設備。
【請求項３】
前記第１処理ユニット及び前記第２処理はそれぞれ燃焼式排ガス処理装置、加熱式排ガス処理装置、湿式排ガス処理装置又はプラズマ式排ガス処理装置であることを特徴とする請求項
１
に記載のガス状汚染物質処理設備。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガス状汚染物質処理設備に関し、特に、半導体製造プロセスの流出物を処理する設備である。
続きを表示（約 3,200 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセスの排ガスには人体又は環境に有害なさまざまな化学物質が含まれており、一般的な排ガス処理設備は、燃焼式、プラズマ式、水洗式、触媒式などである。
【０００３】
水溶性有害物質の場合、水洗式（湿式ともいう）排ガス処理設備は価格が合理的で、取り付けやすいなどの利点を有し、実際にはエピタキシープロセス又は半導体エッチングプロセスによく用いられる。従来技術による水洗式排ガス処理設備は、例えば、特許文献１に示されるもので、排出導管と、複数の充填床と、１つ又はそれ以上の噴霧ジェットと、ドリッパーとを含む、流出スクラビング及び湿分制御が向上した除去システムが開示され、当該排出導管では流出ストリームが貫通して流れ、当該充填床は当該排出導管内に配置され、当該流出ストリームから非排出可能流出物を除去し、当該噴霧ジェットは当該流出ストリームから非排出可能流出物を除去するための流出物処理剤を隣接する充填床間に提供し、当該ドリッパーは最上充填床上で当該排出導管内に配置され、大きな液滴の当該流出物処理剤を提供して、微細液滴を実質的に形成することなく当該最上充填床の上側表面から粒子状物質を湿潤させリンスする。
【０００４】
化学気相蒸着（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、略称ＣＶＤ）プロセスで生成されたシラン（Ｓｉｌａｎｅ）、アルシン（Ａｒｓｉｎｅ）、ホスフィン（Ｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）などの汚染物質には一般的に燃焼式の排ガス処理設備が用いられ、従来の製品としては、ＤＡＳ社のＬＡＲＣＨ型、Ｅｄｗａｒｄｓ社のＳｐｅｃｔｒａシリーズなどがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
米国出願公開特許第ＵＳ２０１００１１９４２０号
【発明の概要】
【０００６】
本発明は、上記の目的を達成するために、ガス取入れチャンバと少なくとも１つのガイド管路とを含み、前記ガイド管路は前記ガス取入れチャンバに連通し半導体製造プロセスからの流出物を前記ガス取入れチャンバにガイドするガス取入れ部と、前記ガス取入れ部の下方に結合される第１スクラバータワーであって、鉛直に延在し、且つ前記ガス取入れチャンバに連通する第１上部開口と、前記第１上部開口に連通する第１チャンバと、前記第１チャンバ内に位置する内壁と、側方から前記第１チャンバに連通する液体入口と、前記第１チャンバに連通する第１底部開口とを含み、前記液体入口は水流が前記第１チャンバに入って前記内壁においてウォーターカーテンを形成するためのものである前記第１スクラバータワーと、前記第１スクラバータワーに隣接して設けられる第２スクラバータワーであって、鉛直に延在し、且つ前記第１チャンバに連通する第２底部開口と、前記第２底部開口に連通する第２チャンバと、前記第２チャンバに連通する第２上部開口と、前記第２チャンバ内に設けられる複数の噴射部品とを含む前記第２スクラバータワーと、前記第２スクラバータワーに隣接して設けられる第３スクラバータワーであって、鉛直に延在し、且つ前記第２チャンバに連通する第３上部開口と、前記第３上部開口に連通する第３チャンバと、前記第３チャンバに連通する第３底部開口と、前記第３上部開口に隣接して設けられる流体吸引装置と、前記流体吸引装置の下方に位置して前記流体吸引装置からの気流を受け取る少なくとも１つの充填床とを含む前記第３スクラバータワーと、前記第１スクラバータワー、前記第２スクラバータワー及び前記第３スクラバータワーの下方に結合される循環ウォータータンクであって、液体が貯蔵される集水空間と、第１上部開口と、第２上部開口と、第３上部開口とを含み、前記第１上部開口、第２上部開口、第３上部開口はそれぞれ前記第１チャンバ、前記第２チャンバ、前記第３チャンバに連通し、前記集水空間は第１領域と、第２領域と、前記第１領域と前記第２領域の間に設けられる遮断部品とを含む前記循環ウォータータンクとを含み、前記第１領域には、前記第１スクラバータワーの前記第１底部開口と前記第２スクラバータワーの前記第２底部開口の間で、前記流出物が前記第１スクラバータワーから前記第２スクラバータワーを経由して前記第３スクラバータワーに流れるように前記液体に露出する第１流路が形成され、前記第２領域は前記第３スクラバータワーの前記流体吸引装置によって駆動される前記流出物を受け取ることを特徴とするガス状汚染物質処理設備を提供する。
【０００７】
本発明は、上記の目的を達成するために、ガス源に結合され、且つ前記ガス源からのガス状汚染物質を受け取る第１空間であって、流入領域を規定する前記第１空間と、前記第１空間の流体に接続される第２空間であって、流出領域を規定する前記第２空間と、前記流出領域と前記流入領域の間の第１チャネルに装着され、前記第１チャネルは所定の方向に延在する流体吸引装置であって、流体噴射管と、流体吸引管とを含み、前記流体噴射管と前記流体吸引管は前記方向において互いに隔たり、且つ間には前記第１チャネルに第２チャネルが形成され、前記流体噴射管が前記流体吸引管へ噴射流体を供給し、これにより前記第１チャネルと前記第２チャネルの間で圧力差が生み出され、前記圧力差の駆動で前記ガス状汚染物質が前記流入領域から前記流出領域に入る前記流体吸引装置とを含むことを特徴とするガス状汚染物質処理設備を提供する。
【０００８】
本発明は、上記の目的を達成するために、ガス取入れチャンバと少なくとも１つのガイド管路とを含み、前記ガイド管路は前記ガス取入れチャンバに連通し半導体製造プロセスからの流出物を前記ガス取入れチャンバにガイドするガス取入れ部と、前記ガス取入れ部の下方に結合される第１処理ユニットであって、前記流出物を緩和（ａｂａｔｅ）するために用いられる前記第１処理ユニットと、前記第１処理ユニットに結合される非機械的流体吸引装置であって、前記流出物が開口へ移動するようにガイドするために用いられる非機械的流体吸引装置と、前記開口を介して前記流体吸引装置に結合される第２処理ユニットであって、前記第１処理ユニットからの前記流出物を受け取って前記流出物をより一層緩和（ａｂａｔｅ）する前記第２処理ユニットとを含むことを特徴とするガス状汚染物質処理設備。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本発明のいくつかの実施例の概略図である。
図１の実施例の一形態の概略図である。
図１の実施例の別の形態の概略図である。
本発明の一実施例の斜視概略図である。
本発明の一実施例の別の角度からみた斜視概略図である。
本発明の一実施例の上面図である。
図１のＡ－Ａに沿う断面の上面概略図である。
図４のＢ－Ｂに沿う斜視断面概略図である。
図４のＢ－Ｂに沿う断面概略図である。
図４のＢ－Ｂに沿う断面概略図である。
図４のＣ－Ｃに沿う斜視断面概略図である。
図４のＣ－Ｃに沿う断面概略図である。
本発明の一実施例の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の一態様では、半導体製造プロセスからの流出物（Ｅｆｆｌｕｅｎｔｓｔｒｅａｍ）、例えば、排ガス（Ｗａｓｔｅｇａｓ）を処理するために用いられるガス状汚染物質処理設備が開示され、次の記載では、複数の箇所で用語「水」が用いられるが、これは説明しやすさから使用される表現で、本発明は水に限定されず、粒子状物質（ＰａｒｔｉｃｕｌａｔｅＭａｔｔｅｒ、略称ＰＭ）を洗浄又は捕捉できる他の液体も使用できる。
（【００１１】以降は省略されています）

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