TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
公開番号2023079704
公報種別公開特許公報(A)
公開日2023-06-08
出願番号2021193302
出願日2021-11-29
発明の名称半導体装置
出願人三菱電機株式会社
代理人弁理士法人深見特許事務所
主分類H01L 23/28 20060101AFI20230601BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】放熱装置にねじ止めされた際の放熱性を改善可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、パワー半導体素子と、パワー半導体素子を封止しているモールド樹脂とを備えている。モールド樹脂は、平面視において、第1方向に沿って延びている第1辺及び第2辺と第1方向に直交する第2方向に沿って延びている第3辺及び第4辺とにより構成されている矩形状である。第1辺の長さは、第3辺の長さよりも大きい。モールド樹脂には、第1方向及び第2方向に直交する第3方向に沿ってモールド樹脂を貫通している第1ねじ穴及び第2ねじ穴が形成されている。第1ねじ穴の第2方向における中央及び第2ねじ穴の第2方向における中央を通る第1仮想直線は、第1方向に沿って延びており、かつ第2方向におけるモールド樹脂の中央よりも第2辺側にある。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
パワー半導体素子と、
前記パワー半導体素子を封止しているモールド樹脂とを備え、
前記モールド樹脂は、平面視において、第1方向に沿って延びている第1辺及び第2辺と前記第1方向に直交する第2方向に沿って延びている第3辺及び第4辺とにより構成されている矩形状であり、
前記第1辺の長さは、前記第3辺の長さよりも大きく、
前記モールド樹脂には、前記第1方向及び前記第2方向に直交する第3方向に沿って前記モールド樹脂を貫通している第1ねじ穴及び第2ねじ穴が形成されており、
前記第1ねじ穴の前記第2方向における中央及び前記第2ねじ穴の前記第2方向における中央を通る第1仮想直線は、前記第1方向に沿って延びており、かつ前記第2方向における前記モールド樹脂の中央よりも前記第2辺側にあり、
前記パワー半導体素子の前記第2方向における中央を通り、かつ前記第1方向に沿って延びている第2仮想直線と前記第1仮想直線との間の距離は、2mm以下である、半導体装置。
続きを表示(約 1,000 文字)【請求項2】
前記モールド樹脂により封止されているブートストラップダイオード、第1端子及び第2端子をさらに備え、
前記第1端子の一部は、前記第1辺から前記第2方向に沿って突出しており、
前記第2端子の一部は、前記第3辺から前記第1方向に沿って突出しており、
前記第1端子及び前記第2端子は、前記ブートストラップダイオードを介して互いに電気的に接続されている、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第2端子と前記第1仮想直線との間の距離は、3mm以上である、請求項2に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記モールド樹脂は、硬化収縮系の樹脂材料により形成されている、請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。
【請求項5】
放熱板と、
前記放熱板上に配置されている絶縁シートと、
前記絶縁シート上に配置されているダイパッドを有するリードフレームと、
前記ダイパッド上に配置されている接合材とをさらに備え、
前記放熱板、前記絶縁シート及び前記リードフレームは、前記放熱板が前記モールド樹脂の底面から露出するように前記モールド樹脂により封止されており、
前記パワー半導体素子は、前記接合材上に配置されており、
前記放熱板の前記第2方向における中央を通り、かつ前記第1方向に沿っている第3仮想直線と前記第1仮想直線との間の距離は、2mm以下である、請求項1~請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置。
【請求項6】
放熱板と、
前記放熱板上に配置されている絶縁層と、
前記絶縁層上に配置されている導体パターンと、
前記導体パターン上に配置されている接合材とをさらに備え、
前記放熱板、前記絶縁層及び前記導体パターンは、前記放熱板が前記モールド樹脂の底面から露出するように前記モールド樹脂により封止されており、
前記パワー半導体素子は、前記接合材上に配置されており、
前記放熱板の前記第2方向における中央を通り、かつ前記第1方向に沿っている第3仮想直線と前記第1仮想直線との間の距離は、2mm以下である、請求項1~請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記パワー半導体素子は、逆導通IGBTである、請求項1~請求項6のいずれか1項に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 1,600 文字)【背景技術】
【0002】
例えば特開2018-107364号公報(特許文献1)には、半導体装置が記載されている。特許文献1に記載の半導体装置は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)と、フリーホイールダイオードと、封止体とを有している。
【0003】
IGBT及びフリーホールダイオードは、封止体により封止されている。封止体は、平面視において、第1方向に沿って延びている第1辺及び第2辺と第1方向に直交する第2方向に沿って延びている第3辺及び第4辺とにより構成されている矩形状になっている。封止体には、第1ねじ穴及び第2ねじ穴が形成されている。第1ねじ穴の第2方向における中央及び第2ねじ穴の第2方向における中央を通る仮想直線(第1仮想直線)は、第1方向に沿っており、かつ第2方向における封止体の中央を通っている。特許文献1に記載の半導体装置は、第1ねじ穴及び第2ねじ穴にねじが通されるとともに、ねじが放熱装置に螺合されることにより、放熱装置に取り付けられる。
【0004】
IGBTは、平面視において、第1仮想直線の近傍に配置されている。他方で、フリーホールダイオードは、平面視において、IGBTよりも第1仮想直線から第2辺側に離れた位置にある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
特開2018-107364号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
IGBT及びフリーホイールダイオードは、1チップ化されることがある。すなわち、IGBT及びフリーホールダイオードに代えて、逆導通IGBT(Reverse Conducting IGBT:RC-IGBT)が用いられることがある。この場合、特許文献1に記載の半導体装置は、逆導通IGBTの第2方向における中央を通り、かつ第1方向に沿っている仮想直線(第2仮想直線)が第1仮想直線からずれてしまい、放熱装置にねじ止めされた際の放熱性が不十分となるおそれがある。
【0007】
本開示は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものである。より具体的には、本開示は、放熱装置にねじ止めされた際の放熱性を改善可能な半導体装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本開示の半導体装置は、パワー半導体素子と、パワー半導体素子を封止しているモールド樹脂とを備えている。モールド樹脂は、平面視において、第1方向に沿って延びている第1辺及び第2辺と第1方向に直交する第2方向に沿って延びている第3辺及び第4辺とにより構成されている矩形状である。第1辺の長さは、第3辺の長さよりも大きい。モールド樹脂には、第1方向及び第2方向に直交する第3方向に沿ってモールド樹脂を貫通している第1ねじ穴及び第2ねじ穴が形成されている。第1ねじ穴の第2方向における中央及び第2ねじ穴の第2方向における中央を通る第1仮想直線は、第1方向に沿って延びており、かつ第2方向におけるモールド樹脂の中央よりも第2辺側にある。パワー半導体素子の第2方向における中央を通り、かつ第1方向に沿って延びている第2仮想直線と第1仮想直線との間の距離は、2mm以下である。
【発明の効果】
【0009】
本開示の半導体装置によると、放熱装置にねじ止めされた際の放熱性を改善できる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
半導体装置100の概略構成図である。
半導体装置100の平面図である。
図2中のIII-IIIにおける断面図である。
半導体装置200の断面図である。
【発明を実施するための形態】
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する

関連特許

個人
半導体装置
2日前
個人
パルス電波
7日前
東レ株式会社
電池
16日前
東レ株式会社
電池
16日前
東レ株式会社
電池
16日前
個人
コネクタ
22日前
個人
アクチュエータ
7日前
個人
電源コンセント
17日前
株式会社GSユアサ
蓄電素子
17日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
15日前
株式会社昭和丸筒
積層熱伝導体
22日前
トヨタ自動車株式会社
電池
16日前
株式会社GSユアサ
蓄電装置
1日前
ダイニチ工業株式会社
燃料電池装置
17日前
オムロン株式会社
電磁継電器
22日前
株式会社GSユアサ
蓄電装置
1日前
沖電気工業株式会社
コネクタ
17日前
太陽誘電株式会社
コイル部品
16日前
株式会社GSユアサ
蓄電装置
3日前
株式会社GSユアサ
蓄電装置
22日前
ダイニチ工業株式会社
燃料電池装置
17日前
ダイニチ工業株式会社
燃料電池装置
17日前
ダイニチ工業株式会社
燃料電池装置
17日前
ダイニチ工業株式会社
燃料電池装置
17日前
ダイニチ工業株式会社
燃料電池装置
17日前
株式会社GSユアサ
蓄電装置
4日前
ダイニチ工業株式会社
流体供給装置
17日前
株式会社ダイヘン
変成器
3日前
株式会社村田製作所
コイル部品
7日前
サンケン電気株式会社
複合半導体装置
8日前
三洲電線株式会社
撚線導体
22日前
TDK株式会社
コイル部品
4日前
有限会社芳美商事
USBケーブル
22日前
株式会社ティラド
電池温度調節システム
22日前
株式会社トクヤマ
シリコンエッチング液
16日前
ローム株式会社
半導体装置
7日前
続きを見る