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公開番号2023077679
公報種別公開特許公報(A)
公開日2023-06-06
出願番号2021191044
出願日2021-11-25
発明の名称半導体装置
出願人三菱電機株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 25/07 20060101AFI20230530BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】封止樹脂が半導体素子から剥離することを抑制可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子に電気的に接続された主配線ワイヤと、半導体素子に接続され、断面視にて主配線ワイヤに対して半導体素子側または半導体素子と逆側に位置する補強ワイヤと、半導体素子、主配線ワイヤ、及び、補強ワイヤを覆う封止樹脂とを備える。補強ワイヤが半導体素子の複数部分に接続されている、または、平面視にて補強ワイヤの両端部が半導体素子の外郭線の内側に位置する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
1つ以上の半導体素子と、
前記半導体素子に電気的に接続された主配線ワイヤと、
前記半導体素子に接続され、断面視にて前記主配線ワイヤに対して前記半導体素子側または前記半導体素子と逆側に位置する補強ワイヤと、
前記半導体素子、前記主配線ワイヤ、及び、前記補強ワイヤを覆う封止樹脂と
を備え、
前記補強ワイヤが前記半導体素子の複数部分に接続されている、または、平面視にて前記補強ワイヤの両端部が前記半導体素子の外郭線の内側に位置する、半導体装置。
続きを表示(約 1,000 文字)【請求項2】
請求項1に記載の半導体装置であって、
平面視にて前記補強ワイヤが前記主配線ワイヤと並行である、半導体装置。
【請求項3】
請求項1に記載の半導体装置であって、
平面視にて前記補強ワイヤが前記主配線ワイヤと交差する、半導体装置。
【請求項4】
請求項1から請求項3のうちのいずれか1項に記載の半導体装置であって、
断面視にて前記補強ワイヤは、前記主配線ワイヤに対して前記半導体素子側に位置する、半導体装置。
【請求項5】
請求項1から請求項3のうちのいずれか1項に記載の半導体装置であって、
断面視にて前記補強ワイヤは、前記主配線ワイヤに対して前記半導体素子と逆側に位置する、半導体装置。
【請求項6】
請求項5に記載の半導体装置であって、
断面視にて前記補強ワイヤは、前記主配線ワイヤと前記半導体素子との接続部に対して前記半導体素子と逆側に位置し、
前記補強ワイヤの前記半導体素子に対する高さは、前記主配線ワイヤの前記半導体素子に対する高さよりも低い、半導体装置。
【請求項7】
請求項1から請求項5のうちのいずれか1項に記載の半導体装置であって、
前記補強ワイヤが前記半導体素子の前記複数部分に接続され、
前記複数部分は、前記半導体素子の端部である第1部分と、前記第1部分と逆側の端部である第2部分と、前記第1部分と前記第2部分との間の部分である第3部分とを含む、半導体装置。
【請求項8】
請求項1から請求項4のうちのいずれか1項に記載の半導体装置であって、
平面視にて前記補強ワイヤの前記両端部が前記半導体素子の前記外郭線の内側に位置し、
前記補強ワイヤは前記半導体素子との接続部ごとに設けられる、半導体装置。
【請求項9】
請求項1から請求項8のうちのいずれか1項に記載の半導体装置であって、
前記補強ワイヤはリボンワイヤを含む、半導体装置。
【請求項10】
請求項1から請求項5のうちのいずれか1項に記載の半導体装置であって、
前記1つ以上の半導体素子は、複数の半導体素子であり、
前記補強ワイヤが、1以上の前記半導体素子の前記複数部分に接続され、かつ、前記複数の半導体素子の間に接続されている、半導体装置。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 2,000 文字)【背景技術】
【0002】
特許文献1には、半導体素子の周辺部に、断線防止ワイヤなどの補強ワイヤが接続された半導体装置が提案されている。このような半導体装置によれば、繰り返される熱応力の集中に起因して生じる封止樹脂の剥離を、補強ワイヤによって抑制することが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2014-120679号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献1の補強ワイヤは、半導体素子の周辺部に接続されているため、当該周辺部における封止樹脂の剥離を抑制することができる。しかしながら、特許文献1の補強ワイヤは半導体素子上には作用せず、封止樹脂が半導体素子から剥離することを直接的に抑制する効果はない。このため、実使用環境下において、封止樹脂が半導体素子から剥離する可能性があった。
【0005】
そこで、本開示は、上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、封止樹脂が半導体素子から剥離することを抑制可能な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示に係る半導体装置は、1つ以上の半導体素子と、前記半導体素子に電気的に接続された主配線ワイヤと、前記半導体素子に接続され、断面視にて前記主配線ワイヤに対して前記半導体素子側または前記半導体素子と逆側に位置する補強ワイヤと、前記半導体素子、前記主配線ワイヤ、及び、前記補強ワイヤを覆う封止樹脂とを備え、前記補強ワイヤが前記半導体素子の複数部分に接続されている、または、平面視にて前記補強ワイヤの両端部が前記半導体素子の外郭線の内側に位置する。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、補強ワイヤが半導体素子の複数部分に接続されている、または、平面視にて補強ワイヤの両端部が半導体素子の外郭線の内側に位置するので、封止樹脂が半導体素子から剥離することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
実施の形態1に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
実施の形態2に係る半導体装置の構成を示す平面図である。
実施の形態2に係る半導体装置の構成を示す立体図である。
実施の形態3に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
実施の形態3に係る半導体装置の構成を示す平面図である。
実施の形態3に係る半導体装置の構成を示す立体図である。
実施の形態4に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
実施の形態4に係る半導体装置の構成を示す平面図である。
実施の形態4の変形例に係る半導体装置の構成を示す平面図である。
実施の形態5に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
実施の形態5に係る半導体装置の構成を示す平面図である。
実施の形態5の変形例に係る半導体装置の構成を示す平面図である。
実施の形態6に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
実施の形態6に係る半導体装置の構成を示す立体図である。
実施の形態6に係る半導体装置の構成を示す立体図である。
実施の形態7に係る半導体装置の構成を示す平面図である。
実施の形態7の変形例に係る半導体装置の構成を示す平面図である。
実施の形態8に係る半導体装置の構成を示す平面図である。
実施の形態8の変形例に係る半導体装置の構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の各実施の形態で説明される特徴は例示であり、すべての特徴は必ずしも必須ではない。また、以下に示される説明では、複数の実施の形態において同様の構成要素には同じまたは類似する符号を付し、異なる構成要素について主に説明する。また、以下に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「表」または「裏」などの特定の位置及び方向は、実際の実施時の位置及び方向とは必ず一致しなくてもよい。
【0010】
<実施の形態1>
図1は、本実施の形態1に係る半導体装置の構成を示す断面図である。図1の半導体装置は、例えば電力半導体装置である。図1の半導体装置は、素子搭載部1と、接合部材2と、半導体素子3と、主配線ワイヤ4と、補強ワイヤ5と、封止樹脂6と、図示しないケース及び外部接続端子とを備える。なお、以下の説明において主配線ワイヤ4と補強ワイヤ5とを区別しない場合には、それらをワイヤとのみ記すこともある。
(【0011】以降は省略されています)

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