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公開番号2023076124
公報種別公開特許公報(A)
公開日2023-06-01
出願番号2021189336
出願日2021-11-22
発明の名称ダイシングダイボンドフィルム
出願人日東電工株式会社
代理人弁理士法人藤本パートナーズ
主分類H01L 21/301 20060101AFI20230525BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】 ダイシングテープの粘着剤層とダイボンドシートとの間の剥離力が経時的に低下することが抑制され、且つ、時間経過後の上記剥離力が比較的高いダイシングダイボンドフィルムを提供することを課題としている。
【解決手段】 熱基材層、及び、該基材層に重なった粘着剤層を有するダイシングテープと、該ダイシングテープの前記粘着剤層に重なったダイボンドシートとを備え、前記ダイボンドシートは、導電性金属粒子を含み、前記ダイボンドシート及び前記粘着剤層は、いずれも極性基含有化合物をそれぞれ含み、前記極性基含有化合物は、1以上のヒドロキシ基又は複数のエーテル結合の少なくとも一方を分子中に含有する化合物であり、前記ダイボンドシートと前記粘着剤層との間の剥離力は、0.05N/50mmよりも大きい、ダイシングダイボンドフィルムを提供する。
【選択図】 図1
特許請求の範囲【請求項1】
基材層、及び、該基材層に重なった粘着剤層を有するダイシングテープと、該ダイシングテープの前記粘着剤層に重なったダイボンドシートとを備え、
前記ダイボンドシートは、導電性金属粒子を含み、
前記ダイボンドシート及び前記粘着剤層は、いずれも極性基含有化合物をそれぞれ含み、
前記極性基含有化合物は、1以上のヒドロキシ基又は複数のエーテル結合の少なくとも一方を分子中に含有する化合物であり、
前記ダイボンドシートと前記粘着剤層との間の剥離力は、0.05N/50mmよりも大きい、ダイシングダイボンドフィルム。
続きを表示(約 1,000 文字)【請求項2】
前記粘着剤層は、アルキル(メタ)アクリレートの構成単位を分子中に少なくとも含有するアクリルポリマーを含み、
前記アクリルポリマーの構成単位のうち、アルキル部分の炭素数が8以上の前記アルキル(メタ)アクリレートの構成単位の割合が分子中で最も高い、請求項1に記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項3】
前記粘着剤層は、硬化処理によって硬化反応を起こす成分を含み、
前記硬化処理後における前記粘着剤層のゲル分率は、70%以上である、請求項1又は2に記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項4】
前記剥離力をXとし、該Xの剥離力の測定から7日経過後の経時後剥離力をYとしたときに、Y/Xが0.5よりも大きく且つ1.5未満である、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項5】
前記粘着剤層の質量に占める前記極性基含有化合物の割合をA[質量%]とし、前記ダイボンドシートに含まれる樹脂成分及び前記極性基含有化合物の総質量に占める、前記極性基含有化合物の割合をB[質量%]としたときに、
0.1≦A/B≦3.0 の関係式が満たされる、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項6】
前記極性基含有化合物の25℃における蒸気圧が1mmHg以下であり、且つ、前記極性基含有化合物の沸点が200℃以上350℃以下である、請求項1乃至5のいずれか1項に記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項7】
前記ダイボンドシートは、前記導電性金属粒子を85質量%以上97質量%以下含む、請求項1乃至6のいずれか1項に記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項8】
前記導電性金属粒子は、銀、銅、酸化銀、及び、酸化銅からなる群より選択される少なくとも1種を含む、請求項1乃至7のいずれか1項に記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項9】
前記ダイボンドシートは、熱硬化性樹脂を含む、請求項1乃至8のいずれか1項に記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項10】
前記ダイボンドシートは、エポキシ樹脂を前記熱硬化性樹脂として含む、請求項9に記載のダイシングダイボンドフィルム。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、例えば半導体装置を製造するときに使用されるダイシングダイボンドフィルムに関する。
続きを表示(約 1,900 文字)【背景技術】
【0002】
従来、半導体装置の製造において使用されるダイシングダイボンドフィルムが知られている。この種のダイシングダイボンドフィルムは、例えば、ダイシングテープと、該ダイシングテープに積層され且つウエハに接着されるダイボンドシートと、を備える。ダイシングテープは、基材層と、ダイボンドシートに接している粘着剤層とを有する。この種のダイシングダイボンドフィルムは、半導体装置の製造において、例えば下記のように使用される。
【0003】
半導体装置を製造する方法は、一般的に、高集積の電子回路によってウエハの片面側に回路面を形成する前工程と、回路面が形成されたウエハからチップを切り出して組立てを行う後工程とを備える。例えば、比較的大きい電力で使用されるパワー半導体素子を含む半導体装置を製造する場合、後工程では、以下のような各工程を実施できる。
【0004】
後工程は、例えば、ダイシングテープに重なったダイボンドシートの粘着剤層に、回路面が形成されたウエハ(半導体ウエハ)の回路面とは反対側の面を貼り付けてウエハを固定するマウント工程と、ダイシングソー等によって半導体ウエハ及びダイボンドシートをともに切断して小片化するダイシング工程と、半導体ウエハが小片化されたチップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程と、ダイシングテープの粘着剤層に貼り付けられた小片化ダイボンドシートをチップとともに粘着剤層から剥離するピックアップ工程と、ダイボンドシートが貼り付いた状態のチップ(ダイ)をダイボンドシートを介して被着体に接着させるダイボンド工程と、被着体に接着したダイボンドシートを熱硬化処理するキュアリング工程と、を有する。パワー半導体素子を含む半導体装置は、例えばこれらの工程を経て製造される。
【0005】
上記のような半導体装置の製造方法で使用されるダイシングダイボンドフィルムについては、例えば熱硬化性樹脂と、揮発成分と、導電性粒子とを含むダイボンドシートを備えたダイシングダイボンドフィルムが知られている(例えば、特許文献1)。
【0006】
詳しくは、特許文献1に記載のダイシングダイボンドフィルムにおいて、ダイボンドシートでは、200mL/minの窒素ガス気流下で、10℃/minの昇温条件にて、室温から100℃まで昇温し、100℃で30min保持させたときの重量減少率W1が0.5質量%以下であり、200mL/minの窒素ガス気流下で、10℃/minの昇温条件にて、100℃から200℃まで昇温し、200℃で30min保持させたときの重量減少率W2が2質量%以上である。
特許文献1に記載のダイシングダイボンドフィルムのダイボンドシートによれば、熱硬化処理後に比較的高い放熱性を有することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
特開2021-077765号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
ところで、例えば上記のダイシング工程において、ダイシングブレード等によって半導体ウエハを小片化したときの力によって、小片化されたダイボンドシートが意図せず粘着剤層から剥離してしまう場合がある。このような現象は、チップフライ現象とも称される。ダイシングダイボンドフィルムが未使用の状態で保管される時間が長くなるほど、チップフライ現象が生じやすくなる傾向がある。この原因は、ダイシングテープの粘着剤層とダイボンドシートとの間の剥離力が、時間の経過に伴って低下するためと考えられる。
このようなチップフライ現象を防ぐべく、ダイシングテープの粘着剤層とダイボンドシートとの間の剥離力が経時的に低下することが抑制され、且つ、経時的に上記剥離力が低下したとしても時間経過後の上記剥離力が比較的高くなるようにダイシングダイボンドフィルムを設計することが考えられる。
【0009】
しかしながら、ダイシングテープの粘着剤層とダイボンドシートとの間の剥離力が経時的に低下することが抑制され、且つ、時間経過後の上記剥離力が比較的高いダイシングダイボンドフィルムについては、未だ十分に検討されているとはいえない。
【0010】
そこで、本発明は、ダイシングテープの粘着剤層とダイボンドシートとの間の剥離力が経時的に低下することが抑制され、且つ、時間経過後の上記剥離力が比較的高いダイシングダイボンドフィルムを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
(【0011】以降は省略されています)

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