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公開番号
2023073616
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2023-05-26
出願番号
2021186172
出願日
2021-11-16
発明の名称
半導体装置
出願人
三菱電機株式会社
代理人
個人
,
個人
主分類
H01L
25/07 20060101AFI20230519BHJP(基本的電気素子)
要約
【課題】はんだが銅ブロックから剥離することを抑制可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】銅ブロックが銅パターン上に第1はんだを介して接合され、電極端子が銅ブロック上に第2はんだを介して接合される。封止樹脂は、銅パターン、第1はんだ、銅ブロック、第2はんだ、電極端子、及び、半導体素子を覆う。銅ブロックのうち第1はんだで接合される部分の面積が、銅ブロックのうち第2はんだで接合される部分の面積よりも大きい。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
銅パターンと、
前記銅パターン上に第1はんだを介して接合された銅ブロックと、
前記銅ブロック上に第2はんだを介して接合された電極端子と、
前記銅パターンと電気的に接続された半導体素子と、
前記銅パターン、前記第1はんだ、前記銅ブロック、前記第2はんだ、前記電極端子、及び、前記半導体素子を覆う封止樹脂と
を備え、
前記銅ブロックのうち前記第1はんだで接合される部分の面積が、前記銅ブロックのうち前記第2はんだで接合される部分の面積よりも大きい、半導体装置。
続きを表示(約 370 文字)
【請求項2】
請求項1に記載の半導体装置であって、
前記銅ブロックの厚みは、前記銅パターンの厚みよりも大きい、半導体装置。
【請求項3】
請求項1または請求項2に記載の半導体装置であって、
前記銅ブロックの前記第2はんだで接合される面に凹凸が設けられている、半導体装置。
【請求項4】
請求項1から請求項3のうちのいずれか1項に記載の半導体装置であって、
前記電極端子の前記第2はんだで接合される部分の上の前記封止樹脂の厚みが、2.0mm以上2.5mm以下である、半導体装置。
【請求項5】
請求項1から請求項4のうちのいずれか1項に記載の半導体装置であって、
前記銅ブロックと前記封止樹脂との間に設けられたコーティング膜をさらに備える、半導体装置。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 1,500 文字)
【背景技術】
【0002】
電力半導体装置などの半導体装置として、半導体素子と、比較的厚みが大きい導電ブロックである銅ブロックとが、封止樹脂で封止された半導体装置が提案されている(例えば特許文献1)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2013-131592号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
半導体装置には高温環境下でも動作することが求められている。しかしながら、製造時に高温動作用の封止樹脂を硬化させると、硬化開始時の温度から室温までの温度差が大きいため、封止樹脂の熱膨張及び収縮の応力が比較的大きくなる。この結果、封止樹脂の応力が、銅ブロックの接合に用いられるはんだに集中して、はんだが銅ブロックから剥離する可能性があった。
【0005】
そこで、本開示は、上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、はんだが銅ブロックから剥離することを抑制可能な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示に係る半導体装置は、銅パターンと、前記銅パターン上に第1はんだを介して接合された銅ブロックと、前記銅ブロック上に第2はんだを介して接合された電極端子と、前記銅パターンと電気的に接続された半導体素子と、前記銅パターン、前記第1はんだ、前記銅ブロック、前記第2はんだ、前記電極端子、及び、前記半導体素子を覆う封止樹脂とを備え、前記銅ブロックのうち前記第1はんだで接合される部分の面積が、前記銅ブロックのうち前記第2はんだで接合される部分の面積よりも大きい。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、銅ブロックが銅パターン上に第1はんだを介して接合され、電極端子が銅ブロック上に第2はんだを介して接合され、銅ブロックのうち第1はんだで接合される部分の面積が、銅ブロックのうち第2はんだで接合される部分の面積よりも大きい。このような構成によれば、はんだが銅ブロックから剥離することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
実施の形態1に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
実施の形態2に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
実施の形態3に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
実施の形態4に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の各実施の形態で説明される特徴は例示であり、すべての特徴は必ずしも必須ではない。また、以下に示される説明では、複数の実施の形態において同様の構成要素には同じまたは類似する符号を付し、異なる構成要素について主に説明する。また、以下に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「表」または「裏」などの特定の位置及び方向は、実際の実施時の位置及び方向とは必ず一致しなくてもよい。
【0010】
<実施の形態1>
図1は、本実施の形態1に係る半導体装置の構成を示す断面図である。図1の半導体装置は、絶縁性ベース基板1と、銅パターン2と、第1はんだ3と、銅ブロック4と、第2はんだ5と、電極端子6と、第3はんだ7と、半導体素子8と、ワイヤ9と、電極端子10と、接着部材11と、ケース12と、封止樹脂13とを備える。
(【0011】以降は省略されています)
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