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公開番号2023070911
公報種別公開特許公報(A)
公開日2023-05-22
出願番号2021183368
出願日2021-11-10
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人個人
主分類H01L 23/50 20060101AFI20230515BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】樹脂部とリードとの密着性を向上させることが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体素子1と、半導体素子1に導通する第1リード2と、半導体素子1と、第1リード2の少なくとも一部と、を覆う樹脂部8と、を備え、第1リード2は、第1凹凸形状Un1と第1凹凸形状Un1よりも粗さが細かい第2凹凸形状Un2とが重ね合わされた形状である粗化領域Un0を有し、粗化領域Un0は、樹脂部8に接する。
【選択図】図8
特許請求の範囲【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子に導通するリードと、
前記半導体素子と、前記リードの少なくとも一部と、を覆う樹脂部と、を備え、
前記リードは、第１凹凸形状と前記第１凹凸形状よりも粗さが細かい第２凹凸形状とが重ね合わされた形状である粗化領域を有し、
前記粗化領域は、前記樹脂部に接する、半導体装置。
続きを表示（約 530 文字）【請求項２】
前記第１凹凸形状は、各々が第１特定方向に延びる複数の溝である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２凹凸形状は、各々が第２特定方向に延びる複数の溝である、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１特定方向と前記第２特定方向とは、互いに交差している、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１特定方向と前記第２特定方向とは、直交している、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１特定方向と前記第２特定方向とは、互いに平行である、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２凹凸形状は、離散配置された複数の凹部である、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１凹凸形状は、離散配置された複数の凹部である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２凹凸形状は、複数の溝である、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２凹凸形状は、離散配置された複数の凹部である、請求項８に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 2,500 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、従来の半導体装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体装置は、半導体素子、複数のリード、ワイヤおよび樹脂部を備える。半導体素子は、あるリードに搭載されている。ワイヤは、半導体素子と他のリードとに接続されている。樹脂部は、半導体素子、ワイヤおよび複数のリードを覆っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００６－３０３２１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
リードと樹脂部との密着性が不十分であると、亀裂等の発生が懸念される。
【０００５】
本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、樹脂部とリードとの密着性を向上させることが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子に導通するリードと、前記半導体素子と、前記リードの少なくとも一部と、を覆う樹脂部と、を備え、前記リードは、第１凹凸形状と前記第１凹凸形状よりも粗さが細かい第２凹凸形状とが重ね合わされた形状である粗化領域を有し、前記粗化領域は、前記樹脂部に接する。
【０００７】
本開示の第２の側面によって提供される半導体装置の製造方法は、リードの表面に第１レーザ光を照射することにより、第１凹凸形状を有する粗化領域を形成する工程と、前記粗化領域に第２レーザ光を照射することにより、前記第１凹凸形状よりも粗さが細かい第２凹凸形状を、前記第１凹凸形状に重ね合わせるように形成する工程と、前記リードに半導体素子を導通させる工程と、前記半導体素子および前記粗化領域を覆う樹脂部を形成する工程と、を備える。
【発明の効果】
【０００８】
本開示の一実施形態によれば、樹脂部とリードとの密着性を向上させることができる。
【０００９】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。
図２は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。
図３は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。
図４は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第２パッド部を示す平面図である。
図５は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第２パッド部を示す平面図である。
図６は、図３のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。
図７は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す要部拡大断面図である。
図８は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の粗化領域の一例を示す要部拡大断面図である。
図９は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第２粗化領域の一例を示す要部拡大断面図である。
図１０は、図３のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。
図１１は、図３のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。
図１２は、図３のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。
図１３は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す要部拡大斜視図である。
図１４は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す要部拡大斜視図である。
図１５は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例における加工を説明する図である。
図１６は、本開示に係る半導体装置の粗化領域の他の例を示す要部拡大斜視図である。
図１７は、本開示に係る半導体装置の粗化領域の他の例を示す要部拡大平面図である。
図１８は、本開示に係る半導体装置の粗化領域の他の例を示す要部拡大平面図である。
図１９は、図１８のＸＩＸ－ＸＩＸ線に沿う要部拡大断面図である。
図２０は、図１８のＸＸ－ＸＸ線に沿う要部拡大断面図である。
図２１は、本開示に係る半導体装置の粗化領域の他の例を示す要部拡大平面図である。
図２２は、図２１のＸＸＩＩ－ＸＸＩＩ線に沿う要部拡大断面図である。
図２３は、図２１のＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ線に沿う要部拡大断面図である。
図２４は、本開示に係る半導体装置の粗化領域の他の例を示す要部拡大平面図である。
図２５は、図２４のＸＸＶ－ＸＸＶ線に沿う要部拡大断面図である。
図２６は、図２４のＸＸＶＩ－ＸＸＶＩ線に沿う要部拡大断面図である。
図２７は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第２粗化領域の他の例を示す要部拡大断面図である。
図２８は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第１変形例を示す平面図である。
図２９は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第２変形例を示す平面図である。
図３０は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第３変形例を示す平面図である。
図３１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第４変形例を示す平面図である。
図３２は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。
図３３は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。
図３４は、図３３のＸＸＸＩＶ－ＸＸＸＩＶ線に沿う断面図である。
図３５は、図３３のＸＸＸＶ－ＸＸＸＶ線に沿う断面図である。
図３６は、図３３のＸＸＸＶＩ－ＸＸＸＶＩ線に沿う断面図である。
図３７は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置の第１変形例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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