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公開番号2023070761
公報種別公開特許公報(A)
公開日2023-05-22
出願番号2021183047
出願日2021-11-10
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 29/78 20060101AFI20230515BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体装置の外周領域の小型化を図ること。
【解決手段】半導体装置10は、アクティブ領域11と、アクティブ領域11を囲むように枠状に形成されかつ矩形状の外周縁を有する外周領域12と、を有する半導体層30を備えている。外周領域12は、耐圧構造が形成された耐圧構造領域42と、外周領域12の外周縁から耐圧構造領域42の外周縁42aまでの領域であって、耐圧構造領域42の外周縁42aが凹むように形成された特定領域43と、を含んでいる。特定領域43内における半導体層30の表面30sには、コンタクト領域44が形成されている。外周領域12の最外周領域を構成する非コラム領域41には、コンタクト領域44と電気的に接続された配線50が形成されている。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項1】
アクティブ領域と、前記アクティブ領域を囲むように枠状に形成されかつ矩形状の外周縁を有する外周領域と、を有する半導体層を備えた半導体装置であって、
前記外周領域は、
耐圧構造が形成された耐圧構造領域と、
前記外周領域の外周縁から前記耐圧構造領域の外周縁までの領域であって、前記半導体層の厚さ方向から視て、前記耐圧構造領域の外周縁が前記アクティブ領域に向けて凹むように形成された特定領域と、
を含み、
前記特定領域内における前記半導体層の表面には、コンタクト領域が形成されており、
前記外周領域の最外周領域には、前記コンタクト領域と電気的に接続された配線が形成されている
半導体装置。
続きを表示(約 910 文字)【請求項2】
前記特定領域は、前記外周領域のコーナ部分に形成されている
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記外周領域の対角線における前記耐圧構造領域の長さは、前記外周領域の一辺に垂直な方向における前記耐圧構造領域の長さよりも長い
請求項2に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記特定領域は、複数形成されている
請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記配線は、
内部配線と、
前記内部配線および前記コンタクト領域の双方に電気的に接続された外部配線と、
を含む
請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記外部配線は、前記内部配線と接続する第1外部コンタクト部を有し、
前記内部配線は、前記半導体層と接続する内部コンタクト部を有し、
前記内部コンタクト部は、前記第1外部コンタクト部よりも前記耐圧構造領域の外周縁寄りに設けられている
請求項5に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記外部配線は、前記コンタクト領域と接続する第2外部コンタクト部を有し、
前記第1外部コンタクト部および前記第2外部コンタクト部の双方は、前記特定領域に設けられている
請求項6に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記内部配線は、前記半導体層の厚さ方向から視て前記コンタクト領域を囲む包囲配線部と、前記最外周領域に形成された最外周配線部と、を有し、
前記最外周配線部の幅寸法は、前記包囲配線部の幅寸法よりも小さい
請求項6または7に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記第1外部コンタクト部は、前記包囲配線部に接続されている
請求項8に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記第1外部コンタクト部は、前記コンタクト領域を囲むように形成されている
請求項9に記載の半導体装置。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 2,700 文字)【背景技術】
【0002】
トランジスタが形成されたアクティブ領域と、アクティブ領域を囲む外周領域とを含む半導体層を備えた半導体装置が知られている(たとえば特許文献1参照)。このような半導体装置の外周領域には、FLR(Field Limiting Ring)およびEQR(EQui-potential Ring)といった耐圧構造が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2021-93557号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、半導体装置の種類によっては小型化を要求される場合がある。この点において、半導体装置の外周領域には改善の余地がある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記課題を解決する半導体装置は、アクティブ領域と、前記アクティブ領域を囲むように枠状に形成されかつ矩形状の外周縁を有する外周領域と、を有する半導体層を備えた半導体装置であって、前記外周領域は、耐圧構造が形成された耐圧構造領域と、前記外周領域の外周縁から前記耐圧構造領域の外周縁までの領域であって、前記半導体層の厚さ方向から視て、前記耐圧構造領域の外周縁が前記アクティブ領域に向けて凹むように形成された特定領域と、を含み、前記特定領域内における前記半導体層の表面には、コンタクト領域が形成されており、前記外周領域の最外周領域には、前記コンタクト領域と電気的に接続された配線が形成されている。
【0006】
上記課題を解決する半導体装置は、アクティブ領域と、前記アクティブ領域を囲むように枠状に形成されかつ矩形状の外周縁を有する外周領域と、を有する半導体層を備えた半導体装置であって、前記外周領域の外周縁は、矩形状であって4つの外周縁を有し、前記外周領域は、耐圧構造が形成された耐圧構造領域と、前記耐圧構造領域と前記外周領域の外周縁との間に形成された特定領域と、を含み、前記特定領域内における前記半導体層の表面には、コンタクト領域が形成されており、前記外周領域の最外周領域は、前記特定領域によって構成された第1最外周領域と、前記コンタクト領域と電気的に接続された配線が形成された第2最外周領域と、を含み、前記第1最外周領域と前記第2最外周領域とはそれぞれ、互いに異なる1つ以上の外周縁を含む。
【発明の効果】
【0007】
上記半導体装置によれば、外周領域の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
図1は、第1実施形態の半導体装置の概略的な平面図である。
図2は、図1の半導体装置からパッシベーション膜を取り除いた状態の概略的な平面図である。
図3は、図1の半導体装置の半導体層について、アクティブ領域および外周領域を区画して示した概略的な平面図である。
図4は、図2のF4-F4線で切った半導体装置の概略的な断面図である。
図5は、図3の二点鎖線で囲まれた矩形状の部分の拡大図である。
図6は、図5の半導体層に配線を追加した状態の概略的な平面図である。
図7は、図6のF7-F7線で切った半導体装置の概略的な断面図である。
図8は、図6のF8-F8線で切った半導体装置の概略的な断面図である。
図9は、図6の特定領域およびその周辺の拡大図である。
図10は、第1比較例の半導体装置について、外周領域のコーナ部分およびその周辺を拡大して示した概略的な平面図である。
図11は、第2比較例の半導体装置について、外周領域のコーナ部分およびその周辺を拡大して示した概略的な平面図である。
図12は、第2比較例の半導体装置と本実施形態の半導体装置とを比較して示した概略的な断面図である。
図13は、第2実施形態の半導体装置について、半導体装置からパッシベーション膜を取り除いた状態の概略的な平面図である。
図14は、図13の半導体装置の半導体層について、図13の二点鎖線で囲まれた矩形状の部分に対応する部分の拡大図である。
図15は、図14の半導体層に配線を追加した状態の概略的な平面図である。
図16は、図15のF16-F16線で切った半導体装置の概略的な断面図である。
図17は、変更例の半導体装置について、特定領域およびその周辺の拡大図である。
図18は、変更例の半導体装置について、特定領域およびその周辺の拡大図である。
図19は、変更例の半導体装置について、アクティブ領域の模式的な断面図である。
図20は、変更例の半導体装置について、特定領域およびその周辺の拡大図である。
図21は、変更例の半導体装置の半導体層について、アクティブ領域および外周領域を区画して示した概略的な平面図である。
図22は、変更例の半導体装置について、特定領域およびその周辺の拡大図である。
図23は、変更例の半導体装置について、特定領域およびその周辺の拡大図である。
図24は、変更例の半導体装置の半導体層について、アクティブ領域および外周領域を区画して示した概略的な平面図である。
図25は、変更例の半導体装置について、特定領域およびその周辺の拡大図である。
図26は、変更例の半導体装置の半導体層について、アクティブ領域および外周領域を区画して示した概略的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、添付図面を参照して本開示の半導体装置の実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするため、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするため、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付図面は、本開示の実施形態を例示するものに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【0010】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は、本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図していない。
(【0011】以降は省略されています)

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